GMA01U
Contextual Info: GMA01U 注文コード No. N 1 0 6 5 D 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.1065C をさしかえてください。 GMA01U シリコンエピタキシャルプレーナ型 超高速スイッチングダイオード バイアス安定用
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Original
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gma01u1065c300mwdo-35+592706dhtc-00000133n188kn62797gibx-0698
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GMA01U
Contextual Info: GMA01U Ordering number : EN1065D SANYO Semiconductors DATA SHEET Epitaxial Planar Silicon Diode GMA01U Ultrahigh-Speed Switching, Bias Stabilizing Applications Features • • • • • Glass sleeve structure. Allowable power dissipation : P=300mW max.
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Original
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gma01uen1065d300mwdo-35 |
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ESJA56-24
Abstract: ESJA57-03 ESJA57-04 ESJA58-06 ESJA58-08 ESJA82-12 ESJA83-16 ESJA83-18 ESJA83-20 ESJA86-24
Contextual Info: i Tt 3 "C T fc tt 3 • g g ~ “ ~ ggooooco os en en cn on en cn en en en en en en cn en 110c 110c 110c & ? ? ? ? ? o p O 1 —— P P g S S pt». «1 in Co Co o> o» cri en cji cn cn ^ ? p » * O M Si 3> *n 3 3t (a ) 08 001 *001 O SI O SI 3= î" 3» 250
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esja56-24esja57-03esja57-04esja58-06+6esja58-08esja82-12esja83-16esja83-18esja83-20esja86-24
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ESJA56-24
Abstract: ESJA57-03 ESJA57-04 ESJA58-06 ESJA58-08 ESJA82-12 ESJA83-16 ESJA83-18 ESJA83-20 ESJA86-24
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ESJA56-24
Abstract: ESJA57-03 ESJA57-04 ESJA58-06 ESJA58-08 ESJA82-12 ESJA83-16 ESJA83-18 ESJA83-20 ESJA86-24
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GMA01
Contextual Info: SAMYO ¡ , G M IS Ít * , A 0 1 , Q Ü - 1N o . 1G65C 1 2 69 v 'j z ¡ > x t : ? * v 7 ^ 7 V - t 7 f 5 - J ; — J g Ü i l X - f "J f -> 7 # - f t f - JV P -300m W max, fifi 7 £1 %i 'tf7.X 7,'J-7fí|5 -* * l!IJ S i: K : c = 3 .0 p F max< - | rr = 4-Otis maxo
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1q65ckal065bgma01300mw+3cgma01-100v10mat
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GMA01
Abstract: GMA01U
Contextual Info: Ordering number : EN1065C GMA01,01U NO.1065C E p itax ial P la n a r Silicon Diode Very High-Speed Switching, B ias S tabilizing Applications Features • Glass sleeve s tru c tu re • Allowable power dissipation : P = 300m W max. •In te r te rm in a l capacitance : c = 3.0pF max.
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en1065c300mwdo-35gma01+1gma01u
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ESJA56-24
Abstract: ESJA57-03 ESJA57-04 ESJA58-06 ESJA58-08 ESJA82-12 ESJA83-16 ESJA83-18 ESJA83-20 ESJA86-24
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ESJA56-24
Abstract: ESJA57-03 ESJA57-04 ESJA58-06 ESJA58-08 ESJA82-12 ESJA83-16 ESJA83-18 ESJA83-20 ESJA86-24
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GMA01
Abstract: GMA01U
Contextual Info: Ordering number:EN1065C GMA01, 01U Epitaxial Planar Silicon Diode Very High-Speed Switching, Bias Stabilizing Applications Features Package Dimensions • Glass sleeve structure. · Allowable power dissipation : P=300mW max. · Interterminal capacitance : c=3.0pF max.
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Original
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en1065cgma01300mwdo-35+1gma01u
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ESJA56-24
Abstract: ESJA57-03 ESJA57-04 ESJA58-06 ESJA58-08 ESJA82-12 ESJA83-16 ESJA83-18 ESJA83-20 ESJA86-24
Contextual Info: i Tt 3 "C T fc tt 3 • g g ~ “ ~ ggooooco os en en cn on en cn en en en en en en cn en 110c 110c 110c & ? ? ? ? ? o p O 1 —— P P g S S pt». «1 in Co Co o> o» cri en cji cn cn ^ ? p » * O M Si 3> *n 3 3t (a ) 08 001 *001 O SI O SI 3= î" 3» 250
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esja56-24esja57-03esja57-04esja58-06+6esja58-08esja82-12esja83-16esja83-18esja83-20esja86-24
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357B
Abstract: ESJA56-24 ESJA57-03 ESJA57-04 ESJA58-06 ESJA58-08 ESJA82-12 ESJA83-16 ESJA83-18 ESJA83-20
Contextual Info: i Tt 3 "C T fc tt 3 • g g ~ “ ~ ggooooco os en en cn on en cn en en en en en en cn en 110c 110c 110c & ? ? ? ? ? o p O 1 —— P P g S S pt». «1 in Co Co o> o» cri en cji cn cn ^ ? p » * O M Si 3> *n 3 3t (a ) 08 001 *001 O SI O SI 3= î" 3» 250
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esja56-24esja57-03esja57-04esja58-06+7esja58-08esja82-12esja83-16esja83-18esja83-20esja86-24357b
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GMA01
Abstract: GMA01U
Contextual Info: Ordering number:EN1065C GMA01, 01U Epitaxial Planar Silicon Diode Very High-Speed Switching, Bias Stabilizing Applications Features Package Dimensions • Glass sleeve structure. · Allowable power dissipation : P=300mW max. · Interterminal capacitance : c=3.0pF max.
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Original
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en1065cgma01300mwdo-35+1gma01u
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d1684
Abstract: C3788 c4217 d1047 c2078 C4161 D1651 D1682 k2043 K1460
Contextual Info: Transistors Type Number SAftYO Index *:New products for FEB added. Type No. Package Page Type No. 2SA Typi T0220 2SA1011 NP Al 016,1 SPA A] 177 NP A 1207 MP Al 208 T0126 Al 209 A ’237 DP6A, B il A: 238 it A! 239 il Ax 240 NP A: 246 T0126 A: 248 h A. 249
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2sa1520a1522a1523a1524+16a1525a1526a1527a1528a1536a1537d1684c3788c4217d1047c2078c4161d1651d1682k2043k1460
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3FTA
Abstract: ESJA56-24 ESJA57-03 ESJA57-04 ESJA58-06 ESJA58-08 ESJA82-12 ESJA83-16 ESJA83-18 ESJA83-20
Contextual Info: i Tt 3 "C T fc tt 3 • g g ~ “ ~ ggooooco os en en cn on en cn en en en en en en cn en 110c 110c 110c & ? ? ? ? ? o p O 1 —— P P g S S pt». «1 in Co Co o> o» cri en cji cn cn ^ ? p » * O M Si 3> *n 3 3t (a ) 08 001 *001 O SI O SI 3= î" 3» 250
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esja56-24esja57-03esja57-04esja58-06+7esja58-08esja82-12esja83-16esja83-18esja83-20esja86-243fta
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ESJA56-24
Abstract: ESJA57-03 ESJA57-04 ESJA58-06 ESJA58-08 ESJA82-12 ESJA83-16 ESJA83-18 ESJA83-20 ESJA86-24
Contextual Info: i Tt 3 "C T fc tt 3 • g g ~ “ ~ ggooooco os en en cn on en cn en en en en en en cn en 110c 110c 110c & ? ? ? ? ? o p O 1 —— P P g S S pt». «1 in Co Co o> o» cri en cji cn cn ^ ? p » * O M Si 3> *n 3 3t (a ) 08 001 *001 O SI O SI 3= î" 3» 250
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ESJA56-24
Abstract: ESJA57-03 ESJA57-04 ESJA58-06 ESJA58-08 ESJA82-12 ESJA83-16 ESJA83-18 ESJA83-20 ESJA86-24
Contextual Info: i Tt 3 "C T fc tt 3 • g g ~ “ ~ ggooooco os en en cn on en cn en en en en en en cn en 110c 110c 110c & ? ? ? ? ? o p O 1 —— P P g S S pt». «1 in Co Co o> o» cri en cji cn cn ^ ? p » * O M Si 3> *n 3 3t (a ) 08 001 *001 O SI O SI 3= î" 3» 250
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ESJA56-24
Abstract: ESJA57-03 ESJA57-04 ESJA58-06 ESJA58-08 ESJA82-12 ESJA83-16 ESJA83-18 ESJA83-20 ESJA86-24
Contextual Info: i Tt 3 "C T fc tt 3 • g g ~ “ ~ ggooooco os en en cn on en cn en en en en en en cn en 110c 110c 110c & ? ? ? ? ? o p O 1 —— P P g S S pt». «1 in Co Co o> o» cri en cji cn cn ^ ? p » * O M Si 3> *n 3 3t (a ) 08 001 *001 O SI O SI 3= î" 3» 250
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d1878
Abstract: D1887 C4106 D1880 D1825 transistors D1878 c3987 C4161 D1651 k1459
Contextual Info: Transistors Type Number SAVYO In dex *:New products for Type No. Package Page Type No. Package Page Type No. Package 2SA Type NP 2SA1016.il A1177 SPA AI207 NP A1208 MP A1209 T0126 A 1246 NP A 1248 T0126 il A1249 A 1252 CP A 1253 SPA A1256 CP il Al 257 A1258
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a1527a1528a1537a1540+16a1573a1574a1575a1580a1590a1607d1878d1887c4106d1880d1825transistors d1878c3987c4161d1651k1459
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ESJA56-24
Abstract: ESJA57-03 ESJA57-04 ESJA58-06 ESJA58-08 ESJA82-12 ESJA83-16 ESJA83-18 ESJA83-20 ESJA86-24
Contextual Info: i Tt 3 "C T fc tt 3 • g g ~ “ ~ ggooooco os en en cn on en cn en en en en en en cn en 110c 110c 110c & ? ? ? ? ? o p O 1 —— P P g S S pt». «1 in Co Co o> o» cri en cji cn cn ^ ? p » * O M Si 3> *n 3 3t (a ) 08 001 *001 O SI O SI 3= î" 3» 250
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DSB010
Abstract: DS442X
Contextual Info: SAf/YO Q u i c k G u i d e To Small afc Ver-y Fast. Swi t o h i ng Type No. Package Out 1ine No. :Marking General purpose Diodes Di o d e s Electrical Characteristics/Ta=25°C Absolute Maximum Ratings/Ta=25’C Features Signal Remarks VR 10 IFM (V) (mA)
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do-35do-34do-34sll-34+2dsb010ds442x
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