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SU 179 Datasheet

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SU 179

Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags
Abstract: _ SS 201 SS 202 SS216 SS 218 SS 219 , SSY20 SUU1 SU 160 SU 161 SU 165 SU 167 SU 169 SU 178 SU 179 SU 180 SU 186 L SU 188 L SU 189 SU 190 SU 310 SU311 SU 312 SU 377 SU 378 SU 379 SU 380 SU 382 SU 383 SU 384 SU 508 SU 509 SU 510 SU 518 SU 519 SU 520 Seite 67 67 68 68 68 70 71 72 74 75 77 77 78 78 80 81 -
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SF126 SD349 transistor SD335 SF829 SD 338 SF826 LSV3539
Abstract: 140 - 5 - SSE 219 npn S (SMD) 150 20 15 100 140 - 5 (BSV 52) SSY20 npn S 700 60 40 600 - - 2 BSY34 SU 111 npn L (Darl.) (120) 450 400 (10) - - 7 BU 921 SU 160 npn L-S (12,5) - 700 (5) 22 - 7 BU 208 SU 161 npn L-S (10) - 350 (2,5) >2 - 7 BU 205 SU 165 npn L-S (10) - 350 (2,5) >2 - 7 BU 126 SU 167 npn L-S (100) 800 325 (10) - - 7 BU 326/BUX 80 SU 169 npn L-S (100) 1000 400 (10) - - 7 BU 526/BUX 81 SU 177 npn L-S (50) 800 400 (4) - - 7 BUX46 SU 178 npn L-S (60) 800 400 (6) - - 7 BUX 82 SU 179 npn L-S (60 -
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SF828 funkamateur BUX 127 VEB mikroelektronik SF 127 SF 829 B 847/BCX BC848/BCW31 849/BCF BC857/BCW69 BC858/BCW29 859/BCF
Abstract: , (W)] UCB0 [V] UCE0 [V] IC, ICsat* [mA, (A)] fT2 [MHz] F bei (f)3 [dB (MHz] SU 169 npn L-S (100) 1000 400 (10) 6 SU 177 npn L-S (50) 800 400 (4) 6 SU 178 npn L-S (60) 800 400 (6) 6 SU 179 npn L-S (60) 1000 450 (6) 6 SU 180 npn L (35) 1200 400 (2,5) 6 SU 186 npn , 201 SS 202 SS 216 SS 218 SS 219 SSE 200 SSE 201 SSE 202 SSE 216 SSE 219 SSY 20 SU 111 SU 160 SU 161 SU 165 SU 167 RFT npn npn pnp pnp pnp pnp npn npn npn npn npn npn npn -
Original
sf 818 d NPN 337 sf 819 d SMD NF sf 118 d sd 339
Abstract: Schaltnetzteilp in Hori SU 161 S U 16? SU 167/ ·169 S U 178/ 179 SU 180 S U 189/ 190 SD 168 S U 378 , R J C E O U j S B J E f l O m k 8,0 SU 178/179 Si-npn-Leistungsschalttransistorfür , : Garantiewert für I^/Ig = 8 A/2,5 A = 3,2 .Anmerkung: Für den Transistor SU 169 wird UCEgat i 3,3 V bei 1^ = , Informa tionsblatt zum Erzeugnisstandard für den SU 169 UQgs a 1 ; - 1,5 V bei Iq = 5 A, lg = 1 A zu , RBSOA für den Transistor SU 169. Er gilt nur bei Einhaltung der Bedingungen I^/Ig und -Ig/Ig. 1^ und lg -
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mikroelektronik Heft 12 Mikroelektronik Information Applikation Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR 57AHNSDORP
Abstract: -103§ Boriin, Mainzer Straß* 28 Telefon: 5 80 05 21, Tdex: 0112881 0113086 L ,J l if W iTM :! SU 178,179 , Grenzwerte, gültig für den Betriebstemperäturbereick Kollektor-Basis-Spannung SU 178 UcBO UcEO SU 179 Ie , A s lg = 0 f 5 A| )1 SU 178 )2 SU 179 " I « s 1 .0 A 3 U cEsat 1,5 1,4 V \/ ; U ß Esat , : Transistor SU 178 Transistor SU 179 Änderungen Vorbehalten! B E - lr , SU 178i 137 82 14 106 178G06 SU , IraEsiatorea . 178/ 17? ' ' . S , i " npn - LeistUÄgseehalttraoBistor Integrierte Sohaltkreise . -
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diode BZW 70-20 Datenblattsammlung mikroelektronik applikation mikroelektronik datenblattsammlung aktive elektronische bauelemente ddr information applikation mikroelektronik C6550 V4019 DDR-1035
Abstract: Leistungsschalttransistoren Leistungsschalttransistor SU 160 Leistungsschalttransistor SU 16 1 Leistungsschalttransistor SU 165 Leistungsschalttransistoren SU 167/169 Leistungsschalttransistoren SU 178/179 Leistungsschalttransistor SU 180 Leistungstransistor SD 168 Leistungstransistoren SD 600.602 Leistungstransistor SD 802 , Basisspitzenstrom (beim Abschalten; GesamtVerlustleistung bei ^ = 25 °c UCB0 V 800 SU 179 1000 U CE0 V 400 , Abfallzeit des Kollektorstromes (gilt nur für SU 160/161) Die Basisinduktivität Lg ist so einzustellen, daß -
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Transistoren DDR Kombinat VEB A 281 mikroelektronik Heft applikation heft Kombinat VEB A 301
Abstract: weiterentwiekelte Bauelemente sowie ausgewählte Importbauelemente" KAS 21/40 KAS 21/75 KAS 3 1 2= Transistoren SU 191 ' SU 192 SU 193 3. Integrierte Schaltkreise U U U U 1159 4541 6264 6548 30 DG/SG DG DC , Telefon: 5 80 05 21, Te le x: 011 2981 011 3055 . % f SU 191, SU 192, SU 193 Hersteller: 1 /8 , 10 20 15 10 25 20 15 30 25 20 Einheit V V `V (SU 191) (SU 192) (SU 193) : > V V V `V A A A A A A A A A A A k Bemerkung UBE = "2 V UCER üCEO Rbe = 1 0 Ohm . IB - 0 . (SU 191) (SU 19 -
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UEI 20 SP 010 UEI 15 SP 020 B 325 Dd datenbuch 64-KB 256-KB 086/11/B9
Abstract: 1A 9191 1.79 g / 063 oz. 21 1023-C50-2-2/113 â'¢ 6 48 568 U4 (K 02 2 5 2 D) SU C , 3.0 6/. 120 A SUHNER® 1.0/2.3 179 1.0 / 2.3 179 179 179 180 182 183 Interface , 52 D) SU C O PLA T E' 1A 9191 1.83 g/'.Q64 oz. SUHNER TYPE Ident. no. Cable , oz. 16 1023-C 50-2-2/113 â'¢ 648 565 U4 (K 022 52 D) SU C O PLA TE1* - A 9199 , 182 assembly tools see page 403 SUHNER® 1.0/2.3 mounting holes see page 441 SU H N ER -
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1O23-C50-2-3/111 1023-C50-2-3/113 1023-C50-0-2
Abstract: 220 230 240 250 260 270 280 290 300 310 320 330 340 350 360 370 380 390 400 410 420 430 Su IS iil , 0.948 0.949 0.949 0.949 0.950 0.950 0.950 < l> -176 -178 -178 -179 -179 -179 -180 -180 180 180 179 179 179 179 179 179 178 178 178 178 177 177 177 177 177 176 176 176 176 175 175 175 175 175 174 174 174 , 0.962 0.971 0.948 S22 < l> -179 -17 7 179 179 179 179 180 -180 -179 179 180 180 178 179 180 179 180 178 178 178 177 176 178 179 178 177 175 176 178 177 176 176 178 177 175 175 176 177 175 174 176 MRF275L -
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SU 179 transistor RF275L/D
Abstract: 210 220 230 240 250 260 270 280 290 300 310 320 330 340 350 360 370 380 390 400 410 420 Su IS iil , -176 -176 -177 -177 -177 -177 -177 -177 -177 -178 -178 -178 -178 -179 -179 -179 -179 -180 -180 180 180 179 179 179 179 179 178 178 IS2 1 I 6.34 4.32 3.62 3.03 2.76 2.43 2.19 1.89 1.66 1.43 1.25 1.15 1.11 , -178 -17 7 -178 -179 -17 7 -176 -175 -178 -180 -179 -180 179 -180 -178 -178 -178 180 180 178 180 -180 180 180 -180 -179 179 178 MRF275G 10 MOTOROLA RF DEVICE DATA Table 1. Common Source -
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L 0946 Nippon capacitors RF275G/D
Abstract: 420 430 440 Su IS iil 0.801 0.809 0.810 0.808 0.814 0.811 0.811 0.814 0.812 0.816 0.816 0.817 0.821 , -179 -179 -179 -179 -179 -180 -180 180 180 180 179 179 179 179 178 178 178 IS2 1 I 11.90 9.12 7.29 6.22 , -174 -176 -177 -176 -175 -176 -177 -177 -177 -177 -177 -178 -177 -178 -179 -180 -178 -179 -180 -180 179 -180 -179 180 180 179 -180 179 178 178 178 180 178 176 177 178 MOTOROLA RF DEVICE DATA MRF171A 9 , Su IS iil 0.882 0.884 0.886 0.885 0.886 0.887 < l> 177 177 177 176 176 176 IS2 1 I 0.68 0.65 0.62 -
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Mosfet J49 MRF171A equivalent motorola MRF171a motorola transistor 912 PF 0849 B MRF171A/D
Abstract: 300 310 320 330 340 350 360 370 380 390 400 410 420 430 440 Su IS iil 0.879 0.883 0.885 0.885 0.888 , 0.929 0.929 0.930 < l> -170 -173 -174 -175 -176 -177 -178 -178 -179 -179 -179 -180 -180 180 179 179 179 179 179 178 178 178 178 177 177 177 177 176 176 176 176 176 175 175 175 175 175 174 174 174 173 173 , > -17 4 -179 -178 180 179 -179 -179 180 179 -180 -179 -180 180 180 179 179 178 178 178 178 176 176 177 , 480 490 500 Su IS iil 0.932 0.932 0.933 0.931 0.931 0.931 < l> 173 172 172 172 171 171 IS21 I 0.45 -
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RF173/D MRF173
Abstract: 320 330 340 350 360 370 380 390 400 410 420 430 Su IS iil 0.845 0.867 0.876 0.883 0.890 0.899 0.909 , -179 -179 -179 -180 -180 180 180 179 179 179 178 178 178 178 177 177 177 177 176 176 176 176 175 175 , -172 -175 -176 -17 7 -17 7 -176 -176 -17 7 -175 -176 -17 7 -178 -179 -178 -179 180 -179 -178 -17 7 -179 179 179 179 177 177 180 179 179 178 178 176 177 177 176 177 177 179 176 174 174 MOTOROLA RF DEVICE , Su IS iil S 21 < l> 174 174 174 174 174 173 173 IS21 I 0.09 0.09 0.07 0.07 0.07 0.07 0.07 12 13 14 -
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Motorola ic 1036 RF141G/D MRF141G
Abstract: 390 400 410 420 Su IS iil 0.797 0.739 0.749 0.770 0.790 0.800 0.808 0.816 0.816 0.815 0.821 0.828 , -176 -177 -178 -178 -179 -179 -180 180 179 179 178 178 177 177 IS21 I 12.40 9.06 6.84 6.06 5.40 4.60 , -169 -171 -171 -171 -173 -17 4 -173 -172 -173 -17 4 -175 -175 -175 -175 -176 -179 -17 4 -176 -176 -175 , (V qs = 24 V, I q = 0.4 A) continued f MHz 430 440 450 460 470 480 490 500 600 700 800 900 1000 Su , 0.984 0.987 0.976 0.968 0.987 1.002 1.013 0.993 0.981 0.949 0.982 S22 < l> -179 -179 -178 178 179 179 -
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MRF177/D MRF177
Abstract: (Vos = 28 V, Iq = 5 A) f MHz Su S2i < l> -177 -178 -178 -178 -179 -179 -179 -180 -180 180 180 179 , 260 270 280 290 300 310 320 330 340 350 360 370 380 390 400 410 420 430 440 Su IS iil 0.916 0.919 , 0.970 0.970 0.970 0.971 0.970 0.970 S 21 S 12 S22 < l> -177 -178 -178 -179 -179 -179 -180 -180 180 180 179 179 179 179 178 178 178 177 177 178 177 177 176 176 176 176 175 175 175 175 174 174 174 174 , 0.965 0.982 0.956 0.912 0.933 < l> -17 7 178 -180 179 179 180 180 178 177 180 -180 179 177 178 178 -
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MRF141 RF141/D
Abstract: -141 -148 -152 -158 -160 -160 -165 -170 -174 -178 -179 -179 175 171 169 163 IS iil 0.013 0.014 0.015 , 0.447 0.447 0.449 0.449 S22 ¿ -177 179 174 170 167 164 161 159 156 154 152 150 148 146 144 142 141 , 2.20 2.25 2.30 2.35 2.40 2.45 2.50 Su IS ,il 0.752 0.699 0.662 0.643 0.628 0.616 0.607 0.598 0.590 , -174 -178 -179 -179 175 171 169 164 ISi2l 0.013 0.014 0.014 0.016 0.016 0.017 0.017 0.019 0.019 0.020 , 179 174 170 167 164 161 159 157 154 153 150 148 147 144 142 141 139 137 135 133 MOTOROLA WIRELESS -
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MRFIC1805R2 M1805 MRFIC1805 94BC-03 TSSOP-16 IS21I
Abstract: S-Parameters (V qs = 13-5 V) Id = 1.0 A f MHz Su IS iil 0.933 0.922 0.892 0.877 0.870 0.863 0.860 0.860 , -166 -168 -169 -170 -173 -175 -176 -177 -177 -178 -179 -180 180 179 179 177 177 176 175 174 173 173 172 , -179 -180 180 179 178 177 177 176 175 174 174 173 20 30 40 50 60 70 80 90 100 150 200 250 300 350 , 800 850 900 950 1000 1050 1100 1150 1200 1250 1300 1350 1400 1450 1500 Su IS iil 0.964 0.949 0.909 , -121 -134 -142 -148 -152 -156 -158 -160 -166 -169 -171 -173 -174 -175 -176 -177 -178 -179 -180 179 178 -
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RF182/D MRF182S MRF182
Abstract: . Für SMD- und Hybridtechnik SSY 20 BSY 34 Si-npn-Planar-Epitaxie-Typ für die EDV-Technik SU 111 BU 921 Si-npn-Darlingtontransistor SU 160 BU 208/208 A Si-npn-Leistungsschalttransistor SU 161 BU 205 Si-npn-Leistungsschalttransistor SU 165 BU 126 Si-npn-Leistungsschalttransistor SU 167 BU 326 Si-npn-Leistungsschalttransistoren BUX80 für Schaltnetzteile und Motorsteuerung BUY69C SU 169 BU 526/626A Si-npn-Leistungsschalttransistoren BUX81 für Schaltnetzteile und Motorsteuerung BUY69A SU 177/178/179 BUX 46/82/83 -
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vergleichsliste TELEFUNKEN bux 127 vergleichsliste DDR sf 369 SD 336 SCE237 SCE238 SCE239 SCE308 BSY51 BSY53
Abstract: 1.55 1.60 1.65 1.70 1.75 1.80 1.85 1.90 1.95 2.00 2.05 2.10 2.15 2.20 2.25 2.30 2.35 2.40 2.45 2.50 Su , -174 -178 -179 -179 175 171 169 163 S 21 ISl2l 0.013 0.014 0.015 0.015 0.016 0.017 0.018 0.018 0.019 , -177 179 174 170 167 164 161 159 156 154 152 150 148 146 144 142 141 139 137 136 134 M OTOROLA R F , 0.454 Su Z* -75 -75 -75 -74 -74 -74 -7 4 -75 -75 -7 7 -78 -79 -81 -82 - 84 -86 -88 -90 -93 -95 -97 , 4.45 4.17 S21 Z(|> -104 -114 -124 -132 -135 -141 -148 -152 -157 -159 -159 -164 -170 -173 -178 -179 -179 -
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948C-03 IS22I
Abstract: I0B5QLETE H .P. RED TR[AXIAL RG-180/U,1BOA/U,180B/U 2 195/Ü SU PERSEDED BY 8-227079-2 RG-188/U DOUBLE BRAIDED SU PERSEDED BY 3-227079-0 BELDEN 9240 SU PERSEDED BY 3-227079-0 BELDEN 9248 BELDEN 9240 g 9114 iß-179/U £ 107/U SU PERSEDED BY 2-227079-2 RG-179/U g 107/U RG-179/U £ 107/U BELDEN 0210,AMPHENOL 21-597 £ BELDEN NH SPECIAL SU PERSEDED BY 1-227079-9 BELDEN 0210,AMPHENOL 21-597 8 BELDEN NH SPECIAL BELDEN 0210,AMPHENOL 21-597 & BELDEN NH SPECIAL RG-174/U £ 10B/U SU PERSEDED BY 1-227073-5 RG-174/U £ 1BB/U RG-174/U £ -
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S4 59A S4 62a B9907 RB58 S4 5BA belden 9114 RG-179/U RG-71/U RG-59/U 59B/U RG-62/U
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