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DC1160A Linear Technology BOARD EVAL LED DRIVER LT3518
DC1205A Linear Technology BOARD EVAL LED DRIVER LT3592
DC1319B-A Linear Technology BOARD EVAL LED DRIVER LT3756
DC1319A-B Linear Technology BOARD EVAL LED DRIVER LT3756-1
LTC4358IDE#PBF Linear Technology LTC4358 - 5A Ideal Diode; Package: DFN; Pins: 14; Temperature Range: -40°C to 85°C
LTC4358IDE#TRPBF Linear Technology LTC4358 - 5A Ideal Diode; Package: DFN; Pins: 14; Temperature Range: -40°C to 85°C

diode bzw 90 Datasheets Context Search

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Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: 04-128B 1 128 143 1 207 2.0 265 9.0 10.8 145 BZW 04-154 B Z W 04-154B , than the m aximum values, the diode will fail in short-circuit. THERMAL RESISTANCES Parameter , Unit 60 Junction to leads Rth (j-a) Value °c /w 100 °c/w 1/6 BZW 04 , ceT max VcL @ Ipp note4 V V mA V A V A 10'4/°C PF BZW 04-5V8 BZW 04-5 V8B 1000 5.8 6.45 10 10.5 38.0 13.4 174 5.7 3500 BZW 04-6V4


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PDF BZW04-5V8/376 BZW04-5V8B/376B 10/IOOQus)
diode bzw 06

Abstract: diode bzw 06-23b 0626B BZW06-37 0631B 06342 0623B
Text: surge greater than the maximum values, the diode will fail in short-circuit. THERMAL RESISTANCES , -10 BZW06-1 3 BZW06-1 5 BZW06-19 BZW 06-20 BZW06-23 BZW 06-2 6 BZW 06-2 8 BZW 06-31 BZW 06-3 3 BZW 06-40 BZW 06-48 BZW 06-5 8 BZW 06-70 BZW 06-8 5 BZW 06-102 BZW 06-128 BZW 06-154 BZW 06-171 Bidirectional BZW06-5V8B BZW06-6V4B BZW06-8V5B BZW06-10B BZW06-13B BZW06-15B BZW06-19B BZW 06-20B BZW 06-23B BZW 06-26B BZW06-28B BZW 06-31B BZW06-33B BZW06-40B BZW06-48B BZW06-58B BZW06-70B BZW06-85B BZW06-102 B BZW06-1 28 B BZW06


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PDF BZW06-5V8/376 BZW06-5V8B/376B diode bzw 06 diode bzw 06-23b 0626B BZW06-37 0631B 06342 0623B
50-150B

Abstract: No abstract text available
Text: 76 789 10 5750 BZW 50-39 BZW 50-39B 5 39 43.3 1 69.4 72 90 667 , than the maximum values, the diode will fail in short-circuit. THERMAL RESISTANCES Parameter , note3 max ceT max VcL @ Ipp note4 A V A 10 '4/°C PF B Z W 50-10 BZW 50-10B 5 10 11.1 1 18.8 266 23.4 2564 7.8 24000 BZW 50-12 BZW 50-12B 5 12 13.3 1 22 227 28 2143 8.4 18500 BZW 50-15 BZW 50-15B 5


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BZW+20

Abstract: No abstract text available
Text: 330 BZW 06-213 BZW 06-213B 1 231 237 1 344 2.0 442 9.0 11.0 310 , surge greater than the m aximum values, the diode will fail in short-circuit. THERMAL RESISTANCES , 298 5.7 4000 BZW 06-5V8 BZW 06-5V8B 1000 BZW 06-6V4 BZW 06-6V4B 500 6.4 7.13 10 11.3 53.0 14.5 276 6.1 3700 BZW 06-8V5 BZW 06-8V5B 10 8.5 9.5 1 14.5 41 18.6 215 7.3 2800 BZ W 06-10 BZW 06-10B 5 10.2 11.4


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PDF BZW06-5V8/376 BZW06-5V8B/376B 10/IOOQus) BZW+20
1995 - MOROCCO B 108 B

Abstract: BZW50 BZW04P bzw 04P 15B
Text: 35 41.5 51 62 76 90 108 129 157 189 228 274 343 410 A 2564 2143 1714 1446 1177 968 789 667 556 465 , : Note 2 : Note 3 : Note 4 : For surges greater than the maximum values, the diode will present a , initial = 25 °C BZW 50-180 t BZW 50-82 100 BZW 50-39 BZW 50-18 BZW 50-10 Ipp (A) 10 0.1 1 , applied voltage for bidirectional types (typical values). C (pF) 10000 0 Tj = 25°C f = 1 MHz 10000 BZW 50-10B BZW 50-18B BZW 50-39B 100 0 BZW 50-82B BZW 50-180B V R (V) Tj = 25 °C f = 1 MHz 100 0 BZW


Original
PDF BZW50-10 B/180 MOROCCO B 108 B BZW50 BZW04P bzw 04P 15B
A66762-A4013-A58

Abstract: leistungstransistoren Transistor Datenbuch halbleiter index transistor
Text: diode current rise Energy Avalanche energy Avalanche energy, repetitive Avalanche energy, single pulse , current with gate volt age applied Diode forward current (general) Diode forward current, average value Diode forward current, rms value Repetitive diode peak current Diode current surge crest value (50-Hz sinusoidal) Gate-emitter leakage current Gate-source leakage current Current through inductance Diode reverse current Reverse recovery peak return current Inverse diode continuous forward current Inverse diode direct


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1997 - datenbuch

Abstract: DATA SHEET OF IGBT FREDFET leistungstransistoren datenbuch transistor
Text: ; drain diF/dt Dioden-Stromsteilheit Rate of diode current rise E EA EAR EAS Eoff , Drain cutoff current with gate voltage applied IF Dioden Durchlaßstrom (allgemein) Diode forward current (general) IFAV Dioden Durchlaßstrom , Mittelwert Diode forward current, average value IFRMS Dioden Durchlaßstrom , Effektivwert Diode forward current, rms value IFRM IFSM Periodischer Dioden-Spitzenstrom Repetitive diode peak current Dioden-Stoßstromscheitelwert (50Hz


Original
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diode bzw 06

Abstract: BZW04-5V8 BZW04-5V8B BZW04P5V8 BZW04P5V8B BZW04P6V4 BZW04P6V4B F126
Text: 9.0 850 BZW04-17 BZW04-17B 5 17.1 19 20 21 1 27.7 14.5 36.1 64 9.0 850 BZW04P19 BZW04P19B 5 18.8 20.9 , BZW04P31B 5 30.8 34.2 36 39.6 1 49.9 8 64.3 36 9.9 480 BZW 04-31 BZW04-31B 5 30.8 34.2 36 37.8 1 49.9 8 64.3 36 9.9 480 BZW04P33 BZW04P33B 5 33.3 37.1 39 42.9 1 53.9 7.4 69.7 33 10.0 450 BZW 04-33 BZW04-33B 5 , 70.1 5.7 91 25 10.2 350 BZW04P48 BZW04P48B 5 47.8 53.2 56 61.6 1 77 5.2 100 23 10.3 320 BZW 04-48 BZW04 , 10.4 290 BZW 04-53 BZW04-53B 5 53.0 58.9 62 65.1 1 85 4.7 111 21 10.4 290 BZW04P58 BZW04P58B 5 58.1


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PDF BZW04-5V8 B/376 BZW04P5V8 diode bzw 06 BZW04-5V8B BZW04P5V8B BZW04P6V4 BZW04P6V4B F126
DF703

Abstract: telefunken-spezialrohren ecc85 magic eye Resonators Fluorescent Indicator Tube ech 81 RG-294 ECC 85 spezialrohrentypen
Text: Röhren dar. Bei den TELEFUNKEN-Spezial-röhren, mit ^ bzw . Q gekennzeichnet, werden darüber hinaus die , verwenden, z.B. durch Kathodenwiderstand und/oder Vorwiderstände in der Anoden- bzw . Schirmgitter-Zuleitung , Rauschen auftreten können. 1.7. Bei Röhren, die für Impulsbetrieb vorgesehen bzw . zugelassen sind , gelten die bei Netzbetrieb angegebenen Vorschriften. Sie müssen bei Batteriespannungen von 6,3 V ( bzw , Betriebszeit geladen, dann müssen für die Auslegung der Geräte Batteriespannungen von 7 V ( bzw . 14 oder 28 V


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1997 - FOTOTRANSISTOR

Abstract: transistor 9003 p935 Infrared Phototransistor Fototransistor with filter Infrared emitter sfh diode diode bzw 06
Text: Q62703-P1087 SFH 900-3/42) Q62703-P1784 1) 1) Geliefert werden die einzelnen Gruppen 1 bzw . 2. We supply the bins 1 and/or 2. 2) 2) Geliefert werden die einzelnen Gruppen 3 bzw . 4. We supply the , (IR-GaAs-Lumineszenzdiode) Emitter (GaAs infrared diode ) Empfänger (Si-Fototransistor) Detector (silicon , (GaAs infrared diode ) SFH 900 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description , Kodak neutral white test card, 90 % reflexion IF = 10 mA; VCE = 5 V; d = 1 mm SFH 900 SFH 900-11) SFH


Original
PDF feo06270 FOTOTRANSISTOR transistor 9003 p935 Infrared Phototransistor Fototransistor with filter Infrared emitter sfh diode diode bzw 06
BZW 05 33b

Abstract: MEJ 301 239B diode marking CODE W04 bz 148 diode VBR200V BZW04P5V8 BZW04P5V8B BZW04P6V4 BZW04P6V4B
Text: 64 9.0 850 BZW04-17 BZW04-17B 5 17.1 19 20 21 1 27.7 14.5 36.1 64 9.0 850 BZW04P19 BZW04P19B 5 18.8 , 70.1 5.7 91 25 10.2 350 BZW04P48 BZW04P48B 5 47.8 53.2 56 61.6 1 77 5.2 100 23 10.3 320 BZW 04-48 , 111 21 10.4 290 BZW 04-53 BZW04-53B 5 53.0 58.9 62 65.1 1 85 4.7 111 21 10.4 290 BZW04P58 BZW04P58B 5 58.1 64.6 68 74.8 1 92 4.3 121 19 10.4 270 BZW 04-58 BZW04-58B 5 58.1 64.6 68 71.4 1 92 4.3 121 , 86.5 91 100 1 125 3.2 162 14 10.6 210 BZW 04-78 BZW04-78B 5 77.8 86.5 91 95.5 1 125 3.2 162 14 10.6


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PDF W04-5 B/376, BZW04P5V8 B/376 BZW 05 33b MEJ 301 239B diode marking CODE W04 bz 148 diode VBR200V BZW04P5V8B BZW04P6V4 BZW04P6V4B
bz 148 diode

Abstract: diode RZ 593 239B diode
Text: 10'4/°C 5.7 5.7 6.1 6.1 6.5 6.5 6.8 6.8 7.3 7.3 7.5 7.5 7.8 7.8 8.1 8.1 8.4 8.4 8.6 8.6 8.8 8.8 9.0 9.0 , BZW04-26 BZW04P28 BZW04-28 BZW04P31 BZW04-31 BZW04P33 BZW04-33 BZW04P37 BZW04-37 BZW04P40 BZW 04-40 BZW04P44 BZW 04-44 BZW04P48 BZW 04-48 BZW04P53 BZW04-53 BZW04P58 BZW04-58 BZW04P64 BZW04-64 BZW04P70 BZW04-70 BZW04P78 BZW04-78 BZW04P85 BZW04-85 BZW04P94 BZW 04-94 BZW04P102 BZW 04-102 BZW04P111 BZW 04-111 , 110 110 100 100 95 95 90 90 85 85 80 80 75 75 70 70 190 200 190 209 209 200 220 220 237 250 237


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2007 - Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: BZW 04-5V8 . BZW 04-376B Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Units Axial lead diode Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor diodes BZW 04-5V8. BZW 04-376B Pulse Power Dissipation: 400 W Maximum Stand-off voltage: 5,8.376 V Features Mechanical Data 1) 2) 3) 1 02-04-2004 SCT © by SEMIKRON BZW 04-5V8 . BZW 04-376B , temperature 2) 02-04-2004 SCT © by SEMIKRON BZW 04-5V8 . BZW 04-376B Fig. 3 Peak pulse power


Original
PDF 04-5V8 04-376B 04-5V8.
Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: Einschaltverzögerungszeit td{on), gemessen zwischen dem 10-%-Wert der Gate-Source-Spannung und dem 90 %-Wert der Drain-Source-Spannung und der Anstiegszeit tr, gemessen zwischen dem 90 -%-Wert und dem 10-%-Wert der , turn-on delay time /d (o n ) mea sured between the 10 % value of the gatesource voltage and the 90 % value of the drain-source voltage and the rise time tx measured between the 90 % value and the 10 % value , (o W ) + f, Summe aus Ausschaltverzögerungszeit ^ d (o ff)» gemessen zwischen dem 90 -%Wert der


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2007 - Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: BZW 06-5V8 . BZW 06-376B Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Units Axial lead diode Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor diodes BZW 06-5V8. BZW 06-376B Pulse Power Dissipation: 600 W Maximum Stand-off voltage: 5,8.376 V Features Mechanical Data 1) 2) 3) 1 09-03-2007 MAM © by SEMIKRON BZW 06-5V8 . BZW 06-376B , temperature 2) 09-03-2007 MAM © by SEMIKRON BZW 06-5V8 . BZW 06-376B Fig. 3 Peak pulse power


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PDF 06-5V8 06-376B 06-5V8.
2006 - 06-5V8

Abstract: No abstract text available
Text: BZW 06-5V8 . BZW 06-376B Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Units Axial lead diode Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor diodes BZW 06-5V8. BZW 06-376B Pulse Power Dissipation: 600 W Maximum Stand-off voltage: 5,8.376 V Features Mechanical Data 1) 2) 3) 1 02-04-2004 SCT © by SEMIKRON BZW 06-5V8 . BZW 06-376B , temperature 2) 02-04-2004 SCT © by SEMIKRON BZW 06-5V8 . BZW 06-376B Fig. 3 Peak pulse power


Original
PDF 06-5V8 06-376B 06-5V8. 06-5V8
2007 - Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: BZW 04-5V8 . BZW 04-376B Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Units Axial lead diode Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor diodes BZW 04-5V8. BZW 04-376B Pulse Power Dissipation: 400 W Maximum Stand-off voltage: 5,8.376 V Features Mechanical Data 1) 2) 3) 1 09-03-2007 MAM © by SEMIKRON BZW 04-5V8 . BZW 04-376B , temperature 2) 09-03-2007 MAM © by SEMIKRON BZW 04-5V8 . BZW 04-376B Fig. 3 Peak pulse power


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PDF 04-5V8 04-376B 04-5V8.
FREDFETs

Abstract: No abstract text available
Text: Einschaltverzögerungszeit fd < o n ). gemessen zwischen dem 10-%-Wert der Gate-Source-Spannung und dem 90 %-Wert der Drain-Source-Spannung und der Anstiegszeit t, gemessen zwischen dem 90 -%-Wert und dem 10-%-Wert der , turn-on delay time /d (o n ) mea sured between the 10 % value of the gatesource voltage and the 90 % value of the drain-source voltage and the rise time t, measured between the 90 % value and the 10 % value , 1, Summe aus Ausschaltverzögerungszeit ^d(ofi). gemessen zwischen dem 90 -%Wert der


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SKiip 83 EC 125 T1

Abstract: SKiiP 82 AC 12 T1 SKiiP 81 AN 15 T1 semikron SKHI 22 SPICE MODEL semikron skiip 32 nab 12 T7 SKiip 83 EC 12 1 T1 SKiiP 24 NAB 063 T12 skiip 83 ac 128 BUZ78 equivalent SKIIP 81 AC 12 I T1
Text: von Einzelschaltern und der induktiven bzw . kapazitiven Kommutierung. Bild 0.4 zeigt zusammenfassend , Durchlaßspannungsabfalls ab, so daß während der Stromkommutierung keine bzw . geringe überhöhte Verluste in Schaltern , aus einer Kombination von leistungselektronischen Bauelementen bzw . Leistungshalbleitern und der , finden fortlaufend induktive Kommutierungsvorgänge statt bzw . aktives entlastetes Einschalten gefolgt , Energieflusses möglich, indem die Schalter über mehrere Perioden des Stromes leiten bzw . sperren. S1 iL VK


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1997 - A66762-A4013-A58

Abstract: din IEC 747 leistungstransistoren Semiconductor Group igbt datenbuch
Text: ; drain diF/dt Dioden-Stromsteilheit Rate of diode current rise E EA EAR EAS Eoff , Drain cutoff current with gate voltage applied IF Dioden Durchlaßstrom (allgemein) Diode forward current (general) IFAV Dioden Durchlaßstrom , Mittelwert Diode forward current, average value IFRMS Dioden Durchlaßstrom , Effektivwert Diode forward current, rms value IFRM IFSM Periodischer Dioden-Spitzenstrom Repetitive diode peak current Dioden-Stoßstromscheitelwert (50Hz


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2012 - Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: 90 A bei 48 bis 530 VAC •  Analogeingang nach Industriestand (Spannung bzw . Strom) oder , und Technologien bietet Crydom eine breite Palette an Halbleiterrelais mit AC- bzw . DC-Ausgang für , Anwendungen mit einer Ausgangsnennleistung von 5 bis 125 A bei 24 bis 660 VAC bzw . von 1 bis 100 A bei 1 , bis 280 VAC, 3 bis 32 VDC bzw . Analogsteuerung. Zur Auswahl stehen verschiedene Konfigurationen , -6 Nennstromstärke 10 12 15 18 20 25 40 50 75 90 110 125 Halbleiterrelais 280 V 15 16 17 18 19 20 21


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2012 - Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: und Technologien bietet Crydom eine breite Palette an Halbleiterrelais mit AC- bzw . DC-Ausgang für , 24 bis 660 VAC bzw . von 1 bis 100 A bei 1 bis 1.000 VDC für 1, 2 oder 3 Phasen. Die verfügbaren Eingänge unterstützen je nach Modell 24 bis 280 VAC, 3 bis 32 VDC bzw . Analogsteuerung. Zur , EZ MCBC MCPC MCTC MCS PCV LPCV RPC SMR-6 Nennstromstärke 10 12 15 18 20 25 40 50 75 90 , €‡ Nennstrom 10 bis 125 A bei 24 bis 280 VAC und 12 bis 90 A bei 80 bis 530 VAC •  Gegengeschalteter


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2006 - thyristor JD

Abstract: No abstract text available
Text: BZW 04-5V8 . BZW 04-376B (9#+ ;%< E9 E-F - # power semiconductor power electronics igbt bridge rectifier diode thyristor cib rectifier ipm driver inverter converter Absolute Maximum Ratings , / 1 , BC Axial lead diode Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor diodes BZW 04-5V8. BZW 04-376B Pulse Power Dissipation: 400 W Maximum Stand-off voltage: 5,8.376 V , SEMIKRON BZW 04-5V8 . BZW 04-376B Fig. 3 Peak pulse power versus pulse duration power


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PDF 04-5V8 04-376B 04-5V8. 04-376B thyristor JD
2006 - M933

Abstract: BZW 10 diode cib 34 73
Text: BZW 06-5V8 . BZW 06-376B (9#+ ;%< E9 E-F - # power semiconductor power electronics igbt bridge rectifier diode thyristor cib rectifier ipm driver inverter converter Absolute Maximum Ratings , / 1 , BC Axial lead diode Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor diodes BZW 06-5V8. BZW 06-376B Pulse Power Dissipation: 600 W Maximum Stand-off voltage: 5,8.376 V , vs. case temperature 2) 2 02-04-2004 SCT © by SEMIKRON BZW 06-5V8 . BZW 06-376B Fig


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PDF 06-5V8 06-376B 06-5V8. 06-376B M933 BZW 10 diode cib 34 73
Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: MIPAQ™ sense Modul in Sixpack-Konfiguration mit Trench/Feldstopp IGBT4, Emitter Controlled 4 Diode und , module in Sixpack-configuration with trench/fieldstop IGBT4, emitter controlled 4 diode and current sense , Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case pro Diode / per diode Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Diode / per diode λPaste = 1 W/(m*K) / λgrease = 1 , zwschen GND und 0V.U, 0V.V bzw . 0V.W VIMV = 500V between GND and 0V.U, 0V.V, 0V.W, respectively d/dt


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PDF IFS75S12N3T4
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