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nf schaltungen

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Abstract: INTEGRIERTE SCHALTUNGEN 141 TDA1022 Abmessungen in mmi Gehäuse: Kunststoff, dual In line, 16 Anschlüsse , °c 10.75 142 7 VALVO INTEGRIERTE SCHALTUNGEN TDA 1022 Kenn- und Betriebsverte: bei "UN (9/16 , bis 400 pA ersertzt wird. -L _ _ _ VALVO INTEGRIERTE SCHALTUNGEN 10.75 143 , VALVO INTEGRIERTE SCHALTUNGEN 144 TDA1022 Schaltungsboispiele: ^Hf NF-Eingang max.2,5Vef1 Tckl im putegeber fjt 50kHz Tiefpoà mit TBA 221 Verstärkung 3^5 dB Grenzfrequenz 15 kHz (T2 dB/Oktave) -15V NF -
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BAW62 VALVO TDA 5500 schaltungen mit TDA1022 tda 1022 schaltungen VZ710UI U13/16
Abstract: EB 218 TLC770X Familie von BiCMOS Schaltungen zur Spannungsüberwachung Verfasser: Ingrid Kohl , beim Einschalten, sowie auf das Verhalten von digitalen Schaltungen eingegangen. Als , . 9 4. Verhalten von digitalen Schaltungen . , beeinträchtigen Einbrüche der Versorgungsspannung die Funktionsweise von integrierten Schaltungen und können so , 10 pF 100 pF 1 nF 10 nF 100 nF 1 uF 10 uF 100 uF 1000 uF 10 mF Kapazität C t Texas Instruments
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TLC7701 zenerdiode 218 transistor DA 218 TMS70C20 TMS370 TMS320C30 TLC7733 TL770X TL7702
Abstract: Frauenhofer Institut Mikroelektronische Schaltungen und Systeme Duisburg . Dresden . Münschen FGS1/COB_07 X-Y-Two-Axes Magnetic Field Sensor System Features Due to the changes of magnetic , Mikroelektronische Schaltungen und Systeme Grenzstraße 28 D - 01109 Dresden Phone: +49 (0) 3 51 / 88 23-0 Fax , 500 ppm/K 1,05 ? 65 uT Vdd/2 V ? 500 500 Vdd/2*1,08 nF uA V 100 Vdd , mechanical dimensions flux07-e.doc Institut Mikroelektronische Schaltungen Und Systeme Institut Mikroelektronische Schaltungen Und Systeme
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FLUXGATE fluxgate sensor DIGITAL FLUXGATE Fluxgate Magnetic Field Sensor fluxgate compass
Abstract: Elektromagnetische Verträglichkeit Die elektromagnetische Verträglichkeit von elektronischen Schaltungen und , Schaltungen und Anlagen schon seit langen diskutiert wird, und daher in der Literatur umfangreiches , . 4 2 Verhalten von digitalen Schaltungen , von digitalen Schaltungen Um die Verhältnisse in digitalen Schaltungen besser zu verstehen und damit , Entwicklung und Herstellung komplexer integrierter Schaltungen hat. Zum anderen lassen sich an diesem Texas Instruments
Original
EB215 digitale schaltungen and gatter eilhard haseloff induktiv quarz smd N
Abstract: Schaltungen sowohl für bipolare als auch CMOS-Schaltungen angegeben. Die Eigenschaften der unterschiedlichen Schaltungskonzepte werden ausführlich diskutiert. Regeln, die beim Entwurf dieser Schaltungen zu beachten sind , Schaltungen für die Anwendungsfälle, bei denen an die Höhe und Konstanz der Ausgangsfrequenz durchschnittliche Anforderungen gestellt werden. Da solche Schaltungen gut dokumentiert sind und nur wenige , komplexe Schaltungen entwickelt worden, die durch einfache R/C-Beschaltung den Aufbau von guten Texas Instruments
Original
EB155A SN74HC SN74ALS1004 quarz Quarzoszillator C-Mos/TTL-kompatibel SN74xx telefunken transistoren TELEFUNKEN Quarzoszillator SN74ALS SN74AS SN74AS1004
Abstract: Elektronik. Wir bauen die Elemente. VflLVO · Professionelle Integrierte Schaltungen , . Vertriebsprogramm: Integrierte Schaltungen Bipolar analog und digital MOS Hybrid Mikroprozessoren und -computer , aus mehr als hundert Technologien bietet. vA lvd 1 Professionelle Integrierte Schaltungen, M , . Interface-Schaltungen Sonderschaltungen. Schaltungen mit , übersichtliche Software - einfachen Anschluß peripherer Schaltungen U n terpro g ra m m Rucksprung -
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FZH 191 FZJ 101 FZH 261 fzh 111 fzh 171 FZH 161 74LS00 MIL-STD-883 54LS00F
Abstract: beinhaltet keine Verbindlich keiten zur Produktion* Gültige Unterlagen für den Bezug von in den Schaltungen , - Transistor Einfaches Labornetzteil Tracking - Regler Symmetrische Spannungsversorgung NP - Schaltungen Signalquellenschalter Klangregelnetzwerk NF - Vorverstärker Rumpelfilter Entzerrer für Kassettengeräte Entzerrer für , damit, Ausgangs ströme bis' IQ = 70 mA einzustellen. Neben der Möglichkeit spezielle Schaltungen zu , am Schaltkreis mit einem Konden sator 0 = 10 . 100 nF gegen Masse abgeblockt werden. 2.3.3 -
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information applikation information applikation mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation applikation heft mikroelektronik DDR VEB mikroelektronik
Abstract: Schaltungen untereinander , mehrerer Integrierter Schaltungen Fig, 9 Inter IC phasing difference /= 50 Hz Ag> ±3° Vordere ,  100 nF \ \ v \ i -
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TFK S 186 P tfk 914 UAA145 UAA 180 TFK 186 P TFK UAA 145
Abstract: B.F. DUODIODE-PENTODE mit veränderlicher Steilheit zur Verwendung als H.F., Z.F. oder N.F , ©sistances Betriebsdaten des Pentodenteiles als N.F. Verstärker mit Widerstandskopplung This valve can be , verwendet werden in Schaltungen die für eine Eingangsspannung V^ S 25 mV eine Leistung von 50 mW der , Pentodenteiles als N.F. Verstärker mit Widerstandakopplung â'žâ'ž. _ u,U'fir +1fc This valve can be used , werden in Schaltungen die für eine Eingangsspannung V^ S 25 mV eine Leistung von 50 mW der Endröhra -
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UBF80 J 3305-2 7R03644 FR02S4S 7R02646 7R02647 7R0269S
Abstract: Klaus K. Streng Analoge Integrierte Schaltungen von T E SL A electrónica · Band 142 Klaus K. Streng Analoge Integrierte Schaltungen von TESLA MILITÄRVERLAG DER DEUTSCHEN DEMOKRATISCHEN , . Was sind Integrierte Schaltungen ? . Vorläufer der Analogen IS von TESLA , Allgemeines Aber Operationsverstärker. Integrierte Schaltungen , . Messungen an Integrierten Schaltungen. 98 81 85 88 90 93 96 Vergleichsliste von -
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maa 502 Tesla katalog Halbleiterbauelemente DDR TAA 141 transistor vergleichsliste maa 503
Abstract: integrierte Schaltungen sind charakte ristisch für eine zeitgemäße Schaltungsteohnik. HERAUSGEBER: VEB IN D U , 1 100 kOhm kOhm Ohm kOhm nF yuF R R R R C C 142 von 13 0 von 146 von 128 von 1 3 1 von in 220 kOhm in 120 kOhm in 270 Ohm in Foliekondensator 100 nF in Widerstand 220 Ohm i(200/uF) in 50 /uF , Reihe von Schaltungen zur Entstörung von Pha senanschnitt-Thyristors teuerungen. 75/657 Film 1f 482 + -
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service-mitteilungen DDR Schaltkreise elektronik DDR Stern Radio robotron sensomat 3000 1/111/T III/18/379
Abstract: Verbindlich keiten zur Produktion« Gültige Unterlagen für den Bezug von io den Schaltungen be schriebenen , Lasten Induktive Lasten Leitungen Einsatzschaltungen Grund schaltungen Logische Grundschaltungen , 56 56 56 65 70 73 80 84 86 *>.2. 4.2.1 4.2.2 4.2.3 4.2.4 4.2.5 Komplexe Schaltungen Interface , Schaltungen sind für eine ln Steuerund Begelungaanlagen übliche Betriebsspannung von Ug * 24 V ausgelegt. Im , vergrößert «erden. 2.4. Logische Funktion und Anschlußbelegung Die integrierten Schaltungen sind in -
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E412D mikroelektronik Heft mikroelektronik Heft 12 aktive elektronische bauelemente ddr
Abstract: für Y und -Schaltungen · · · · courants de service entre 4 et 25A bonne atténuation jusqu'à , Phase connections Cx uF Cy nF 0.33 0.47 2.2 2.2 2.2 15 15 15 0.01 0.01 1 1 - 0.33 2.2 1.5 33 1.5 Weight Cy1 R nF M kg /01 /01 /05 /05 /05 /03 0.225 0.38 -
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FN 354 300MH 440VAC 2000VAC 1100VDC 1700VAC
Abstract: -Schaltungen courants de service entre 4 et 25A bonne atténuation jusqu'à 300MHz connexions pour trois phases , 30.0 L mH 0.3 0.5 0.08 3 1.4 L1 uH 4 4 1700 100 60 Cx uF 0.33 0.47 2.2 2.2 2.2 Cy nF 15 15 15 0.01 0.01 Cy1 nF 2.2 33 R M 1 1 0.33 1.5 1.5 Phase connections Weight kg /05 /05 Schaffner
Original
Abstract: High-attenuation filter FN 354 · · · · 4 to 25A current ratings High attenuation up to 300MHz Three phases + neutral + earth connections Suitable for Y and networks · · · · Nennströme von 4 bis 25A Hohe Dämpfung bis 300MHz Anschlüsse für drei Phasen, Nullleiter und Masse Geeignet für Y und -Schaltungen · · · · Courants de service entre 4 et 25A Bonne atténuation , uF Cy nF Cy1 nF 2.5 4.0 10.0 18.0 30.0 0.3 0.5 0.08 3 1.4 4 4 1700 100 Schaffner
Original
Abstract: -Schaltungen courants de service entre 4 et 25A bonne atténuation jusqu'à 300MHz connexions pour trois phases , 30.0 L mH 0.3 0.5 0.08 3 1.4 L1 uH 4 4 1700 100 60 Cx uF 0.33 0.47 2.2 2.2 2.2 Cy nF 15 15 15 0.01 0.01 Cy1 nF 2.2 33 R M 1 1 0.33 1.5 1.5 Phase connections Weight kg /05 /05 Schaffner
Original
Abstract: Bauform CN 0,10 nF 0,15 nF 0,22 nF 0,33 nF 0,47 nF 0,68 nF 1,0 nF 1,5 nF 2,2 nF 3,3 nF 4,7 nF 6,8 nF 10 nF 15 nF 22 nF B 33 529 250 V­ 400 V­ Siemens Matsushita Components 63 V­ 100 V­ 5.95 630 V­ 3 KP 5 Bestellnummern und Verpackungseinheiten B 33 529 UN (Ueff) CN 0,10 nF 63 V­ (40 V~, 0,15 nF f 300 kHz) 0,22 nF 0,33 nF 0,47 nF 0,68 nF 1,0 nF 1,5 nF 2,2 nF 3,3 nF 4,7 nF 6,8 nF 10 nF 15 nF 22 nF 100 V­ 0,10 nF (63 V~, 0,15 nF f 300 kHz) 0,22 nF 0,33 nF 0,47 nF 0,68 nF Siemens Matsushita Components
Original
KP 1500 H Datenbuch Siemens Datenbuch D-81617
Abstract: ITT INTER METALL Halbleiterwerk der Deutsche ITT Industries GmbH D-78 Freiburg Hans-Bunte-StraÃe 19 Postfach 840 Telefon (0761) *5171 Telex 07-72716 Integrierte Schaltungen für die Konsumelektronik Datenbuch 1975/76 UAA1001 Daten für Entwicklungsmuster Sensor-Lichlschalter-IC Monolithisch , Steuerkondensator (22 nF) und dem Eingang des Schmitt-Triggers zugeführt. Der F-Eingang ist spannungsgesteuert. Ist , -Hz-Periode mA mA mA nF nF ms / -
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INTER METALL ITT Industries sensor ITT Diac UAA 1001 ITT Schaltung halbleiterwerk
Abstract: beinhaltet keine Verbindlich keiten zur Produktion. Gültige Unterlagen für den Bezug von in den Schaltungen , spannungsgesteuerten Eingang und einen Stromausgang (Kollektor T20) besitzt, ist eine Dimensionierung von Schaltungen , Störungen mit einem Kondensator von 10.1CO nF gegen Maase abgeblockt werden. Die Abblockung sollte , ZF-Endstufe) Alle HF-Abbloakkondineatoren sollten 100 nF betragen Sei Betrieb mit Ferritantenne ist auf eine , Feltfstärkeanzeige (S-Meter) - niederohmige Ausgänge für NF und ZS* - unkritische Beschaltung 39 o Bild -
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Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 Rema Toccata meuselwitz Kombinat VEB A 281
Abstract: ITT INTER METALL Halbleiterwerk der Deutsche ITT Industries GmbH D-78 Freiburg Hans-Bunte-StraÃe 19 Postfach 840 Telefon (0761) *51 71 Telex 07-72716 Integrierte Schaltungen für die Konsumelektronik Datenbuch 1975/76 UAA1001 Daten für Entwicklungsmuster Sensor-Lichtschalter-IC Monolithisch , Steuerkondensator (22 nF) und dem Eingang des Schmitt-Triggers zugeführt. Der F-Eingang ist spannungsgesteuert. Ist , -
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AB Elektronik Potentiometer diac itt Integrierte Schaltungen
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