220NIS Search Results

TA48033AF

Abstract: TA48018af T0-220NIS PW-Mold AS 15 f TA4805AF TA48025AF
Contextual Info: TOSHIBA TA48xxAF/AS series FBcltUre — CLF-1 New Bip Process (1 (Output Voltage :1.5/1.8/2.5/3.3/5.0/9.0V C (2) Low Bias Current: 0.8mA{typ.) (3) Low Dropout Voltage: 0.5V(max.) (@ lo=0.5£p-' (4) CniiT(Recommend); 2.2uF(Ceramlc type)° (5) Package: PW-MOLD (xxAF), T0-220NIS (xxAS)

TO220-NIS

Abstract: 220AB SM12G45
Contextual Info: TRIACS PACKAGE 400V 600V 6A TO-220AB TO-220AB SM6G45 SM6G45A SM6J45 SM6J45A 8A T0-220AB TO-220AB SM6G45 SM8G45A SM8J45 SM8J45A 12A TO-220AB TO-220AB SM12G45 SM12G45A SM12J45 SM12J45A 16A TO-220AB TO-220AB SM16G45 SM16G45A SM16J45 SM16J45A 3A TO-220NIS SM3GZ47

2-10R1A

Abstract: TD-220NIS 10R1A EIAJ SC67
Contextual Info: S-IORIA Uniti nn 2. 7±0. 2 Nane JEDEC EIAJ Toshiba Discrete Semiconductor Integrated Circuit TD-220NIS - SC -67 2-10R1A P-H SIP3-2.54A Jan.2003

Contextual Info: Transistor Outline Package Center Leadless Type TO–220NIS ( センターリードレス ) パッケージ 外形図 パッケージ形状および寸法 単位 : mm 2.7 ±0.2 10.0 ±0.3 5.6 max 1.1 0.75 ±0.15 15.0 ±0.3 0.75 ±0.15 4.5 ±0.2 2.6 2.54 ±0.25

Contextual Info: Transistor Outline Package Center Leadless Type TO–220NIS (Center Leadless Type) Package Outline Dimensions Outline Dimensions Unit: mm 2.7 ±0.2 10.0 ±0.3 5.6 max 1.1 0.75 ±0.15 15.0 ±0.3 Notes • The above diagrams may not be actual sizes. Diagrams may be enlarged,

TOSHIBA IGBT DATA BOOK

Abstract: transistor R1A r1a transistor 10R1A 10R1B 2-10R1A
Contextual Info: Transistor Outline Package New Isolated Type TO–220NIS Package Outline Dimensions Outline Dimensions Unit: mm 2.7 ±0.2 10.0 ±0.3 5.6 max 1.1 1.1 0.75 ±0.15 2.54 ±0.25 15.0 ±0.3 13.0 min 3.9 3.0 φ3.2 ±0.2 2 3 0.75 ±0.15 4.5 ±0.2 1 2.6 2.54 ±0.25

TPD4112K

Abstract: FG- SOT23-6 FG SOT23-6 LED sot23-6 ic 3845 JDP2S08SC JDV2S25SC JDV2S26SC JDV2S27SC JDV2S28SC
Contextual Info: C O N T E N T S 今月の新製品情報 東芝半導体情報誌アイ 2004年12月号 12 VOLUME 149 白色LEDドライバIC.2 超小型PINダイオード バリキャップダイオード.2

TPD*1039s

Abstract: tpd1039s HSOP20 TLOH1100A TLRMH1100A TLSH1100A TLYH1100A TPD1039F CS019
Contextual Info: e y eeeyyyeee eeye 東芝半導体情報誌アイ 2001年7月号 ブロードバンド時代にむけた超並列プロセッサをSCEIIBMと共同開発 当社は、 ソニー・コンピュータエンタテインメント（SCEI）、IBMコーポレーション（IBM）と共

transistor R1A

Abstract: r1a transistor 10R1A 10R1B
Contextual Info: Transistor Outline Package New Isolated Type TO–220NIS パッケージ 外形図 パッケージ形状および寸法 単位 : mm 2.7 ±0.2 10.0 ±0.3 5.6 max 1.1 1.1 0.75 ±0.15 2.54 ±0.25 15.0 ±0.3 13.0 min 3.9 3.0 φ3.2 ±0.2 2 3 0.75 ±0.15 4.5 ±0.2