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Part Manufacturer Description Datasheet BUY
ISL6227IRZ Intersil Corporation Dual Mobile-Friendly PWM Controller with DDR Option; QFN28, QSOP28; Temp Range: See Datasheet visit Intersil Buy
ISL6539CAZ-T Intersil Corporation Wide Input Range Dual PWM Controller with DDR Option; QSOP28; Temp Range: See Datasheet visit Intersil Buy
ISL6444CAZ-T Intersil Corporation PWM Controller with DDR Memory Option for Gateway Applications; QSOP28; Temp Range: 0° to 70° visit Intersil Buy
ISL6227CAZ-T Intersil Corporation Dual Mobile-Friendly PWM Controller with DDR Option; QFN28, QSOP28; Temp Range: See Datasheet visit Intersil Buy
ISL6227IAZ-T Intersil Corporation Dual Mobile-Friendly PWM Controller with DDR Option; QFN28, QSOP28; Temp Range: See Datasheet visit Intersil Buy
ISL6537ACRZ Intersil Corporation ACPI Regulator/Controller for Dual Channel DDR Memory Systems; QFN28; Temp Range: 0° to 70° visit Intersil Buy

Halbleiter Bauelemente der DDR

Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

service-mitteilungen

Abstract: servicemitteilungen kurzzeitigem Erwärmen der verdächtigen Bauelemente. Dabei zeigt sich der Fehler meist sofort. Beide Vorschläge , Verfügung gestellt wurden. Zusätzlich werden wir derartige Schlüssel in der DDR fertigen. Spezialwerkstätten , - ein Kleinstempfänger aus Sonneberg Mit Beginn des III. Quartales 1973 wird der Handel den neuen , Antenne Halbleiter Stromversorgung Gehäuse Abmessungen Gewicht MW, KW mit Schiebetaste wählbar 3 fest, 2 , . 3/73_ Die aktuelle Neuerung Neuerervorschlagt Eingereicht vom Senkurfg der Ausfallquote des
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transistor gt 322

Abstract: FM -piezofilter . Wir bitten um entsprechende Beachtung. A b s c h r i f t Ausstellendes Organ Ministerrat der DDR , verschaltet, verstimmt oder in anderer Form verändert sind oder die nicht im Handelssortiment der DDR geführt , der mittleren Preisklasse wird um das Modell R 200-30 bzw. "Stern-Dynamic 2030" erweitert. Der Chas sisaufbau, der Tuner und der NF-Teil entsprechen dem des bewähr ten "Stern-Dynamic II". Technische Daten , « Batterie 9 Volt Netz 220 Volt Halbleiter« Transistoren 9 Dioden 11 Selengleichrichter 5 Anschlüsse« TA/TB
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Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: information applikation DDR. Das hohe Qualitätsniveau der Erzeugnisse wird u. a. durch die sehr niedrige Reklamationsquote von , Qualitätskontrolle auf der Grundlage der "Verordnung über das Meßwesen" erschienen im Gesetzblatt der DDR Teil 1, Nr , interessierten Technik e r s im In- und A u s l a n d zu Fragen der Qualität und Zuverlä s s i g k e i t von Erzeugnissen der HalbleiterbauelementeIndustrie der Deutschen Demokratischen Republik. Sie gibt keine Auskunft , richten : DDR-Int e r e s s e n te n : Kammer der Technik Be zirksvorstand Frankfurt 1200
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VEB Keramische Werke

Abstract: keramische Werke Hermsdorf Maße mit der Automatisierung der Industrie auftreten, die Eigenschaften der Halbleiter in jedem , ,keramische" Halbleiter bezeichneten Bauelemente sind in jedem Fade kompliziert zusammengesetzte , Der erste große Buchstabe kennzeichnet die Klassenzugehörigkeit der Halbleiter. Somit gilt: T - , H E R M S D O R F ·H E R M S D O R F / T H Ü R I N G E N DDR Drahtwort: Kaweha Hermsdorfthür Fernsprecher: Hermsdorf, Sa.-Nr.411 und 501 Telex: 058 246 Einleitung Der vorliegende Katalog löst alle
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Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: information applikation " Informations- und Applikationsheft 18 N Bauelemente der Leistungselektronik 3 Leistungstransistoren DDR , ErïrûDEko^^elel-cbnanikc Information Applikation BAUELEMENTE DER I LEISTUNGSELEKTRONIK 3 , Fachbereichstandard TGL 32377/01, Bauelemente der Elektronik, Allgemeine Begriffe entnommen. Kenngröße qualitative , . Mögliche Schwanklingen von Spannungen, Veränderungen der Ei genschaften anderer Bauelemente der Schaltung , Bauelemente am Gehäuse mit Zangen oder ähn lichen Werkzeugen ist nicht gestattet. Die Einbaulage der
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Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: MAA 436 TESLA . Auskünfte über Liefermöglichkeiten sind grundsätzlich beim Importeur der Bauelemente einzuholen. Verbindlich , der Bauelemente sind alléin. die vom Importeur im jeweiligen Außenhandelsvertrag verein barten , ist zu bemerken, daß der VEB Halbleiter werk Prankfurt/Oder keinen Mindermengenbedarf des , BAUELEMENTE UDSSR INTEGRIERTE SCHALTUNGEN INFORMATION-APPLIKATION SONDERHEFT IMPORTBAUELEMENTE , . Serie 198/K198 4.5.4. B340/B341 D · » 4-5.5. UL 1111 N 4 .6 . Magnetfeldabhängige Halbleiter' 4.7
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Halbleiterbauelemente DDR MAA 436 TESLA mikroelektronik applikation Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 IL709M MAA725

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: aktive elektronische bauelemente ddr Entladevorgänge und die damit verbundene Gefährdung elektronischer Bauelemente, iie 3 d l helfen, die in der , Schädigungen aufgeführt. Vielfach lassen sich einige Betriebe der DDR durch solche Firmen irritieren, die , elektrostatischen Problemen bei elektronischen Bauelementen in der DDR. · Jeder, d. h. sowohl Schaltkreis-Produzent , elektronischen Bauelemente. Der Abschnitt 6 behandelt die drei prinzipiellen Maßnahmen zum Schutz elektronischer , Schaltungen nicht ausreichend sind, für eine umfassende Sicherheit der elektronischen Bauelemente vor ESD
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aktive elektronische bauelemente ddr information applikation VEB mikroelektronik information applikation mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik DDR

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: sy 170 Bauelemente-Sortiment der DDR -Teil 1: Dioden- VEB GLEICHRICHTERWERK STAHNSDORF im VEB Kombinat Mikroelektronik DDR , Hinweise zu den Einbauvorschriften der Bauelemente und der Wartung angegeben. t ' . ·· . ' , anderer Bauelemente der Schaltung usw. so zu berücksichtigen sind, daß die Grenzwerte während der , voll aus zunutzen. 3. Einbauvorschriftan Beim Einbau der Bauelemente ist darauf zu achten, daß di , Erzeugnisatandards angegebenen Werten. Das Festhalten der Bauelemente am Gehäuse mit Zangen oder ähnlichen Werkzeugen
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sy 170 diode sy-180 diode sy 171 10 diode sy-170 mikroelektronik Heft 12 SY 180

mikroelektronik Heft 12

Abstract: Halbleiterbauelemente DDR - c Information Applikation Bauelemente der Leistungs elektronik SW77 (Bipolare , : BAUELEMENTE DER LEISTUNGSELEKTRONIK (Bipolare) Schalttransistoren 6 vab halbleiterwsrk frankfurfc /odor , hergestellt. Neben der bestens bewährten Dreifach-Diffusion sind das seit einigen Jahren auch Bauelemente mit , aufgeführten Begriffe und ihre Definitionen wurden dem Fachbereichsstandard TGL 32 377/01, Bauelemente der , Schwankungen von Spannungen, Veränderungen der Eigenschaften anderer Bauelemente der Schaltung usw. müssen
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Transistoren DDR mikroelektronik Heft sy 710 applikation heft a4510 T0-220 186L/188L A4100 A4510

b589n

Abstract: B511N Produktion, Gültige Unterlagen für den Bezug der in den Schaltungen * beschriebenen Bauelemente 'sind , den einfachen Aufbau sind die Bauelemente meist sehr billig. ' · Der einfache Aufbau kommt auch öer , , so wird sie durch die Nichtlinesrität be schrieben. Da es in der Praxis keine idealen Bauelemente , keine externen Bauelemente zur Punktion notwendig sind, ist der B511N eine attraktive Alternative für , Zerstörung der Bauelemente füh/en. Tabelle 3 enthält die Betriebsbedingungen, die die iUlitfioit der
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b589n b589 B589nm keramische Werke Hermsdorf

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: information applikation in der DDR vertügbax sind bzw. sein, werden, dargestellt. In den. Bildern 2.2» bis 2.4. sind die , - 17 - Unter den volkswirtschaftlichen Gesichtspunkten der DDR bietet sich die , Zwischenkreis ( Zwischenkreisumrichter ) ausgeführt sein. .^ In der DDR werden gemäß /19/ die Steller von den , Schaltungsentwicklers sowie Interessierten Technikers im In- und Ausland zu speziellen ausgewählten Erzeugnissen der Halbleiterbauelemente - Industrie der Deutschen Demokratischen Republik. Sie gibt keine Auskunft über
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optothyristor elektronik DDR ddr heft 555/B

VEB mikroelektronik

Abstract: mikroelektronik Heft 12 Stahnsdorf, gefertigten Halbleiter-* bauelemente. Dem Anwender soll durch die Übersicht die Auswahl der in , zusätzliche Hefte " Leistungselektronik erweitert. v Gültige Unterlagen für den Bezug der Bauelemente sind , Bauelementeeigenschaften, die dem technischen Fortschritt dienen, behält sich der Her steller der Bauelemente vor. Für die , (FBAOA, RBAOA, OLSOA) Formelzeichan ^Literatur 'Übersicht der Bauelemente der Leistungselektronik Literaturzusammenstellung über Bauelemente, Anwendung und Einsatzgebiete der leitungselektronik 4 9 19 21 21
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Datenblattsammlung mikroelektronik datenblattsammlung SU 179 itt transistoren 57AHNSDORP

BT 816 triac

Abstract: ky 202 h thyristor wichtigsten Daten in der DDR erhältlicher Thyristoren, Triacs und Diacs. Damit wird es dem Amateur möglich, o. g. Bauelemente, die er Schaltungen aus der Literatur entnommen hat, mit den in der DDR erhältlichen , ebenso groß wie beispielsweise die der Dioden.^Neben den wenigen in der DDR gefertigten Typen wird der , aufgeführten Bauelemente sind stark vereinfacht. So kann z. B. die Form der Kabelschuhe anders als dargestellt , MILITÄRVERLAG DER DEUTSCHEN DEMOKRATISCHEN REPUBLIK I. Auflage {(j) Militär vorlag der Deutschen
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BT 816 triac ky 202 h thyristor thyristor aeg thyristor BBC CS 8-12 ky 201 thyristor tesla typ 202 thyristor

mikroelektronik Heft 12

Abstract: Mikroelektronik Information Applikation Vereinbarungen. Änderungen der Bauelemente eigenschaften, die dem technischen Fortschritt dienen, behält sich der , integrierten Schwellenspannungs schaltkreises A 302 d" - Vortrag zum 8. Halbleiter bauelemente -Symposium , : KAMMER DER TEC H N IK Vorstand des Bezirksverbandes 1200 Frankfurt (Oder) Ebertusstraße 2 7 , /oder leitbetrieb im veb kombinat mikraelektronik. 1 K bD I KAMMER DER TECHNIK V o rita n d , - und Ausland zu speziellen ausgewählten Erzeugnissen der Halbleiterbauelemente-Industrie der Deutschen
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A302D Kombinat VEB A 902 Kombinat VEB A 281 TCA 345 A902D

MH 74141

Abstract: Tesla katalog vorgestellten Schaltkreise. Auskünfte über Liefermöglichkeiten sind grundsätzlich beim Importeur der Bauelemente , Unterlagen für den Bezug der Bauelemente sind die von Importeur im jeweiligen Außenhanäelsvertrag , in der DDR angebotenen Schaltungen D/B 355 D D/E 351 D y Schaltkreis für Zeitablaufsteuerungen , Schieberegistern die billigsten Halbleiter - Speicherelemente, wegen der Masken programmierung ist eine Mindest - , batriab im vab ko m binat mfcr m M ftrnnll t DER TECHNIK I Bezirksvorstand Frankfurt/O. E3KAMMER
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MH 74141 Tesla katalog MH74S04 MH74188 MH74S287 CDB404E

information applikation

Abstract: Halbleiterbauelemente DDR , in des DDR ist hier der Typ U 505 im Angebot, liefert der Hersteller die nach Kundenangaben , T.S.-Ausgängen außerhalb der Mikrorechentechniks Sind in einer Schal tung Bauelemente mit T.S.-Stufen , in n ilk a n í o J B lB t a L J I , L J n Í lH KáD Information Applikation Halbleiter , Ausland z w . speziellen-ausgewähltea : : ' i Erzeugnissen der Halbleitsrb&u.*l«Ki«nte-Indust2 ie der , Liefervertrag selbst fixierten Vereinbarungen« Änderungen der Bauelementeeigenschaftens die dem technischen
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U555C U214D20 DS8205D U880D DS8216D

maa 502

Abstract: Tesla katalog verbundenen Bauelemente bezeichnet man als Schal tung (der Begriff ,Schaltung" hat aber noch andere Bedeutung). Es ist bekannt, daß die Herstellung der Schaltung, eben das richtige Verbinden der Bauelemente , Verdrahtung ist hier ein leitender Teil der Platine, auf der sich die (kleinen) Bauelemente befinden. Die , 1.2 zeigen die Sockelschaltung, die Abmes sungen und den inneren Aufbau der genannten Bauelemente , Kontakten 3 und + U b ) und einige Bauelemente zur Siebung und Er zeugung der Basisvorspannung der 1. Stufe
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maa 502 MAA723 TAA 141 TESLA KF520 transistor vergleichsliste

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: BEL 639 transistor DDR genau einen Katalog sowje tischer Halbleiterbauelemente gab, der - wie konnte es anders sein , vorhandenen Möglichkeiten der ~ Zusammenarbeit UdSSR- DDR auf dem Gebiet der Halbleitertechnik wirklich , . Diese Aufgaben kann die Indu strie der DDR nicht allein lösen. Sie sind nur zu erfüllen in enger Zusam , oder aber werden von der UdSSR nicht exportiert, so daß der Anwender in der DDR nur selten mit ihnen zu , im Rahmen der RGW-Zusammenarbeit orien tiert wird und die damit das Bauelementeangebot der DDR
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BEL 639 transistor Sowjetische Halbleiter-Bauelemente KBC111 k4213 Germanium Transistor katalog radio fernsehen elektronik

A225D

Abstract: A 225D Mikroelektronik KSDj KAMM ER DER TECHNIK I Ißegirksvörstandfiankfurt/O. .Autor : Di.pl .-Ing* Redaktion und , interessierten Technikers im In- und Ausland zu speziellen ausgewählten Erzeugnissen der Halbleiterbauelemente-Industrie der Deutschen Demokratischen Republik. Sie gibt keine Auskunft über Liefermöglichkeiten und , Liefervertrag selbst fixierten Vereinbarungen. Änderungen der Bauelementeeigen-» schäften, die den technischen Fortschritt dienen, behält sich der Halbleiterbauelemente-Hersteller vor. Für die Patentfreiheit der
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A225D A 225D meuselwitz Piezofilter DDR FM -piezofilter 19S4- 10/SS

GAR GSM MODULE 300

Abstract: halbleiterwerk Grafikanwendungen auf Basis der Double Data Rate (DDR)-Architektur ausliefern. Anfang 2000 hat der , Über unser erstes Jahr können wir Ihnen einiges berichten. Genauso erwarten uns in der Zukunft , * Falls Sie den zusammengefassten Lagebericht und Konzernlagebericht der Infineon Technologies AG in der , 234-26655. 32=00100000 never stop thinking lagebericht LAGEBERICHT UND KONZERNLAGEBERICHT DER , , Produktionskapazitäten 54 Ertragslage, Finanzlage, Vermögenslage 57 Ergebnis der Führungsgesellschaft 58
Infineon Technologies
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GAR GSM MODULE 300 halbleiterwerk bauelemente DDR ZU 107 frankfurt nec elektronische halbleiter GmbH
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