Q62703-Q71
Abstract: ld263 GEO06367 OHRD1938 Q62703-Q70 Q62703-Q72 Q62703-Q73 Q62703-Q74 Q62703-Q75 Q62703-Q76
Contextual Info: 0 . 5 3.6 3.2 0.7 0.6 0.25 0.15 LD 260 LD 262 . LD 269 fez06365 2.54 mm spacing 1.9 1.7 0.5 0.4 3.5 3.0 Chip position 7.4 7.0 2.7 2.5 GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays 2.1 1.5 A 0.4 A GEO06367 feo06367 1.4 1.0 Collector BPX 83
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Original
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fez06365geo06367feo0636780-serie+11ohr02182ohr01878q62703-q71ld263ohrd1938q62703-q70q62703-q72q62703-q73q62703-q74q62703-q75q62703-q76
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OHRD1938
Abstract: Q62703-Q70 Q62703-Q71 Q62703-Q72 Q62703-Q73 Q62703-Q74 Q62703-Q75 Q62703-Q76 Q62703-Q77 Q62703-Q78
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays LD 260 LD 262 … LD 269 Wesentliche Merkmale • GaAs-IR-Lumineszenzdiode • Hohe Zuverlässigkeit • Gruppiert lieferbar • Gehäusegleich mit BPX 80-Serie • Miniatur-Gehäuse Features • GaAs infrared emitting diode
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Original
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80-serieohr01878geo06367ohrd1938+9q62703-q70q62703-q71q62703-q72q62703-q73q62703-q74q62703-q75q62703-q76q62703-q77q62703-q78
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foto transistor
Abstract: Q62702-P21 GEO06367 Q62702-P22 Q62702-P25 Q62702-P26 Q62702-P28 Q62702-P30 Q62702-P31 Q62702-P32
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 BPX 82 … 89 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy • Gruppiert lieferbar
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Original
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ipce/ipce25ogeo06367foto transistorq62702-p21+7q62702-p22q62702-p25q62702-p26q62702-p28q62702-p30q62702-p31q62702-p32
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