13H4501 Search Results

Contextual Info: VRRM IFAVM IFSM VF0 rF VDClink = = = = = = 4500 1200 25 1.3 0.48 2800 V A kA V mΩ Ω V Fast Recovery Diode 5SDF 13H4501 Doc. No. 5SYA1104-02 Sep. 01 • Patented free-floating silicon technology • Low on-state and switching losses • Optimized for use as freewheeling diode in GTO converters with high DC link

5SDF01R2501

Abstract: 5SGA 5SGA30J2501 RTK 031
Contextual Info: A S Y M M E T R I C _ G T Q T H Y R I S T O R S - ± X 0 GTO - Patentierter freier Druckkontakt. - Alle GTOs werden unter Ausschalt­ grenzwerten getestet. - Ausgezeichnete O ptimierung zwiscl Durchlass- und Schaltverlusten. - Spezifizierte Höhenstrahlungsfes­

GTO thyristor Curve properties

Abstract: ABB 5SGY 35L4502 ABB 5SGy GTO thyristor ABB snubber IGCT ABB GTO gate unit gto dc converter abb GTO thyristor driver igct abb diode DS1
Contextual Info: ABB Semiconductors AG Section 3 SECTION 3 DATA SHEET USER’S GUIDE BY ANTON SCHWEIZER S 3-1 ABB Semiconductors AG Section 3 DATA SHEET USER’S GUIDE 3.1 GTOs Introduction This section is a detailed guide to proper understanding of a GTO data sheet. Parameters and ratings will be defined, and illustrated by

FSV 052

Contextual Info: F A S T R E C O V E R Y _ D - I O D E S - O ptim iert für schnelles und weiches Ausschaltverhalten. - Kleine Speicherladung. - Hohes zulässiges d i/d t beim Aus­ schalten. - Vollständiges Sortiment für den Einsatz mit GTOs.