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/3N50 Datasheets (17)
Select Manufacturer
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Datasheet Type | PDF Size | Page count | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 3N50 | Germanium Power Devices | Germanium Power Transistors | Scan | 366.05KB | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3N50 |
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Motorola Semiconductor Datasheet Library | Scan | 65.89KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3N50 | Unknown | Historical semiconductor price guide (US$ - 1998). From our catalog scanning project. | Historical | 29.97KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3N50 | Unknown | Historical semiconductor price guide (US$ - 1998). From our catalog scanning project. | Historical | 29.97KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3N50 | Unknown | Shortform Transistor PDF Datasheet | Short Form | 153.39KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3N50 | Semitron | Germanium Power Transistors | Scan | 777.02KB | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3N50 | Solidev Semiconductors | Solid State Products (Transistor Guide) | Scan | 92.87KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
13N50A
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AK Semiconductor | 13N50A N-channel enhancement mode MOSFET with 500V drain-source voltage, 13A continuous drain current, 0.35 ohm typical on-resistance at 10V gate-source voltage, and TO-220F or TO-220C package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JMPF13N50BJ
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | 500V, 13A N-channel Enhancement Mode Power MOSFET in TO-220FP-3L package with RDS(ON) less than 0.62 ohm at VGS = 10V, designed for load switching, PWM applications, and power management with fast switching and improved dv/dt capability. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SLF13N50C
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Maplesemi | SLP13N50C and SLF13N50C are 500V, 13A N-channel MOSFETs with a typical RDS(on) of 386 mΩ at VGS = 10V, low gate charge of 44nC, and high avalanche energy endurance, suitable for high-efficiency power conversion applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SLT13N50A
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Maplesemi | 500V N-Channel MOSFET with 13A continuous drain current, 0.52 ohm typical RDS(on) at 10V VGS, low gate charge of 19.1nC, and TO-252 package for high efficiency power applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SLP_F13N50A
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Maplesemi | 500V N-Channel MOSFET with 13A continuous drain current, 0.42 ohm typical RDS(on) at 10V VGS, low gate charge of 19.1nC, and high avalanche energy rating, suitable for high-efficiency power conversion applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SLF13N50U
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Maplesemi | 500V N-Channel MOSFET with 13A continuous drain current, 0.40 ohm typical RDS(on) at VGS = 10V, low gate charge of 35nC, and fast switching performance suitable for high-efficiency power applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SL13N50FS
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SLKOR | Original | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JMPC13N50BJ
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | 500V, 13A N-channel enhancement mode power MOSFET in TO-220C-3L package with RDS(ON) less than 0.62 ohm at VGS = 10V, suitable for load switching, PWM, and power management applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MDD13N50F
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Microdiode Semiconductor (MDD) | Power Field-Effect Transistor | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SLF13N50A
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Maplesemi | 500V N-Channel MOSFET with 13A continuous drain current, 0.42 ohm RDS(on) at VGS = 10V, low gate charge of 19.1nC, and 4.6pF Crss, suitable for high efficiency power conversion applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
/3N50 Price and Stock
Cal-Chip Electronics
Cal-Chip Electronics CHV0603N500300JCTHVCAP0603 COG 30PF 5% 500V |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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CHV0603N500300JCT | Tape & Reel | 196,000 | 4,000 |
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Cal-Chip Electronics CHV0603N500430JCTHVCAP0603 COG 43PF 5% 500V |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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CHV0603N500430JCT | Tape & Reel | 56,000 | 4,000 |
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Cal-Chip Electronics CHV0603N500681JCTHVCAP0603 COG 680PF 5% 500V |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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CHV0603N500681JCT | Tape & Reel | 48,000 | 4,000 |
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Cal-Chip Electronics CHV0603N500100JCTHVCAP0603 COG 10PF 5% 500V |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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CHV0603N500100JCT | Tape & Reel | 40,000 | 4,000 |
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Cal-Chip Electronics CHV0603N500751JCTHVCAP0603 COG 750PF 5% 500V |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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CHV0603N500751JCT | Tape & Reel | 36,000 | 4,000 |
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