5N/10 Search Results
5N/10 Datasheets (26)
Select Manufacturer
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Datasheet Type | PDF Size | Page count | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 5N100 | Unknown | Historical semiconductor price guide (US$ - 1998). From our catalog scanning project. | Historical | 29.7KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5N100 | Unknown | Historical semiconductor price guide (US$ - 1998). From our catalog scanning project. | Historical | 29.7KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
5N10
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Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd | N-channel high voltage MOSFET in SOT-23-3L package with 100V drain-source voltage, 5A continuous drain current, 115mΩ on-resistance at VGS=10V, and low input capacitance for fast switching applications.N-channel high voltage MOSFET with 100 V drain-source voltage, 5 A continuous drain current, 115 mΩ on-resistance at VGS=10V, and low input capacitance in SOT-23-3L surface mount package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AKP095N10
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AK Semiconductor | AKP095N10 N-Channel Super Trench II Power MOSFET with 100V VDS, 65A ID, 8.5mΩ RDS(on) at VGS=10V, suitable for high-frequency switching and synchronous rectification applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SK05N10A
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Shikues Semiconductor | Advanced trench tech, low gate charge, high density cell, excellent heat dissipation, power switching, UPS. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SL05N10A
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SLKOR | Original | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HKT05N10
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Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd | N-channel high voltage MOSFET with 100 V drain-source voltage, 5 A continuous drain current, 115 mΩ on-resistance at VGS=10V, and low input capacitance in SOT-23-3L surface mount package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SK15N10
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Shikues Semiconductor | N-Channel 100V MOSFET, RDS(ON)≦100mΩ@VGS=10V, low RDS(ON), high DC current, medium voltage applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HSS5N10
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Huashuo Semiconductor | N-channel 100V fast switching MOSFET with 15A continuous drain current, 100mΩ typical RDS(on), low gate charge, and high cell density trench technology for synchronous buck converter applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NM0805N101J251CPBN
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Hui Ju (Capacitors) | Multilayer ceramic capacitor, NM Series, mid-voltage, rated 100V to 630V, available in various case sizes with X7R and C0G dielectrics, lead-free termination, RoHS compliant. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AKP045N10
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AK Semiconductor | N-channel MOSFET with 100V VDS, 125A ID, and low RDS(on) of 4.2mΩ (TO-220) or 4.0mΩ (TO-263) at VGS=10V, utilizing Super Trench II technology for high-frequency switching efficiency. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NCEAP25N10AD
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NCEPOWER | NCEAP25N10AD is an N-channel Super Trench II power MOSFET with 100 V drain-source voltage, 37 A continuous drain current, and low on-resistance of 21 mΩ at 10 V gate-source voltage, optimized for high-frequency switching and synchronous rectification. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HKTD15N10
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Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd | N-channel Power MOSFET HKTD15N10 with 100V drain-source voltage, 15A continuous drain current, and 100mΩ maximum RDS(on) at VGS=10V, available in TO-252 package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NCEAP25N10AG
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NCEPOWER | NCEAP25N10AG is an automotive-grade N-channel Super Trench II power MOSFET with 100 V drain-source voltage, 32 A continuous drain current, and low on-resistance of 21 mΩ at 10 V gate-source voltage, suitable for high-frequency switching and synchronous rectification applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SL15N10A
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SLKOR | VDS 100V, ID 15A, RDS(ON) at VGS=10V <115mohm, at VGS=4.5V <10mohm, Trench Power MV MOSFET, high density cell, heat dissipation, DC-DC Converters, power management. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CJU15N10
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JCET Group | N-channel Power MOSFET CJU15N10 with 100V drain-source voltage, 15A continuous drain current, 70mΩ RDS(on) at 10V VGS, featuring low gate charge, fast switching, and avalanche energy rating. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MDD15N10D
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Microdiode Semiconductor (MDD) | 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SL65N10Q
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SLKOR | Original | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SLP25N10T
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Maplesemi | N-Channel MOSFET SLP25N10T, 100V, 25A, RDS(on) 40mΩ at VGS = 10V, TO-220C package, designed for high-efficiency power management and switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NCEAP25N10AK
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NCEPOWER | NCEAP25N10AK is an automotive-grade N-channel Super Trench II power MOSFET with 100V drain-source voltage, 37A continuous drain current, and low on-resistance of 21mΩ at VGS=10V, optimized for high-frequency switching and synchronous rectification. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
5N/10 Price and Stock
Select Manufacturer
Diotec Semiconductor AG DI045N10PQ-AQMOSFET N-CH 45A |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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DI045N10PQ-AQ | Digi-Reel | 5,000 | 1 |
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| DI045N10PQ-AQ | Tape & Reel | 5,000 | 5,000 |
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| DI045N10PQ-AQ | Cut Tape | 5,000 | 1 |
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DI045N10PQ-AQ | 2,760 |
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DI045N10PQ-AQ | Cut Tape | 3,400 | 1 |
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Micro Commercial Components MCQ15N10YA-TPMOSFET N-CH DFN3333 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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MCQ15N10YA-TP | Digi-Reel | 3,553 | 1 |
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| MCQ15N10YA-TP | Cut Tape | 3,553 | 1 |
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Infineon Technologies AG IPP045N10N3GXKSA1MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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IPP045N10N3GXKSA1 | Tube | 3,285 | 1 |
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IPP045N10N3GXKSA1 | 97 | 1 |
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IPP045N10N3GXKSA1 | Tube | 900 | 50 |
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IPP045N10N3GXKSA1 | Tube | 422 | 0 Weeks, 1 Days | 1 |
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IPP045N10N3GXKSA1 | 6,000 |
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IXYS Corporation IXTP05N100MOSFET N-CH 1000V 750MA TO220AB |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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IXTP05N100 | Tube | 593 | 1 |
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IXTP05N100 | 1 |
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onsemi STTFS015N10MCL- |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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STTFS015N10MCL | Digi-Reel | 226 | 1 |
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| STTFS015N10MCL | Cut Tape | 226 | 1 |
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STTFS015N10MCL | Tape & Reel | 1,137 |
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STTFS015N10MCL | 41 Weeks | 1,500 |
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STTFS015N10MCL | 25 Weeks | 1,500 |
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STTFS015N10MCL | 43,500 |
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