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VEB Halbleiterbauelemente

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k 3918 TRANSISTOR

Abstract: service-mitteilungen SERVICE-MITTEILUNGEN VEB INDUSTRIEVERTRIEB RU N D F U N K UND FERNSE HE N IRilairi i r a d i o , Heimkombination "PROMINENT DUO" vom VEB Stern-Radio Son neberg, deren Produktion ebenfalls 1974- anläuft, sind , N F O R M A T I O N E N für die Ersatzteilversorgung Schalterknöpfe für Fernsehempfänger des VEB , Ringe und. Gewindestifte in klei nen Stückzahlen vom VEB FSGW Staßfurt zur Verfügung gestellt und können beim zuständigen Ersatzteilhandel bestellt werden. Mitteilung aus dem VEB Stern-Radio Sonneberg
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service-mitteilungen

Abstract: C-951 M M IR a d io - Television I OKTOBER 1984 A 9 SEITE 1-4 Mitteilung aus dem VEB , 43096 (z.Z. Entwurf) in den SERVICE-MITTEILUNGEN bekannt ge macht. Der VEB WF Berlin übernimmt ab , Service-Absicherung bis zum Auslaufen der ET-Haltepflicht. + Mitteilung aus dem VEB RFT Industrievertrieb Leipzig , pF auf 470.510 pF abzuändern und Zeilenfrequenz gemäß Serviceanleitung nachzustellen. VEB IN D U S , HERAUS GEBER Seite 2, 9/84 Mitteilung aus dem VEB RET Industrievertrieb R.u.F. Leipzig
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Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: Transistoren DDR ^ veb Halbleiterwerk frankfurt/oder leitbetrieb im veb kombinat mikraelektronik VEB G L E IC , nachstehende Anschriften zu richten: DDR-Interessenten: VEB Gleichrichterwerk Stahnsdorf 1533 Stahnsdorf Ruhlsdorfer Weg v Interessenten im Ausland : VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder Leitbetrieb im VEB , Übergang vom Gehäuse zur Kühleinrichtung kann Siliconfett (z. B. Typ HP 12 vom VEB Chemiewerk NüncUritz , Halbleiterbauelemente müssen beim Einlöten in die Schal tung gegen thermische Überlastung geschützt werden. Es em
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keramische Werke Hermsdorf

Abstract: OA741 erhältlich. Weitere Halbleiter-Bauelemente werden hergestellt: Fotodioden vom VEB Carl Zeiss Jena Halbleiter-Widerstände vom VEB Keramische Werke, Hermsdorf (Thür.) < $ > VEB Werk für Fernsehelektronik Ä n d e , HalbleiterBauelemente Dioden Germanium dioden max. zuläss. Sperr spannung UKAma* IVI jEä max. zuass. Durchlaß strom ^AKmax !mAl Type Durchlaß spannung U a k IVI Durchlaß strom lA K l m A l Sperr spannung U k a |V| Sperrstrom IKA li'AI Bau form Verwendungszweck bei ta = 25° C -5
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Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: mikroelektronik Heft 12 Anwendungshinweise, Einbau- und Lötvor schriften für Halbleiterbauelemente des VEB Mikroelek tronik "Karl Liebknecht , Anschriften zu richten: \ DDR-Interessenten: VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf Ruhlsdorfer Weg Stahnsdorf 1 5 3'3 Interessenten aua dem Ausland: VEB Halbleiterwerk Prankfurt/Cder Betrieb im VEB Kombinat Mikroelek tronik Außenstelle Leipzig Werben und Messen Messegelände, Halle 17, II , lithischen oder hybrid integrierten Darlington- sowie dis kreten Darlingtontransistoren zu wählen. Der VEB
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Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: sy 170 Bauelemente-Sortiment der DDR -Teil 1: Dioden- VEB GLEICHRICHTERWERK STAHNSDORF im VEB Kombinat Mikroelektronik DDR , Weinbergstraße 20 - Tel.: 2 2195 Interessenten im Ausland: VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) Leitbetrieb im VEB , Übergangsstelle wird die Anwen dung von Silikonfett (z. B. Typ NP 12 vom VEB Chemiewerk Nünchritz) empfohlen , Erzeugnisstandards der Dioden und Kühlkörper Halbleiterbauelemente i Begriffe'-für Halbleiterdioden Halbleiterbauelemente Kurzzeichen der Halbleitertechnik Halbleiterdioden / siehe Text TG1 200-8161/01 TGL 200-8200
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information applikation mikroelektronik

Abstract: VEB mikroelektronik 1 Heft 13 VEB HALBLEITERWERK FRANKFURT/O. LEITBETRIEB IM VEB KOM BINAT M I K R O E L E K T R , Mikraelektronik-Leistungselektronik f 3 4 5 11 Halbleiterbauelemente der Leistungaelektronik - Übersicht ' Wesentliche , , bitten wir an nachstehende Anschiiften zurichten: DDB-Interessenten: , * . : '* . » / VEB , : VEB Halbleiterwerk Frankfurt(Oder) Leitbetrieb im · VEB Kombinat * " · .x- f Mikroelektronik , der leistungselektroni schen Halbleiterbauelemente in einer schematischen Über sicht dargestellt. Die
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4011 BP TOSHIBA

Abstract: VEB mikroelektronik 0 01 D .V 4 01 1 D , V 4 0 1 2 D , V 4 0 2 3 D und V 4 0 3 0 D veb mikroelektronik > karl marx , wird keine Gewähr übernommen. Anfragen und Hinweise zu technischen Problemen sind zu richten an veb , Halbleiterbauelemente und integrierte Halbleiterschaltkreise TGL 29 268 Integrierte Halbleiterschaltkreise / Kurzzeichen
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Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: VEB mikroelektronik Information Applikation F ïn ] o (i= 3 rn (s]eiel-ctenoriil-c Information Applikation H E F T 56 : Verhalten von Elektronischen Baueleaenten bei E S D (Electrostatic discharge) -Physikalische Grundlagen-Wi^kungen-Maßnahmen zum Schutz vor ESD- veb halbJoiterwork fronkfurt /oderb e t r ie b im v e b k o m b in a t m ik , technischen Fortschritt dienen, behält sich der Halbleiterbauelemente - Hersteller vor. Für die Patentfreiheit , Interessenten im Ausland: VEB Halbleiterwerk Frankfurt(Oder) Betrieb im VEB Kombinat Mikroelektronik
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Datenbuch

Abstract: Raupenhaus I I i n electronic Hinweis: Die Daten von Dioden und Transistoren aus dieser Unterlage sind bereits in anderen Datenbüchern des Raupenhauses enthalten. Deshalb wurde aus diesem Buch nur der Teil "Halbleiter-Widerstände" entnommen. Halbleiter-Bauelemente HALBLEITERBAUELEMENTE V E B H A L B L E IT E R W E R K F R A N K F U R T (O D E R ) 12 Frankfurt (O der) - Markendorf , Halbleiter-Widerstände Im VEB Keramische W erke Hermsdorf werden folgende Arten von H albleiterw iderständen gefertigt
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Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: information applikation bat e r iabkn veb kombinat mikroelektrontk Vorslond des B e i i r k i v e r b o n d e i F r a n k f u , Das Q u a l i t à tssicherungssystem in VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) Aufgaben und Organisation , DDR den Erzeugnissen international führender Her steller gleichwertig sind. Dem VEB Halbleiterwerk , "Betrieb der ausgezeichneten Qualitätsarbeit" verliehen. . ) Der VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder verfügt , Qualität und Zuverlässigkeit Im Handbuch "Qualitätssicherung und Standardisierung", VEB Verlag 'Die
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Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: aktive elektronische bauelemente ddr KOMBINAT VEB FUNKWERK ERFURT V o r w o r t Mit der vorliegenden Sohrift "MOS-Feldeffekttransistoren Applikationsbel3pielen setzen wir unsere Reihe der Informationsschriften Uber die Halbleiterbauelemente des Kombinats VEB , effekttransistoren und Halbleiterdioden des Kombinates VEB Funkwerk Erfurt eingesetzt sind, wollen wir den , " enthalten. Beim Umgang mit den MOS-Feldeffekttransistoren sind unbe dingt die vom Kombinat VEB Funkwerk , Schalter gelegt werden (zweiter Kontaktsatz KOMBINAT VEB FUNKWERK ERFURT DDR-501 Erfurt, R udolfstraße
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Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr SMY50 smy 51 Transistoren DDR information applikation

k3882

Abstract: TAA 981 [ n r D D lk D ^ i^ B lB k f a n a n ilK Halbleiter-Bauelemente Kurzinformation D ie M ik ro , ro fil d e r VEB K o m b in a t M ik ro e le k tro n ik R e chn ung . J a h rz e h n te la n g e T , rd n u n g g e k e n n z e ic h n e t: HFO VEB H a lb le ite rw e rk F ra n k fu rt (O d e r) L e itb e trie b im VEB K o m b in a t M ik ro e le k tro n ik VEB G le ic h ric h te rw e rk S ta h n s d o rf im VEB K o m b in a t M ik ro e le k tro n ik VEB G le ic h ric h te rw e rk G ro ß rä sch
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k3882 TAA 981 E25C5 TC8066PB sn 8400 sn 8408

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: GAZ17 eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die , Neuentwicklungen In Entwicklung HFO Kombinat VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) Stammbetrieb VEB Gleichrichterwerk Großräschen Betrieb im Kombinat VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) VEB Gleichrichterwerk Stahnsdorf Betrieb im Kombinat VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) VEB Röhrenwerk Anna Seghers Neuhaus Betrieb im Kombinat VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) Kombinat VEB Funkwerk Erfurt VEB Röhrenwerk
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GAZ17 diode sy-250 sal41 diode sy-170 SF 127 DOR102

information applikation

Abstract: information applikation mikroelektronik veb Halbleiterwerk frankfurt/oder batrSob im veb kcm binat mikroolaktronik Es K A M M E R DER , ausgewählten Erzeugnissen der Halbleiterbauelemente - Industrie der. Deutschen Demokratischen Republik. Sie , Halbleiterbauelemente - Hersteller vor. Für die Patentfreiheit der angegebenen Schaltungsvorschläge wird kei;i , ) 1200 Frankfurt(Oder) Ebertusstrafie 2 Interessenten i a Ausland; VEB Halbleiterwerk Frankfurt(Oder) Betrieb im VEB Kombinat Mikroelektronik Außenstelle Leipzig Werbung und Messen DDR 7010 Leipzig
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information applikation mikroelektronik a2030h mikroelektronik applikation A2030 VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation

kt829a

Abstract: VEB mikroelektronik eine Lose-Blatt-Sammlung und wird regelmäßig ergänzt und aktuali siert. Sie wird im Auftrag des VEB Kombinat Mikroelektronik unter Mitwirkung der jeweiligen Bauelemente-Hersteller durch den VEB , Abonnement oder in Einzelausgaben bestellt werden bei VEB Applikationszentrum Elektronik Berlin Abteilung DA , Tranzistory tipa KT 829 A . G, Techniceskije uslovija 336.292 TU (Halbleiterbauelemente Transistoren der , 3 8 7 .S U 388 Hersteller: um («> VEB Mikroelektronik ,Karl Liebknecht" Stahnsdorf
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kt829a Datenblattsammlung mikroelektronik datenblattsammlung B4207D mikroelektronik DDR

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: MAA 436 TESLA INTEGRIERTE SCHALTUNGEN MIKROELEKTRONIK HEFT 6 veb Halbleiterwerk frankfurt (oder) leitbetrieb im veb kombinat mikroelektronik Autor Redaktionelle Bearbeitung und Layout Umschlag : Ing. Gerd , ) Sbertusstraße Z Interessenten im Ausland: y¿;3 Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) Leitbetrieb im VEB Kombinat , . Hinweis: Seite 6 ist ein leeres Blatt 1,0. Vorwort Der VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder wurde , Betriebe ^ VEB VEB VEB VEB Gleichrichterwerk Großräschen Röhrenwerk Neuhaus Gleichrichterwerk Stahnsdorf
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MAA 436 TESLA Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 IL709M mikroelektronik Heft MAA725 K553UD1A

VEB mikroelektronik

Abstract: Mikroelektronik Information Applikation Leistungsschalttransistoren VEB MIKROELEKTRONIK ,VARLIIE8KNECHT"57AHNSDORP im VEB K o m b in o t M i k ro e le k tr o n , : DDR-Interessenten: VEB Gleichrichterwerk Stahnsdorf '15'H Stahnsdorf Euhlsdorfer Weg Interessenten im Ausland: VEB Halbleiterwerk Prankfurt(Oder) im VEB Kombinat Mikroelektronik Außenstelle Leipzig Werbung und , sind, Vorbehalten» Spezielle Anfragen sind zu richten an ; VEB Mikroelektronik " Karl Liebknecht " Stahnsdorf im VEB Kombinat Mikroelektronik DDR - 1533 Stahnsdorf Euhlsdorfer Weg {Telefon ; 680 ¡Telex
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mikroelektronik Heft 12 applikation heft elektronik DDR SU 179

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: BEL 639 transistor , in denen ebenfalls schon seit Jahren von Kolle gen des VEB Elektronikhandel Berlin und des Kombinat VEB Halbleiter werk Frankfurt/O. sowjetische Halbleiterbauelemente vorgestellt werden. Aber nach , Resultat enger Zusammen arbeit zwischen dem VEB Elektronikhandel Berlin und der Redaktion der Zeitschrift , DDR genau einen Katalog sowje tischer Halbleiterbauelemente gab, der - wie konnte es anders sein , Kataloge des VEB Elektronikhandel Berlin, es gibt Kataloge der sowjetischen Handelsvertretung, und wir sind
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BEL 639 transistor Sowjetische Halbleiter-Bauelemente KBC111 k4213 Germanium Transistor katalog radio fernsehen elektronik

T112-16

Abstract: Halbleiterbauelemente DDR Halbleiterbauelemente des in den Listen elektronischer Bauelemente ©ingestuften Sortimente© Aus den Datenblättern können , VEB Applikationszentrum Elektronik. Berlin Abt. AV Mainser Str® 25 Die Herausgabe der Datenblattsammlung erfolgt im Aufträge des YEB Kombinat Mikroelektronik durch den VEB Applikationszentrum Elektronik , © iö3f'ia7 (Mikroplan filft-Nr*-*-. EO -004 231-? beziehbar" vom -VEB ä e b . . Abt« A V t ; 1035 .Berlin , , TESLA LanSkroun« S® 103* 105 . . . . (Mikroplanflln-Nivs EO 004 231 1 beziehbar vo® VEB AEB Abt© AV 1035
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T112-16 Tesla katalog tesla schaltkreise mikroelektronik RFT rft katalog TESLA NU 73 DDR-1035
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