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2SD2098T100S ROHM Semiconductor Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon visit Digikey
2DD2098R-13 Diodes Incorporated Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 visit Digikey
ZXTD2090E6TA Diodes Incorporated Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-6 visit Digikey
2SD2098T100R ROHM Semiconductor Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MPT3, SC-62, 3 PIN visit Digikey
D20902-000 TE Connectivity Ltd CONN BACKSHELL ADPT SZ7-12S OLIV visit Digikey
D20918-000 Littelfuse Inc POLYSWITCH PTC RESET 0.12A CHIP visit Digikey

D209 Transistor

Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags
Abstract: 66.4 .667 ð20.9 2000 .987 ð43.8 3.630 140.2 .037 59.9 .663 ð27 , 68.0 .655 ð20.9 2000 .977 ð44.6 3.862 139.7 .035 60.4 .650 ð27 , transistor with shottky barrier gate. Caution The Great Care must be taken in dealing with the devices in NEC
Original
NE674 NE67400 TRANSISTOR D434 d1859 transistor D1585 d998 transistor d1859 NE67483B P13086EJ1V0DS00
Abstract: , reducing device stresses and RFI. Note that the drive circuits of Q102 and Q103 feature transistor XQ101 , the leakage and magnetising inductances causes cur rent to continue to flow via D208 and D209 until , diodes D208, D209, decaying to zero. When the primary inductance current has decayed to zero at the end , ON transistor XQ218 which clamps the main FET drive OFF. 69063 Issue 1 Page 7 of 16 , determined by XR188, XC136, XR192, transistor XQ117 turns ON. This also turns ON via XR189. The latch cannot -
Original
scr D106 uc3842 half bridge th201 uc3842 flyback constant current transistor D209 Alpha 600 Circuit Diagrams 385VDC XU201B XQ211 XU203F XD216 XC208
Abstract: , reducing device stresses and RFI. Note that the drive circuits of Q102 and Q103 feature transistor XQ101 , the leakage and magnetising inductances causes current to continue to flow via D208 and D209 until , primary inductance of T205 continues to flow via the catch diodes D208, D209, decaying to zero. When the , and network XC224, XR241 to turn OFF FET XQ214 and turn ON transistor XQ218 which clamps the main FET , ON for a period determined by XR188, XC136, XR192, transistor XQ117 turns ON. This also turns ON via -
Original
XQ202 TRANSISTOR j115 dc to ac boost converter 500w XR151 alpha 400 ac to dc pfc boost converter 500w XR212 XR233/XR234 XU205A XU204A XQ207
Abstract: be avoided in order to reduce consumption in low power mode. To be able to drive the transistor Q102 , through an open collector transistor. To avoid that added power, we use a push pull output on the uP side , drives the PNP transistor Q101 which supplies all controllers (PFC, Flyback and backlight). To get the , voltages goes over the limit defined by the respective Zener diode, the transistor Q103 will be switched , keeping the system working in low frequency burst mode. Open circuit of Opto transistor PC200B in ON ON Semiconductor
Original
sfh817a 1n4007 sod123 D217 OPTO NCP1397 diode zd201 RECTIFIER DIODE D100 TND401/D NCP1053A IC100 EFD30 NCP1052P44G TP207ST
Abstract: TOSHIBA TC51V8512AF/AFT/ATR-12/15 PRELIMINARY SILICON GATE CMOS 524,288 WORD x 8 BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM Description The T C 5 1V 8512 A F is a 4M bit high speed C M O S pse udo static RAM organized as 5 2 4 ,2 8 8 w o rd s by 8 bits. The T C 51V 8512A F utilizes a one transistor dyn am ic m e m ory cell w ith C M O S peripheral circuitry to provide high capacity, high spe ed and low po w e r , ELECTRONIC COMPONENTS, INC. D-209 TC51V8512AF/AFT/ATR-12/15 Data Retention Characteristics (Ta = 0 - -
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TRANSISTOR D206 8512A LA 8512 TC51V8512 TC51V8512AF D-210 D-211 D-212 D-213
Abstract: 71.0 .792 ð19.6 1300 .951 ð38.8 4.790 144.6 .048 69.9 .785 ð20.9 , 162.7 .019 82.5 .736 ð10.5 600 .973 ð20.9 7.082 159.4 .022 79.5 .732 , , because this device is Hetero Junction field effect transistor with shottky barrier gate. 14 NEC
Original
NE34018-T1 6323 GA transistor NEC D 882 p D413 transistor D2396 transistor d507 D484 transistor NE34018 NE34018-T2
Abstract: TOSHIBA TC51V8512AF/AFT/ATR-12/15 P R E L IM IN A R Y SILICON GATE CMOS 524,288 WORD x 8 BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM D e s c rip tio n The TC51V8512AF is a 4M bit high speed CMOS pseudo static RAM organized as 524,288 words by 8 bits. The TC51V8512AF utilizes a one transistor dynamic memory cell with CMOS peripheral circuitry to provide high capacity, high speed and low power storage. The , . D-209 Static RAM TC51V8512AF/AFT/ATR-12/15 D a ta R e te n tio n C h a ra c te ris tic s (Ta -
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SQ17E4
Abstract: prevent shorts, since these outputs are unbalanced CMOS transistor outputs, these outputs will not be , S26 D201 D202 D203 D204 D205 D206 D207 D208 S27 D209 D210 D211 , D207 S24 D208 D209 D210 D211 D212 D213 D214 D215 D216 S25 D217 , D209 D210 S22 D211 D212 D213 D214 D215 D216 D217 D218 D219 D220 SANYO Electric
Original
TRANSISTOR D452 TRANSISTOR D405 D408 transistor d472 TRANSISTOR D417 transistor transistor d438 ENN6370A LC75808E LC75808W 3151-QFP100E QFP100E 3181B-SQFP100
Abstract: are unbalanced CMOS transistor outputs, these outputs will not be damaged by shorting when these , D200 D203 D206 D209 D212 D215 D218 D221 D224 D227 D159 D162 D165 D168 D171 D174 D177 , D157 D161 D165 D169 D173 D177 D181 D185 D189 D193 D197 D201 D205 D209 D213 D217 D221 Princeton Technology
Original
transistor d234 PT6530 MS-026BED
Abstract: inserted in the timing lines to prevent shorts, since these outputs are unbalanced CMOS transistor outputs , D194 D197 D200 D203 D206 D209 D212 D215 D218 D221 D224 D227 D159 D162 D165 D168 D171 , D209 D213 D217 D221 D225 D229 D233 D237 D241 D245 D249 D453 D257 D261 D265 D269 D273 Princeton Technology
Original
3-pin D128 transistor transistor d288 D234 transistor D223 DIODE transistor D291 PT6530-LQ 886-66296288F
Abstract: timing KS1 to KS6 71 to 76 lines to prevent shorts, since these outputs are unbalanced CMOS transistor , D193 D201 D209 D217 D225 D233 D241 D249 D257 D265 D273 D281 D289 D297 D305 D313 D321 D329 D337 D345 , D47 D56 D65 D74 D83 D92 D101 D110 D119 D128 D137 D146 D155 D164 D173 D182 D191 D200 D209 D218 D227 , D189 D199 D209 D219 D229 D239 D249 D259 D269 D279 D289 D299 D309 D319 D329 D339 D349 D359 D369 D379 ON Semiconductor
Original
D331 transistor transistor d471 transistor d467 transistor d446 transistor d472 D476 transistor EN6370B
Abstract: shorts, since these outputs are unbalanced CMOS transistor outputs, these outputs will not be damaged by , D193 D201 D209 D217 D225 D233 D241 D249 D257 D265 D273 D281 D289 D297 D305 D313 D321 D329 D337 D345 , D47 D56 D65 D74 D83 D92 D101 D110 D119 D128 D137 D146 D155 D164 D173 D182 D191 D200 D209 D218 D227 , D189 D199 D209 D219 D229 D239 D249 D259 D269 D279 D289 D299 D309 D319 D329 D339 D349 D359 D369 D379 ON Semiconductor
Original
D448 transistor transistor D450 transistor d444 transistor D359 d438 transistor transistor d600
Abstract: shorts, since these outputs are unbalanced CMOS transistor outputs, these outputs will not be damaged by , S26 D201 D202 D203 D204 D205 D206 D207 D208 S27 D209 D210 D211 , D199 D200 D201 D202 D203 D204 D205 D206 D207 S24 D208 D209 D210 , D207 D208 D209 D210 S22 D211 D212 D213 D214 D215 D216 D217 D218 -
Original
d235 transistor transistor d478 D362 TRANSISTOR transistor D442 transistor D327 d458 transistor
Abstract: , since these outputs are unbalanced CMOS transistor outputs, these outputs will not be damaged by , D204 D209 D214 D219 D224 D229 D234 D239 D244 D249 D254 D259 D264 D269 D274 D279 D284 ROHM
Original
D239 TRANSISTOR transistor d358 d331 TRANSISTOR equivalent transistor d332 D333 transistor transistor d336 BU97530KVT-M TQFP100V AEC-Q100
Abstract: wave reference. If the actual current crosses the lower border of sine waveform, the PFC transistor is switched on. As soon as the input current reaches the upper border, the PFC transistor is switched off Freescale Semiconductor
Original
ups transformer winding formula ups PURE SINE WAVE schematic diagram schematic diagram online UPS smd diode ae c604 d1n4149 DO241 MC9S12E128 HCS12 DRM064
Abstract: +18V_D Digital +18-volt power supply 10 GND Description Signal for PFC transistor control , impedance for the lower half-bridge transistor. A similar network is used on the upper half-bridge. These Freescale Semiconductor
Original
mosfet d408 transistor d407 mosfet D403 transistor tp122 D408 mosfet tp122 transistor
Abstract: booster, 2.5App up to 200Hz BU4525AX Silicon diffused transistor for horizontal deflection stages , standard level field-effect transistor for east-west amplifier PHP18NQ20T N-channel PowerMOS , BYW56 D204 2 1 +12V smps 1N4148 D217 R211 R222 D209 1N4148 4 Demag , D209 9330-839-90153 D21 9330-839-90153 D210 9340-366-90133 D211 9337-537-40113 D212 Philips Semiconductors
Original
AN10280 transistor C458 op027 SAA4849PS computer smps circuit diagram saa4849 saa4848ps SAA4848/SAA4849 TP97035 3/W97 SAA4848PS/SAA4849PS/ SAA4847PS
Abstract: prevent shorts, since these outputs are unbalanced CMOS transistor outputs, these outputs will not be , S25 D97 D98 D99 D100 S53 D209 D210 D211 D212 S26 D101 D102 D103 SANYO Electric
Original
LC75884E LC75884W SQFP80 DIODE S45 D84 TRANSISTOR D101 transistor D210 transistor D195 EN6086 QFP80E QIP80E
Abstract: timing lines to prevent shorts, since these outputs are unbalanced CMOS transistor outputs, these , D161 D165 D169 D173 D177 D181 D185 D189 D193 D197 D201 D205 D209 D213 D217 COM2 D114 Princeton Technology
Original
PT6584 transistor d165 transistor s55 transistor d187 D109 D102 D105
Abstract: outputs are unbalanced CMOS transistor outputs, these outputs will not be damaged by shorting when these , D177 D181 D185 D189 D193 D197 D201 D205 D209 D213 D217 COM2 D114 D118 D122 D126 D130 D134 D138 D142 Princeton Technology
Original
8.00T d206 diode d143 T transistor D195 transistor D128 D164 PT16589 05VDD
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