280PCS Search Results

Contextual Info: 2 3 4 5 6 15 15 15 15 6,4 A 4, 5 7 4,2 P a r t num ber nb o f cant. A B C D E F 6 12 12 12 12 006 008 2.54 3.81 5.08 6.35 7.62 6.96 8.23 9.50 10.77 12.04 8.89 10.16 11.43 12.70 13.97 5.76 7.03 8.30 9.57 10.84 4.76 6.03 7.30 8.57 9.84 6.56 7.83 9.10 10.37 11.64

Contextual Info: 4 B 5 6 7 P a r t number A m to LD n_ n L ru □ X J.27 A 1,2 4,25 Q1 B ± 0 ,0 3 2.2U0.Q3 r*- bn/2 C nJ C sl LT C sl =[ t 01,6 -0 .0 3 Component o u t l i ne 1 2 . 9Max i t rr 0 8 ,0 ] [8 8 0 r 11 , \ Performance Level PL1 >500 mating cycles 2 PL2 >250 mating cycles

Contextual Info: PRODUCTS LED COB TYPE LBF6214-10DLXA-68A PAGE ５/１０ １．Part Number: LBF6214-10DLXA-68A ２．Structure: The LED light bar mounted LED dice bare chip on substrate by array （1serial 4parallel 2color） ３．Application: Lighting source ４．Maximum Condition（Ｔａ＝２５℃）

T2136-01-02

Abstract: B82559 EPCOS Sikorel 115-milliohm
Contextual Info: Inductive Component Helical Power Inductor Series/Type: Ordering code: Date: Version: ERU25 B82559A3292A025 2007-05-08 T2136-01-02 EPCOS AG 2005. Reproduction, publication and dissemination of this data sheet, enclosures hereto and the information contained therein without EPCOS’

Contextual Info: InSb Semiconductor Magnetoresistive Element MS-0081 MS-0081は SON型InSb半導体磁気抵抗素子です。バイアス磁石と組み合わせることにより高精度に 回転角を検出することができます。モジュールm=0.8のA/B相を出力します。

Contextual Info: InSb Semiconductor Magnetoresistive Element MS-0080 MS-0080は SON型InSb半導体磁気抵抗素子です。バイアス磁石と組み合わせることにより高精度に 回転角を検出することができます。モジュールm=0.8のA/B相を出力します。

MS-0081

Contextual Info: InSb Semiconductor Magnetoresistive Element MS-0081（開発中） MS-0081は SON型InSb半導体磁気抵抗素子です。バイアス磁石と組み合わせることにより高精度に 回転角を検出することができます。モジュールm=0.8のA/B相を出力します。

B82559A2122A025

Abstract: B82559 T2135-01-02
Contextual Info: Inductive Component Helical Power Inductor Series/Type: Ordering code: Date: Version: ERU25 B82559A2122A025 2007-05-08 T2135-01-02 EPCOS AG 2005. Reproduction, publication and dissemination of this data sheet, enclosures hereto and the information contained therein without EPCOS'

Contextual Info: Part number nb of A B C D E cont. in_n J •Si L;i 15 15 006 x 6 01 x x x 006 2.54 6.96 8.89 5.76 4.76 15 15 008 x 6 01 x x x 008 3.81 8.23 10.16 7.03 6.03 15 15 010 x 6 01 x x x 010 5.08 9.50 11.43 8.30 7.30 15 15 012 x 6 01 x x x 012 6.35 10.77 12.70 9.57

Contextual Info: 10 NOTE; : 501014-1411 APPRICABLE PLUG NO.: 501014-1411 MATERIAL 2- 1. i 9 4 V -0 , M S HOUSING: G.F.HEAT RESISTANT PLASTIC 34V-0,BLACK COLOR 2 - 2. TERMINAL 2 - 3. COPPER ALLOY Ij-tz REC. SHIELD STAINLESS STEEL PLATING 3 -I TERMINAL 3 - 1-1. SMSP O.lumMIN.

t2621

Abstract: B82559 A4432A025
Contextual Info: Inductive Component Helical Power Inductor Series/Type: Ordering code: Date: Version: ERU25 B82559A4432A025 2007-05-08 T2621-01-02 EPCOS AG 2005. Reproduction, publication and dissemination of this data sheet, enclosures hereto and the information contained therein without EPCOS'

KPEG500

Abstract: Kingstate Electronics high frequency buzzer
Contextual Info: A. SCOPE 範疇 This specification applies piezo audio indicator, KPEG500 此規格書適用於壓電式蜂鳴器, KPEG500 B. SPECIFICATION 規格 No. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 Item Resonant frequency 共振頻率 Operating Volt. range 操作電壓範圍

M08AB

Abstract: MS-0081
Contextual Info: InSb Semiconductor Magnetoresistive Element MS-0081（開発中） MS-0081は SON型InSb半導体磁気抵抗素子です。バイアス磁石と組み合わせることにより高精度に 回転角を検出することができます。モジュールm=0.8のA/B相を出力します。

MS-0080

Contextual Info: InSb Semiconductor Magnetoresistive Element MS-0080 MS-0080は SON型InSb半導体磁気抵抗素子です。バイアス磁石と組み合わせることにより高精度に 回転角を検出することができます。モジュールm=0.8のA/B相を出力します。

Contextual Info: InSb Semiconductor Magnetoresistive Element MS-0080 MS-0080は SON型InSb半導体磁気抵抗素子です。バイアス磁石と組み合わせることにより高精度に 回転角を検出することができます。モジュールm=0.8のA/B相を出力します。

KPEG152

Abstract: Hewlett Packard
Contextual Info: A.SCOPE 範疇 This specification applies piezo audio transducer, KPEG152 此規格書適用於壓電式蜂鳴器, KPEG152 B. SPECIFICATION 規格 No. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Item Operating Volt. 操作電壓 Current consumption 消耗電流 Sound pressure level

Contextual Info: InSb Semiconductor Magnetoresistive Element MS-0081（開発中） MS-0081は SON型InSb半導体磁気抵抗素子です。バイアス磁石と組み合わせることにより高精度に 回転角を検出することができます。モジュールm=0.8のA/B相を出力します。