2MBI450U4E-120
Abstract: 2mbi450u4e 2mbi450u4e120 ms5f6057 ED-4701 MT5F12959 2MBI450U4
Contextual Info: SPECIFICATION Device Name : Type Name : Spec. No. Mar. 09 ’05 S.Miyashita Mar. 09 ’05 T.Miyasaka K.Yamada : Y.Seki IGBT MODULE 2MBI450U4E-120 MS5F 6057 MS5F6057 1 13 H04-004-07b R e v i s e d Date Classification Mar.-09 -’05 Enactment Ind. Content R e c o r d s
|
Original
|
2mbi450u4e-120ms5f6057h04-004-07bh04-004-06b+6h04-004-03a2mbi450u4e2mbi450u4e120ed-4701mt5f129592mbi450u4
|
PDF
|
mp2a5100
Abstract: ya868c12 YA868C15 2sk4004 YG865C10 F5049 diode 3a05 Diode SMD SJ 24 Diode SMD SJ 09 Diode SMD SJ 28
Contextual Info: 富士電機半導体 総 合 カ タ ログ FUJI SEMICONDUCTORS ● パワー MOSFET Power MOSFETs ● 整流ダイオード Rectifier diodes ● パワーデバイス Power devices ● 集積回路 Integrated circuits ● 圧力センサ Pressure sensors
|
Original
|
rh011h2007-10b120fismp2a5100ya868c12+8ya868c152sk4004yg865c10f5049diode 3a05diode smd sj 24diode smd sj 09diode smd sj 28
|
PDF
|
2MBI450U4E-120
Abstract: 2MBI400U4H-120 2MBI300U4H-120 THYRISTOR TC122 6MBP75RU2A120 2MBI75U4A-120 7MBP75RU2A120 2mbi75u4a120 7MBR25SA120 05 2MBI200U4H-120
Contextual Info: パワーデバイス/Power Devices IGBT • IGBTモジュールの特長 Features of the IGBT Module 第6世代IGBTモジュール Vシリーズ 6th Gen. IGBT Module V-series ■特長 Features パッケージ小型化と出力のパワー UP を実現！
|
Original
|
max1752mbi600tn-060v2mbi450un-120v2mbp600un-120v+102mbi450u4e-1202mbi400u4h-1202mbi300u4h-120thyristor tc1226mbp75ru2a1202mbi75u4a-1207mbp75ru2a1202mbi75u4a1207mbr25sa120 052mbi200u4h-120
|
PDF
|