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/4N60 Datasheets (18)
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| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Datasheet Type | PDF Size | Page count | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 4N60 | Unisonic Technologies | 4 Amps, 600 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | Original | 152.32KB | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4N600 | Unknown | N-Channel Field Effect Transistor | Original | 35.63KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4N600(3600) | Bay Linear | N-Channel Field Effect Transistor | Original | 35.65KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4N600S | Bay Linear | 600V 4.0A N-channel field effect transistor | Original | 35.65KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4N600T | Bay Linear | 600V 4.0A N-channel field effect transistor | Original | 35.65KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4N60L-TA3-T | Unisonic Technologies | 4 Amps, 600 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | Original | 152.32KB | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4N60-TA3-T | Unisonic Technologies | 4 Amps, 600 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | Original | 152.31KB | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4N60-TF3-T | Unisonic Technologies | 4 Amps, 600 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | Original | 152.32KB | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
4N60
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Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd | N-channel high-voltage MOSFET in TO-252 package with 600 V drain-source voltage, 2.5 ohm on-resistance at 10 V gate drive, typical gate charge of 15 nC, and 8 pF reverse transfer capacitance. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N60A
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AK Semiconductor | 4A 600V N-channel enhancement mode MOSFET with typical on-resistance of 2.1 ohms at VGS = 10V, available in TO-220AB, TO-220F, TO-263, TO-251, and TO-252 packages, featuring low gate charge and high dv/dt capability. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AKZE4N60
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AK Semiconductor | N-Channel 600V MOSFET with 2.2 ohm RDS(on) at 10V VGS, 39nC gate charge, TO-252 package, designed for high-frequency switching applications with low input capacitance and avalanche energy rating. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JMPF4N60BJ
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | 600V, 4A N-channel Enhancement Mode Power MOSFET with RDS(ON) less than 2.52 ohms at VGS = 10V, designed for fast switching, PWM applications, and power management in a TO-220FP-3L package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CWS24N60AF
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Wuhan Xinyuan Semiconductor Co Ltd | 600V N-Channel Super Junction MOSFET CWS24N60A with 150 mOhm RDS(on) and 24A continuous drain current, designed for high-efficiency power applications including PFC, SMPS, UPS, adapters, and LED lighting. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JMPK4N60BJ
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | 600V, 4A N-channel enhancement mode power MOSFET in TO-252-3L package with RDS(ON) less than 2.52 ohms at VGS = 10V, designed for load switching, PWM applications, and power management. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CWS24N60AZ
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Wuhan Xinyuan Semiconductor Co Ltd | 600V N-Channel Super Junction MOSFET CWS24N60A with 150 mOhm RDS(on) and 24A continuous drain current, designed for high-efficiency power applications including PFC, SMPS, UPS, adapters, and LED lighting. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JMPC4N60BJ
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | 600V, 4A N-channel Enhancement Mode Power MOSFET with RDS(ON) less than 2.52 ohms at VGS = 10V, designed for load switching, PWM applications, and power management in a TO-220C-3L package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MDD4N60D
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Microdiode Semiconductor (MDD) | Power Field-Effect Transistor | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MDD4N60F
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Microdiode Semiconductor (MDD) | Power Field-Effect Transistor | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
/4N60 Price and Stock
Rochester Electronics LLC
Rochester Electronics LLC N74F04N-602IC INVERTER 6CH 1-INP 14DIP |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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N74F04N-602 | Bulk | 25,796 | 233 |
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Rochester Electronics LLC HGTG24N60D1IGBT 600V 40A TO-247 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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HGTG24N60D1 | Bulk | 24,641 | 30 |
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Rochester Electronics LLC N74F244N-602IC BUFF 4.5V/5.5V 20-DIP |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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N74F244N-602 | Tube | 7,117 | 174 |
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Rochester Electronics LLC FQA24N60POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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FQA24N60 | Bulk | 6,720 | 55 |
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Rochester Electronics LLC N74F374N-602IC FF D-TYPE 1-ELE 8-BIT 20-DIP |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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N74F374N-602 | Tube | 2,651 | 460 |
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