Semiconductor Circuits
Abstract: diode p1000 P1000 diode Q62702-P178 Q62702-P180 Q62702-P997 SFH 309 FA V fototransistor led npn phototransistor sfh 309 Q62702-P999
Contextual Info: SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA feo06653 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor ø3.1 ø2.9 1.8 3.5 1.2 29 6.3 27 5.9 0.6 0.4 4.0 3.6 Chip position GEO06653 feof6653 Collector (Transistor) Cathode (Diode) 0.7 0.4 2.54 mm spacing 0.8
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Original
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feo06653geo06653feof6653ohf01527+14ohf01530ipce/ipce25oohf01528ohf01524semiconductor circuitsdiode p1000p1000 diodeq62702-p178q62702-p180q62702-p997sfh 309 fa vfototransistor lednpn phototransistor sfh 309q62702-p999
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npn phototransistor sfh 309
Abstract: Q62702-P859 Q62702-P941 Q62702-P998 Q62702-P999 Q62702-P178 Q62702-P180 SFH 309 FA SFH 309-3/4
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm SFH 309 und bei 880 nm (SFH 309 FA) • Hohe Linearität • 3 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
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Original
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geo06653npn phototransistor sfh 309q62702-p859q62702-p941+6q62702-p998q62702-p999q62702-p178q62702-p180sfh 309 fasfh 309-3/4
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Q62702-P216
Abstract: SFH 229 GEO06653 Q62702-P215 sfh diode
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 229 SFH 229 FA SFH 229 SFH 229 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1100 nm SFH 229 und bei 880 nm (SFH 229 FA)
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Original
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geo06653q62702-p216sfh 229q62702-p215+1sfh diode
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