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Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: Transistoren DDR information applikation information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik Kombinat VEB A 281 "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik DDR
Text: ^ veb Halbleiterwerk frankfurt/oder leitbetrieb im veb kombinat mikraelektronik VEB G L E IC , nachstehende Anschriften zu richten: DDR-Interessenten: VEB Gleichrichterwerk Stahnsdorf 1533 Stahnsdorf Ruhlsdorfer Weg v Interessenten im Ausland : VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder Leitbetrieb im VEB , Übergang vom Gehäuse zur Kühleinrichtung kann Siliconfett (z. B. Typ HP 12 vom VEB Chemiewerk NüncUritz , Halbleiterbauelemente müssen beim Einlöten in die Schal tung gegen thermische Überlastung geschützt werden. Es em


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Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: information applikation applikation heft mikroelektronik Heft "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft 12 "Mikroelektronik" Heft information applikation mikroelektronik "information applikation" VEB mikroelektronik
Text: bat e r iabkn veb kombinat mikroelektrontk Vorslond des B e i i r k i v e r b o n d e i F r a n k f u , Das Q u a l i t à tssicherungssystem in VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) Aufgaben und Organisation , DDR den Erzeugnissen international führender Her steller gleichwertig sind. Dem VEB Halbleiterwerk , "Betrieb der ausgezeichneten Qualitätsarbeit" verliehen. . ) Der VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder verfügt , Qualität und Zuverlässigkeit Im Handbuch "Qualitätssicherung und Standardisierung", VEB Verlag 'Die


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Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: aktive elektronische bauelemente ddr SMY50 smy 51 Transistoren DDR information applikation elektronik DDR SMY52 aktive elektronische ddr veb
Text: KOMBINAT VEB FUNKWERK ERFURT V o r w o r t Mit der vorliegenden Sohrift "MOS-Feldeffekttransistoren Applikationsbel3pielen setzen wir unsere Reihe der Informationsschriften Uber die Halbleiterbauelemente des Kombinats VEB , effekttransistoren und Halbleiterdioden des Kombinates VEB Funkwerk Erfurt eingesetzt sind, wollen wir den , " enthalten. Beim Umgang mit den MOS-Feldeffekttransistoren sind unbe dingt die vom Kombinat VEB Funkwerk , Schalter gelegt werden (zweiter Kontaktsatz KOMBINAT VEB FUNKWERK ERFURT DDR-501 Erfurt, R udolfstraße


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PDF DDR-501 Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr SMY50 smy 51 Transistoren DDR information applikation elektronik DDR SMY52 aktive elektronische ddr veb
Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die , Neuentwicklungen In Entwicklung HFO Kombinat VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) Stammbetrieb VEB Gleichrichterwerk Großräschen Betrieb im Kombinat VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) VEB Gleichrichterwerk Stahnsdorf Betrieb im Kombinat VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) VEB Röhrenwerk Anna Seghers Neuhaus Betrieb im Kombinat VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) Kombinat VEB Funkwerk Erfurt VEB Röhrenwerk


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PDF DOR102 Halbleiterbauelemente DDR GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: MAA 436 TESLA mikroelektronik applikation IL709M Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 mikroelektronik Heft MAA725 K553UD1A Tesla katalog "Mikroelektronik" Heft
Text: INTEGRIERTE SCHALTUNGEN MIKROELEKTRONIK HEFT 6 veb Halbleiterwerk frankfurt (oder) leitbetrieb im veb kombinat mikroelektronik Autor Redaktionelle Bearbeitung und Layout Umschlag : Ing. Gerd , ) Sbertusstraße Z Interessenten im Ausland: y¿;3 Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) Leitbetrieb im VEB Kombinat , . Hinweis: Seite 6 ist ein leeres Blatt 1,0. Vorwort Der VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder wurde , Betriebe ^ VEB VEB VEB VEB Gleichrichterwerk Großräschen Röhrenwerk Neuhaus Gleichrichterwerk Stahnsdorf


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VEB mikroelektronik

Abstract: Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik Heft
Text: Leistungsschalttransistoren VEB MIKROELEKTRONIK ,VARLIIE8KNECHT"57AHNSDORP im VEB K o m b in o t M i k ro e le k tr o n , : DDR-Interessenten: VEB Gleichrichterwerk Stahnsdorf '15'H Stahnsdorf Euhlsdorfer Weg Interessenten im Ausland: VEB Halbleiterwerk Prankfurt(Oder) im VEB Kombinat Mikroelektronik Außenstelle Leipzig Werbung und , sind, Vorbehalten» Spezielle Anfragen sind zu richten an ; VEB Mikroelektronik " Karl Liebknecht " Stahnsdorf im VEB Kombinat Mikroelektronik DDR - 1533 Stahnsdorf Euhlsdorfer Weg {Telefon ; 680 ¡Telex


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PDF 57AHNSDORP VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik Heft
T112-16

Abstract: Halbleiterbauelemente DDR Datenblattsammlung Tesla katalog tesla schaltkreise mikroelektronik datenblattsammlung VEB mikroelektronik mikroelektronik RFT mikroelektronik DDR rft katalog
Text: Halbleiterbauelemente des in den Listen elektronischer Bauelemente ©ingestuften Sortimente© Aus den Datenblättern können , VEB Applikationszentrum Elektronik. Berlin Abt. AV Mainser Str® 25 Die Herausgabe der Datenblattsammlung erfolgt im Aufträge des YEB Kombinat Mikroelektronik durch den VEB Applikationszentrum Elektronik , © iö3f'ia7 (Mikroplan filft-Nr*-*-. EO -004 231-? beziehbar" vom - VEB ä e b . . Abt« A V t ; 1035 .Berlin , , TESLA LanSkroun« S® 103* 105 . . . . (Mikroplanflln-Nivs EO 004 231 1 beziehbar vo® VEB AEB Abt© AV 1035


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PDF DDR-1035 T112-16 Halbleiterbauelemente DDR Datenblattsammlung Tesla katalog tesla schaltkreise mikroelektronik datenblattsammlung VEB mikroelektronik mikroelektronik RFT mikroelektronik DDR rft katalog
Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: transistor vergleichsliste u82720 Datenblattsammlung VEB mikroelektronik aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik datenblattsammlung je 3055 Motorola Transistor Vergleichsliste DDR mikroelektronik DDR
Text: des VEB Kombinat Mikroelektronik unter Mitwirkung der jeweiligen Ba mente-Hersteller durch, den VEB , DDE als Abonnement oder in Einzelausgaben bestellt werden bei VEB Applikationszentrum Elektronik , pribory Tranzistory Spravoonik ( Halbleiterbauelemente Transistoren Handbuch) 1985 Energoatomisdat, S. 810 , 103 MP, Techni&eskije uslovije 3.365.000 TU (TB 11-78 Halbleiterbauelemente Peldeffelettransistören KP , 4) Elorg Moskva, S. 101 /2/ Poluprovodnikovye pribory Tranzistory Spravoonik ( Halbleiterbauelemente


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PDF R-1035 Halbleiterbauelemente DDR transistor vergleichsliste u82720 Datenblattsammlung VEB mikroelektronik aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik datenblattsammlung je 3055 Motorola Transistor Vergleichsliste DDR mikroelektronik DDR
2006 - Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: =3A ; VCE=4V ) Collector cut-off current (VCE=40V; VEB =0) (VCE=60V; VEB =0) (VCE=80V; VEB =0) (VCE=100V; VEB =0) Collector cut-off current (VCE=30V; VEB =0) (VCE=60V; VEB =0) Emitter cut-off current ( VEB


Original
PDF TIP31/31A/31B/31C TIP32 TIP31 TIP31A TIP31B TIP31C
2005 - PIC16F676

Abstract: AN981 pic16f676 circuit diagram DS40051 PIC16F676 source code 4 digit led display 14pin TC77 advantages of microcontroller pic16f676 AN871 MCP9700 SOT23
Text: The VEB equation is important because it contains three constants (k, q and N) and the temperature , temperature, while eliminating the process dependent variable, IS. Voltage VEB is also referred to as , over temperature. Note that it has been assumed that VEB is only a function of the current and thermal voltage VT (VT = kT/q). The complete equation for VEB is more complex; however, this , transistors and the voltage VEB (N) is established. V EB = V EB ( I ) ­ V EB ( I 2 1) I1 N × I1 kT


Original
PDF AN981 MCP9700 14-pin ci34-8870 DS00981A-page PIC16F676 AN981 pic16f676 circuit diagram DS40051 PIC16F676 source code 4 digit led display 14pin TC77 advantages of microcontroller pic16f676 AN871 MCP9700 SOT23
2006 - Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: current (VCE=40V; VEB =0) (VCE=60V; VEB =0) (VCE=80V; VEB =0) (VCE=100V; VEB =0) Collector cut-off current (VCE=30V; VEB =0) (VCE=60V; VEB =0) Emitter cut-off current ( VEB =5V; IC=0) DC current gain (IC=0.3A ; VCE


Original
PDF TIP41/41A/41B/41C O-220 TIP42 TIP41 TIP41A TIP41B TIP41C
2007 - TIP42 Application Note

Abstract: No abstract text available
Text: =-4V ) Collector cut-off current (VCE=-40V; VEB =0) (VCE=-60V; VEB =0) (VCE=-80V; VEB =0) (VCE=-100V; VEB =0) Collector cut-off current (VCE=-30V; VEB =0) (VCE=-60V; VEB =0) Emitter cut-off current ( VEB =-5V; IC=0) DC current


Original
PDF TIP42/42A/42B/42C TIP41 TIP42 TIP42A TIP42B TIP42C O-220 TIP42 TIP42 Application Note
sot440

Abstract: MLC092
Text: ; lE = 0 VCE = 24 V; lE = 0 Vce = 24 V; lE = 0 VEB = 1.5 V; lc = 0 VEb = 1.5 V; lc = 0 VEB = 1.5 V; lc = 0 lE = lc = 0; Vcs = 24 V; VEB = 1.5 V; f = 1 MHz lE = lc = 0; VCB = 24 V; VEB = 1.5 V; f = 1 MHz lE = lc = 0; VCB = 24 V; Veb = 1.5 V; f = 1 MHz lE = lc = 0; VCB = 24 V; Veb = 1.5 V; f = 1 MHz |E = lc = 0; Vcb = 24 V; VEB = 1.5 V; f = 1 MHz Ie = lc = 0; Vcb = 24 V; VEB = 1.5 V; f = 1 MHz Iebo


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PDF OT440A PTB32001X; PTB32003X; rTB32005X PTB32003X. PTB32005X sot440 MLC092
2007 - Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: =-4V ) Collector cut-off current (VCE=-40V; VEB =0) (VCE=-60V; VEB =0) (VCE=-80V; VEB =0) (VCE=-100V; VEB =0) Collector cut-off current (VCE=-30V; VEB =0) (VCE=-60V; VEB =0) Emitter cut-off current ( VEB =-5V; IC=0) DC current


Original
PDF TIP42/42A/42B/42C TIP41 TIP42 TIP42A TIP42B TIP42C O-220
2006 - Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: current (VCE=40V; VEB =0) (VCE=60V; VEB =0) (VCE=80V; VEB =0) (VCE=100V; VEB =0) Collector cut-off current (VCE=30V; VEB =0) (VCE=60V; VEB =0) Emitter cut-off current ( VEB =5V; IC=0) DC current gain (IC=1A ; VCE


Original
PDF TIP31/31A/31B/31C TIP32 TIP31 TIP31A TIP31B TIP31C
2006 - TO220BV

Abstract: TIP41C Tip41c pin out
Text: ( IC=6A ; VCE=4V ) Collector cut-off current (VCE=40V; VEB =0) (VCE=60V; VEB =0) (VCE=80V; VEB =0) (VCE=100V; VEB =0) Collector cut-off current (VCE=30V; VEB =0) (VCE=60V; VEB =0) Emitter cut-off current ( VEB =5V; IC=0) DC current gain (IC=0.3A ; VCE=4V) (IC=3A ; VCE=4V) Transition frequency ( IC


Original
PDF TIP41/41A/41B/41C TIP42 TIP41 TIP41A TIP41B TIP41C TO220BV TIP41C Tip41c pin out
2001 - Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: = 30 V IB = 0; VCE = 40 V VEB (off) = 1.5 V; VCE = 45 V VEB (off) = 1.5 V; VCE = 65 V VEB (off) = 1.5 V; VCE = 85 V VEB (off) = 1.5 V; VCE = 40 V; VEB (off) = 1.5 V; VCE = 60 V; VEB (off) = 1.5 V; VCE = 80 V; Emitter cut-off current IC = 0; VEB = 5 V Breakdown voltages IC = 200 mA; IB = 0 IC = 1


Original
PDF O-220 2N6486, 2N6487, 2N6488 2N6489, 2N6490, 2N6491 C-120
Tip31

Abstract: No abstract text available
Text: 1.8 V ICES TIP31 TIP31A TIP31B TIP31C Collector cut-off current (VCE=40V; VEB =0) (VCE=60V; VEB =0) (VCE=80V; VEB =0) (VCE=100V; VEB =0) 0.2 mA 0.3 A B C D E F G H I J K , TIP31B/31C Collector cut-off current (VCE=30V; VEB =0) (VCE=60V; VEB =0) IEBO Emitter cut-off current ( VEB =5V; IC=0) Hfe DC current gain (IC=1A ; VCE=4V) (IC=3A ; VCE=4V) Transition


Original
PDF TIP31/A/B/C O-220 TIP32 O-220AB TIP31 TIP31A TIP31B TIP31C Tip31
2007 - TIP32 Application Note

Abstract: No abstract text available
Text: =-0.375A ) Base-emitter Voltage ( IC=-3A ; VCE=-4V ) Collector cut-off current (VCE=-40V; VEB =0) (VCE=-60V; VEB =0) (VCE=-80V; VEB =0) (VCE=-100V; VEB =0) Collector cut-off current (-VCE=30V; VEB =0) (-VCE=60V; VEB =0) Emitter cut-off current (- VEB =5V; IC=0) DC current gain (IC=-1A ; VCE=-4V) (IC=-3A ; VCE=-4V) Transition frequency


Original
PDF TIP32/32A/32B/32C TIP31 TIP32 TIP32A TIP32B TIP32C TIP32 Application Note
2007 - TIP32 Application Note

Abstract: TIP32 applications TO220BV
Text: ( IC=-3A ; VCE=-4V ) Collector cut-off current (VCE=-40V; VEB =0) (VCE=-60V; VEB =0) (VCE=-80V; VEB =0) (VCE=-100V; VEB =0) Collector cut-off current (-VCE=30V; VEB =0) (-VCE=60V; VEB =0) Emitter cut-off current (- VEB =5V; IC=0) DC current gain (IC=-1A ; VCE=-4V) (IC=-3A ; VCE=-4V) Transition frequency


Original
PDF TIP32/32A/32B/32C TIP31 TIP32 TIP32A TIP32B TIP32C TIP32 Application Note TIP32 applications TO220BV
2006 - tip31 npn

Abstract: No abstract text available
Text: current (VCE=40V; VEB =0) (VCE=60V; VEB =0) (VCE=80V; VEB =0) (VCE=100V; VEB =0) Collector cut-off current (VCE=30V; VEB =0) (VCE=60V; VEB =0) Emitter cut-off current ( VEB =5V; IC=0) DC current gain (IC=1A ; VCE


Original
PDF TIP31/31A/31B/31C O-220 TIP32 TIP31 TIP31A TIP31B TIP31C tip31 npn
2006 - Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: =3A ; VCE=4V ) Collector cut-off current (VCE=40V; VEB =0) (VCE=60V; VEB =0) (VCE=80V; VEB =0) (VCE=100V; VEB =0) Collector cut-off current (VCE=30V; VEB =0) (VCE=60V; VEB =0) Emitter cut-off current ( VEB


Original
PDF TIP31/31A/31B/31C TIP32 TIP31 TIP31A TIP31B TIP31C
2007 - tip42

Abstract: No abstract text available
Text: Voltage ( IC=-6A ; VCE=-4V ) Collector cut-off current (VCE=-40V; VEB =0) (VCE=-60V; VEB =0) (VCE=-80V; VEB =0) (VCE=-100V; VEB =0) Collector cut-off current (VCE=-30V; VEB =0) (VCE=-60V; VEB =0) Emitter cut-off current ( VEB =-5V; IC=0) DC current gain (IC=-0.3A ; VCE=-4V) (IC=-3A ; VCE=-4V) Transition frequency ( IC


Original
PDF TIP42/42A/42B/42C O-220 TIP41 TIP42 TIP42A TIP42B TIP42C O-220
2007 - Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: Voltage ( IC=-3A ; VCE=-4V ) Collector cut-off current (VCE=-40V; VEB =0) (VCE=-60V; VEB =0) (VCE=-80V; VEB =0) (VCE=-100V; VEB =0) Collector cut-off current (-VCE=30V; VEB =0) (-VCE=60V; VEB =0) Emitter cut-off current (- VEB =5V; IC=0) DC current gain (IC=-1A ; VCE=-4V) (IC=-3A ; VCE=-4V) Transition frequency ( IC


Original
PDF TIP32/32A/32B/32C TIP32 TIP32A TIP32B TIP32C TIP31
Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: (VCE=40V; VEB =0) (VCE=60V; VEB =0) (VCE=80V; VEB =0) (VCE=100V; VEB =0) Collector cut-off current (VCE=30V; VEB =0) (VCE=60V; VEB =0) Emitter cut-off current ( VEB =5V; IC=0) DC current gain (IC


Original
PDF TIP41/41A/41B/41C TIP42 TIP41 TIP41A TIP41B TIP41C
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