The Datasheet Archive

Top Results (6)

Part Manufacturer Description Datasheet Download Buy Part
5145263-2 TE Connectivity Ltd 1MM STD EDGE 124 POS
5145263-1 TE Connectivity Ltd 1MM STD EDGE 124 POS
145263-2 TE Connectivity Ltd AMP 1MM STD EDGE 124 POS
145263-5 TE Connectivity Ltd AMP 1MM STD EDGE 124 POS
145263-1 TE Connectivity Ltd AMP 1MM STD EDGE 124 POS
6-87961-1 TE Connectivity Ltd 124 MODII HORZ DR CE 100CL/115
SF Impression Pixel

Search Stock (10)

  You can filter table by choosing multiple options from dropdownShowing 10 results of 10
Part Manufacturer Supplier Stock Best Price Price Each Buy Part
JE-124D Good Sky Electric Co Ltd Karl Kruse GmbH & Co KG 1,000 - -
JE-124DM Good Sky Electric Co Ltd Karl Kruse GmbH & Co KG 1,000 - -
JE-124DMO Good Sky Electric Co Ltd Karl Kruse GmbH & Co KG 1,000 - -
JE-124DN Good Sky Electric Co Ltd Karl Kruse GmbH & Co KG 1,000 - -
JE-124DO Good Sky Electric Co Ltd Karl Kruse GmbH & Co KG 1,000 - -
JE124DMG Good Sky Electric Co Ltd Karl Kruse GmbH & Co KG 1,000 - -
SDDJE12400 Alps Electric Co Ltd Avnet - $0.59 $0.54
SDDJE12400 Chip One Exchange 945 - -
SDDJE12400 Alps Electric Co Ltd Chip1Stop 8 $3.45 $3.45
SDDJE12400 Alps Electric Co Ltd Master Electronics 521 $1.33 $0.60

No Results Found

JE 124 Datasheets Context Search

Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags
Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: Port 119 Scan CeU 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 , 156 157 158 159 IQX320 Pin Name Port 110 Port 121 Port 122 Port 123 Port 124 Port 125 , Cell 1 2 0 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 , 159 Pin Name Port 120 Port 121 Port 122 Port 123 Port 124 Port 125 Port 126 Port 127 Port , value for all pins 0 (LSB) JE Control Bit; 0 = Tristate, 1 = Force 1 (MSB) Read


OCR Scan
PDF IQX320, IQX240B, IQX160 IQX128B. IQX160 IQX128B
SiC BJT

Abstract: Transistor BC 457 bipolar transistor ghz s-parameter 4h sic rf POWER BJTs RF transistors with s-parameters NPN transistor mhz s-parameter RF Transistor s-parameter bipolar transistor s-parameter RF Bipolar Transistor
Text: GHz biased in common-emitter configuration at JE = 10.6 kA/cm2 and VCE = 20 V. These are the highest , available power gain (GMAX) is 18.6-dB at 500 MHz and 12.4 -dB at 1 GHz, demonstrating the potential of 4H , fabricated on a semi-insulating substrate with an fT/fMAX of 7/5.2 GHz, and GMAX of 12.4 -dB at 1 GHz and , to the self-heating. The maximum emitter current 2 density JE is 10.1 kA/cm at VCE = 20 V with a , emitter bias current densities ( JE ). 200 The high frequency performance is characterized by onwafer


Original
PDF
LC1200

Abstract: IPC 7351 JESD22 METHOD JA-104 aluminum electrolytic capacitor
Text: HG HG HG HG HG HG HG HG HG HG HG HG HG HG JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JE JE JE JE JE JP JP JP JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JE JE JE JE JE JP JP JP JE JE JE JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JE JE JE JE JE JP JP JP JE JE JE JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JE JE JE JE JE JP JP JP JP JP JP


Original
PDF 15bis LC1200 IPC 7351 JESD22 METHOD JA-104 aluminum electrolytic capacitor
C5VI ezx79

Abstract: C9VI C7V6 zener c7v6 bs9305n041 0B8 diode zener BZY88 BZX79 BS9305 C5VI
Text: 11.4 12.7 25 +8.4 5 0.1 8.0 —C13 13 12.4 14.1 30 +9.4 6 0.1 8.0 —C15 15 13.8 15.6 30 +11.4 5 0.05 10.5 -CIS 16 15.3 17.1 40 + 12.4 5 0.05 11.2 —C18 18 16.8 19.1 45 +14.4 5 0.05 12.6 —C20 20 18.8 , —C1V3* 1.3 1.24 1.44 15" -3.7 6 0.5 10 -C2V7 2.7 2.5 2.9 120 -2.2 6 26 1.0 —C3V0 3.0 2 S 3.2 120 , JE DEC outline drawings. 56 57 2.54 1 2 P1 ci(.) k(-) P2 e c 0 2.51 max. SOD-42 , 1.42 , obtained from individual data sheets in the Technical Handbook or from standard B.S. or JE DEC outline


OCR Scan
PDF 400mW DO-35 BZX79 h--22-> crt6-25 C5VI ezx79 C9VI C7V6 zener c7v6 bs9305n041 0B8 diode zener BZY88 BS9305 C5VI
R147

Abstract: R150 200V470
Text: Current (A rms) at 105t 120Hz Volta je (Code) 10V (1 A) 16V (1C) 25V (1E) 35V (1V) Cap.(nF) Code Case , ) STANDARD RATINGS Maximum Allowable Ripple Current (A rms) at 105t 120Hz Volta je (Code) 50V (1H) 63V (1 J , 827 20x25 1.04 20x35 1.31 22x30 1.32 20x30 1.24 20x35 1.43 1000 108 20x25 1.10 , Allowable Ripple Current (A rms) at 105t 120Hz Volta je (Code) 160V (2C) 180V (2P) 200V (2D) 220V (2N , 20x35 1.09 20x35 1.17 20x40 1.18 330 337 22x30 1.20 22x35 1.24 22x25 1.03 22x30 1.13


OCR Scan
PDF 100nF 120Hz, 30x40 35x45 30x35 35x30 25x50 R147 R150 200V470
asx340

Abstract: je 243 PLK3210 S004 se 336 IQX320 IQX240B IQX128B JE 33 IQX160
Text: 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 , Port 123 Port 124 Port 125 Port 126 Port 127 Port 128 Port 129 Port 130 Port 131 Port 132 Port 133 Port , Scan Cell 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 , Port 121 Port 122 Port 123 Port 124 Port 125 Port 126 Port 127 Port 128 Port 129 Port 130 Port 131 Port , (Update DR) 0 (LSB) 1 (MSB) B it Name AS PS JE JD D uring. Read (Capture DR) F unction Array Side


OCR Scan
PDF
Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: 100W 60W 100W 200W FREQUENCY RANGE (GHz) DC - 26.5 DC - 50.0* DC - 12.4 DC - 18.0 DC - 18.0 DC - 12.4 DC - 18.0 DC - 12.4 DC - 11.0 CONNECTOR TYPE SMA (OSM)® OS-50TM N,TNC,BNC,SMA (OSM) NJNQSMA (OSM) SMA , -50 are trademarks of M/A-COM S p e c ific a tio n s S u b je c t to C h a n g e W ith o u t N otice , (no power applied to the actuator). S p e c ific a tio n s S u b je c t to C h a n g e W ith o u t , a tio n s S u b je c t to C h a n g e W ith o u t N otice. M/A-COM Inc. 1011 Pawtucket


OCR Scan
PDF 12VDC) MIL-S-3928 MIL-S-55041;
2012 - JIS-C-6429 Appendix 2

Abstract: JESD22 METHOD JA-104 aluminum electrolytic capacitor
Text: JP JP JP JP JE JE JE JE JE JP JP JP JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JE JE JE JE JE JP JP JP JE JE JE JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JE JE JE JE JE JP JP JP JE JE JE JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JE JE JE JE JE JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JP JE JE


Original
PDF 15bis JIS-C-6429 Appendix 2 JESD22 METHOD JA-104 aluminum electrolytic capacitor
BZX61

Abstract: BZX81 zener diode bzy88 BZY88 bs9305n041 diode zener BZX61 C 10 1N748A 1N759A
Text: +8.7 5 2.5 7 —C12 12 114 12.7 35 +9.0 5 2.5 8 —c13 13 12.4 14.1 35 +10.5 5 2.5 9 -CIS IS 13.8 , —C130 130 124 141 300 +0.10 5 5 90 -CIBO 150 138 1S6 950 +0.11 2 5 100 -C160 160 153 171 1000 +0.11 2 , from individual data sheets in the Technical Handbook or from standard B.S. or JE DEC outline drawings , individual data sheets in the Technical Handbook or from standard B.S. or JE DEC outline drawings. 58 , sheets in the Technical Handbook or from standard B.S. or JE DEC outline drawings. 60 19 (*Z). XDUl 9


OCR Scan
PDF 400mW BZY88 h--22-> crt6-25 BZX61 BZX81 zener diode bzy88 BZY88 bs9305n041 diode zener BZX61 C 10 1N748A 1N759A
Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: 63-77 125-160 180-230 8.5-12.85 17-25.70 24-36 35-56 40-62 48-74 56-86 110-175 155-250 124 124 124 124 124 124 124 124 124 1 1 1 1 1 1 1 1 1 FBP-11 FBP-21 FBP-30 FBP-45 FBP-50 FBP-60 FBP-70 FBP , e w Je rse y 0 75 04 · Tel: (973) 8 81 -8 8 0 0 · Fax: (973) 881-8361 E -M a il: sa le s@ syn e


OCR Scan
PDF FBP-11 FBP-21 FBP-30 FBP-45 FBP-50 FBP-60 FBP-70 FBP-140 FBP-200 MIL-F-18327.
2011 - transistor w 431

Abstract: transistor 431 smd TIC 122 Transistor transistor SE 431 w 431 transistor transistor je 123 6 pin TRANSISTOR SMD CODE tm transistor+431+smd
Text: - ECCN EAR99 EAR99 Description Packaged Transistor 5-6 GHz Eval Board Disc la ime r: Sub je c t , la ime r: Sub je c t to c ha ng e witho ut no tic e Co nne c ting the Dig ita l Wo rld to the Glo b , riQuint Se mic onduc tor, Inc . - 3 of 15- Disc la ime r: Sub je c t to c ha ng e witho ut no tic e , of 15- Disc la ime r: Sub je c t to c ha ng e witho ut no tic e Co nne c ting the Dig ita l Wo , 13.6 13.3 12.9 12.5 12.5 12.4 12.4 12.3 12.3 12.2 12.2 12.1 12.1 12.0 11.8 11.6 11.3


Original
PDF T1G6001528-Q3 T1G6001528-Q3 transistor w 431 transistor 431 smd TIC 122 Transistor transistor SE 431 w 431 transistor transistor je 123 6 pin TRANSISTOR SMD CODE tm transistor+431+smd
1999 - GPLY6118

Abstract: ati 18800 E-6020 GPLY61
Text: Chips bei einem Strom von 30 mA je Chip. Einzelne Chiphelligkeiten werden nicht getestet. Note: -5K8L , Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlassstrom je Chip Forward current per chip (TA=25°C) Stoßstrom je Chip Surge current per chip t 10 s, D = 0.1 Sperrspannung je Chip5) Seite 19 Reverse voltage per chip5) page 19 Leistungsaufnahme je Chip Power consumption per chip Wärmewiderstand Thermal resistance , Durchlassspannung je Chip8) Seite 19 Forward voltage per chip8) page 19 IF = 30 mA Sperrstrom je Chip Reverse


Original
PDF D-93055 GPLY6118 ati 18800 E-6020 GPLY61
at9000s

Abstract: M8 Lock Washer, Stainless Steel AT4051 AT300 AT4032 AT3075 SB40 AT057 lb 122 s at615
Text: Nickel/brass Series: KB ( 12.4 ) Dia .488 (14.0) Dia .551 M12 P1 M12 P1 (14.0) .551 , FB M2B MB24 (1.8) .071 AT477 .201" Dia. Cap Polycarbonate Colors: JB JC JE JF JG , for LED Round Cap for LED Polycarbonate Colors: JB JC JE JF JG Series: KB Polycarbonate Colors: JB JC JE JF JG Series: KB Polycarbonate Colors: JB JC JD JF Series: KB Polycarbonate , Volts: 110 Series: LB T-1 Bi-pin Volts: 5 12 28 Series: KB YB T-1 Bi-pin (3.1) Dia . 124 (5.5


Original
PDF 2100s AT9000s AT4169 AT9201 AT9410 at9000s M8 Lock Washer, Stainless Steel AT4051 AT300 AT4032 AT3075 SB40 AT057 lb 122 s at615
Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: 124 154 184 224 274 334 C Product Availability and Chip Thickness Codes See Table 2 for , HG HG HG HG HG JK JK JK JK JK JK JK JK JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JK JK JK JK JK JK JK JK JE JE JK JL JN JN JK JK JK JK JK JK JK JK JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JK JK JK JK JK JK JK JK JE JE JK


Original
PDF
2013 - KPS Series, High Voltage, X7R Dielectric, 500 – 630 VDC (Commercial Grade)

Abstract: No abstract text available
Text: 683 823 104 124 154 184 224 274 334 C 1000 15,000 pF 18,000 pF 22,000 pF 27,000 pF , HG HG HG JK JK JK JK JK JK JK JK JE JE JE JK JE JE JE JE JE JE JK JK JK JK JK JK JK JK JE JE JE JK JE JE JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JE JE JE JK JE JE JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JE JE JE JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JE JE JE JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK


Original
PDF
1999 - Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: Chips bei einem Strom von 30 mA je Chip. Einzelne Chiphelligkeiten werden nicht getestet. Note: -5K8L , Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlassstrom je Chip Forward current per chip (TA=25°C) Stoßstrom je Chip Surge current per chip t 10 s, D = 0.1 Sperrspannung je Chip5) Seite 19 Reverse voltage per chip5) page 19 Leistungsaufnahme je Chip Power consumption per chip Wärmewiderstand Thermal resistance , Durchlassspannung je Chip8) Seite 19 Forward voltage per chip8) page 19 IF = 30 mA Sperrstrom je Chip Reverse


Original
PDF D-93049
2012 - Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: Chips bei einem Strom von 30 mA je Chip. Einzelne Chiphelligkeiten werden nicht getestet. Note: -5K8L , Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlassstrom je Chip Forward current per chip (TA=25°C) Stoßstrom je Chip Surge current per chip t 10 µs, D = 0.1 Sperrspannung je Chip5) Seite 19 Reverse voltage per chip5) page 19 Leistungsaufnahme je Chip Power consumption per chip Wärmewiderstand Thermal resistance , Durchlassspannung je Chip8) Seite 19 Forward voltage per chip8) page 19 IF = 30 mA Sperrstrom je Chip Reverse


Original
PDF D-93055
Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: 4 0ûC je m p Accuracy V je m p DC Offset Sensor Gain Trip Point Hysteresis Power Supply Regulation V je m p Output Impedance 5 T P hyst I- AV/AT ÛC ÛC LU 0 , 0.004 0.10 0.048 1.24 0.012 0.030 0.007 0.17 0.188 4.78 14-PIN MIN 0.053 1.35 0.004 0.10 0.048 1.24 0.012 0.30 0.007 0.17 0.337 8.55 16-PIN MIN 0.053 1.35 0.004 0.10 0.048 1.24 0.012 0.30 0.007 0.17


OCR Scan
PDF 150mil) LM56xlM 14-PIN 16-PIN
2013 - Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: 124 154 184 224 274 334 C Product Availability and Chip Thickness Codes See Table 2 for , KH KJ 1000 H JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JE JE JE JE JE JK JL JL JN 630 Z JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JE JE JE JK JL JL JN 500 G JK JK JK JK JK JK JK JK JE JE JE JE JE JK JK JK JK JL JL JN JN JN 3000 F C1825 JK JK JK JK JK JK JK JK JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JK JK JK JK JK JK


Original
PDF
2013 - KPS Series, High Voltage, X7R Dielectric, 500 – 630 VDC (Commercial Grade)

Abstract: No abstract text available
Text: 153 183 223 273 333 393 473 563 623 683 823 104 124 154 184 224 274 334 C 1000 , B D F G Series HG HG HG HG HG HG HG HG JK JK JK JK JK JK JK JK JE JE JE JK JE JE JE JE JE JE JK JK JK JK JK JK JK JK JE JE JE JK JE JE JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JE JE JE JK JE JE JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JE JE JE JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JE JE JE


Original
PDF
2013 - Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: 273 333 393 473 563 623 683 823 104 124 154 184 224 274 334 C Product Availability , JK JK JK JK JK JE JE JE JE JE JK JL JL JN 630 Z JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JE JE JE JK JL JL JN 500 G JK JK JK JK JK JK JK JK JE JE JE JE JE JK JK JK JK JL JL JN JN JN 3000 F C1825 JK JK JK JK JK JK JK JK JE JE JE JE JE JE JE JE JE JE JK JK JK JK JK JK JE JK JL JL JL JN 2500 JK


Original
PDF
KPS Series, High Voltage, X7R Dielectric, 500 – 630 VDC (Commercial Grade)

Abstract: No abstract text available
Text: 104 124 154 184 224 274 334 C 630 1000 12,000 pF 15,000 pF 18,000 pF 22,000 pF , JK JK JK JK JE JE JE JK JE JE JK JK JK JK JK JK JK JK JE JE JE JK JE JE JK JK JK JK JK JK JK JK JE JE JE JK JE JE JK JK JK JK JK JK JK JK JE JE JE JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK JE JE JE JK JK JK JK JK JK JK JK JK JK , 273 333 393 473 563 623 683 823 104 124 154 184 224 Capacitance Tolerance J K M J


Original
PDF
1999 - Q65110A2597

Abstract: 20/GPLY6118
Text: 30 mA je Chip. Einzelne Chiphelligkeiten werden nicht getestet. Note: -5K8L Color selection acc. to , temperature Tj + 125 °C IF 30 5 mA mA Durchlassstrom je Chip Forward current per chip (TA=25°C) (min.) IF Stoßstrom je Chip Surge current per chip t 10 µs, D = 0.1 IFM 300 mA Sperrspannung je Chip5) Seite 19 Reverse voltage per chip5) page 19 VR 5 V Leistungsaufnahme je Chip Power consumption per chip Ptot 120 mW Rth JA Rth JA Rth JS Rth JS 340


Original
PDF D-93049 Q65110A2597 20/GPLY6118
2012 - FL500

Abstract: GK 131 smd marking KE
Text: 473 563 623 683 823 104 124 154 184 224 274 334 Voltage Code Voltage DC Capacitance Tolerance J K M , HG HG HG 3000 JP JP JP JP JP JP JP JP JE JE JE JP JE JE JE JE JE JE 500 JP JP JP JP JP JP JP JP JE JE JE JP JE JE JP JP JP JP 630 JP JP JP JP JP JP JP JP JE JE JE JP JE JE JP JP JP JP 1000 JP JP JP JP JP JP JP JP JE JE JE JP JP JP JP JP JP JP 1500 JP JP JP JP JP JP JP JP JE JE JE JP JP JP JP JP JP JP , 823 104 124 154 184 224 Voltage Code Voltage DC Capacitance Tolerance J K M J K M J K M M J K J K M


Original
PDF
2012 - smd marking KE

Abstract: No abstract text available
Text: 473 563 623 683 823 104 124 154 184 224 274 334 Voltage Code Voltage DC Capacitance Tolerance J K M , HG HG HG 3000 JP JP JP JP JP JP JP JP JE JE JE JP JE JE JE JE JE JE 500 JP JP JP JP JP JP JP JP JE JE JE JP JE JE JP JP JP JP 630 JP JP JP JP JP JP JP JP JE JE JE JP JE JE JP JP JP JP 1000 JP JP JP JP JP JP JP JP JE JE JE JP JP JP JP JP JP JP 1500 JP JP JP JP JP JP JP JP JE JE JE JP JP JP JP JP JP JP , 202 222 272 332 392 472 562 682 822 103 123 153 183 223 273 333 393 473 563 623 683 823 104 124 154


Original
PDF
Supplyframe Tracking Pixel