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LTC3413IFE Linear Technology LTC3413 - 3A, 2MHz Monolithic Synchronous Regulator for DDR/QDR Memory Termination; Package: TSSOP; Pins: 16; Temperature Range: -40°C to 85°C
LTC3413EFE#TRPBF Linear Technology LTC3413 - 3A, 2MHz Monolithic Synchronous Regulator for DDR/QDR Memory Termination; Package: TSSOP; Pins: 16; Temperature Range: -40°C to 85°C
LTC3831EGN Linear Technology LTC3831 - High Power Synchronous Switching Regulator Controller for DDR Memory Termination; Package: SSOP; Pins: 16; Temperature Range: -40°C to 85°C
LTC3634EFE#PBF Linear Technology LTC3634 - 15V Dual 3A Monolithic Step-Down Regulator for DDR Power; Package: TSSOP; Pins: 28; Temperature Range: -40°C to 85°C
LTC3618EUF#PBF Linear Technology LTC3618 - Dual 4MHz, ±3A Synchronous Buck Converter for DDR Termination; Package: QFN; Pins: 24; Temperature Range: -40°C to 85°C
LTC3634EUFD#PBF Linear Technology LTC3634 - 15V Dual 3A Monolithic Step-Down Regulator for DDR Power; Package: QFN; Pins: 28; Temperature Range: -40°C to 85°C

DDR Schaltkreise Datasheets Context Search

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information applikation

Abstract: Mikroelektronik Information Applikation B305D B304D eft 317 transistor information applikation mikroelektronik B303D DDR Schaltkreise "information applikation" A301D
Text: 17, Kopfbau, II. Stage DDR 7010 Inhaltsverzeichnis Initiatorschaltkreise B 303D,.B 304D, B , . Einleitung Seit 1977 werden in der DDR Initiatoren mit dem integrierten Schaltkreis A 301 D hergestellt , , neben der Ablösung der Schaltkreise A 301 D und A 301 W, auch Austauschbarkeit zu gewährleisten. Die , Überblick über Art und Besonderheiten der einzelnen Schaltkreise . Schaltabstandshysterese SchaltzuTyp , Schaltkreise Heben den in Tabelle 1.1. aufgeführten Besonderheiten besitzen alle vier Initiatorschaltkreise


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Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: MAA 436 TESLA mikroelektronik applikation IL709M Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 mikroelektronik Heft MAA725 K553UD1A Tesla katalog "Mikroelektronik" Heft
Text: . Vorwort Digitale bipolare Schaltkreise Allgemeines Widerstands-Transistor-Logik (RTL , . 5.2. 5.3* 5.4. Analoge Schaltkreise für die Konsumgüeterelektronik Allgemeines Übersicht über die T y , Mikroelektronik Außenstelle Leipzig Werbung und Messen DDR '7010 Leipzig Messegelände, Halle 17» II» Etage , und Isolierwerke Zehdenick angehören. Im Leitbereich werden Schaltkreise , Transistoren und Gleich , bipolare Transistoren und bipolare Schaltkreise ab. Aus der Bilanzverantwortlichkeit des VEB Halbleiterwerk


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mikroelektronik ddr

Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik A910D vqb 71 VQB71 diode sy-170 "halbleiterwerk frankfurt" VQB 37 u112d
Text: wichtigsten Grenz- und Kenn daten der in der DDR gefertigten Halbleiterbauelem ente. Dem Anwender soll durch , AX c u . N O rsi 7 Integrierte Schaltkreise TTL-Schaltkreise (N orm alreihe) TTL , Schaltkreise Integrated circuits A ll 1 ml 2 v l 3 A ll » 0 7 » 3 °5 [¡B* 12 I M 11 i r 73 , . . . D 174 D E 100 D . . . E 174 D Integrierte Schaltkreise TTL-Schaltkreise (MSI-Typen , read-out am plifier Y = G (A + S Ä ) (B + s T ) 10 Integrierte Schaltkreise - O Q - 1


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Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: diode BZW 70-20 VEB mikroelektronik Datenblattsammlung mikroelektronik DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik datenblattsammlung mikroelektronik applikation information applikation mikroelektronik "halbleiterwerk frankfurt"
Text: Vorbehalten, ü Die Datenblattsammlung ist kostenpflichtig und kann durch Anwender aus der DDR bestellt , sbgeleltet w«rd«n. Änderungen im Sinne des techni schen Fortschritts find vorbshston. Haraus-geber: DDR , im Sinns des techni schen Fortschritts sind Vorbehalten. H erausgeber DDR -1035 Berlin, Mainzer , : 9 B 303 D - B 306 0 - Die Schaltkreise sind möglichst dicht am Schaltkreis mit einem , Ausgänge der Schaltkreise B 304 D . B 306 D sind, intern- mit Freilaufdioden gegen induktive


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PDF V4019 DDR-1035 Halbleiterbauelemente DDR diode BZW 70-20 VEB mikroelektronik Datenblattsammlung mikroelektronik DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik datenblattsammlung mikroelektronik applikation information applikation mikroelektronik "halbleiterwerk frankfurt"
Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: information applikation applikation heft mikroelektronik Heft "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft 12 "Mikroelektronik" Heft information applikation mikroelektronik "information applikation" VEB mikroelektronik
Text: Messen DDR 7010 Leipzig Messegelände, Halle 17, Kopfbau, II. £taga 3 Inhaltsverzeichnis Seite , diesem "Qualitätssicherungssystem" erzielten Ergebnisse beweisen, daß integrierte Schaltkreise aus der DDR den Erzeugnissen international führender Her steller gleichwertig sind. Dem VEB Halbleiterwerk , bipolarer analoger und digitaler integrierter Schaltkreise , ein ausgewähltes Sortiment von unipolaren , DDR . Das hohe Qualitätsniveau der Erzeugnisse wird u. a. durch die sehr niedrige Reklamationsquote von


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A109d

Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik a211d mikroelektronik DDR B109D "halbleiterwerk frankfurt" VEB Kombinat zf filter halbleiterwerk VEB Kombinat
Text: fremdsprachig 5 Integrierte Schaltkreise TTL-Schaltkreise (Normalreihe) TTL circuits (standard series , expansion of D 150 or D 153 8 Integrierte Schaltkreise Integrated circuits A li 7 O » B l\ 2 n , . . . D 174 D E 100 D . . . E 174 D 9 Integrierte Schaltkreise TTL-Schaltkreise (MSI-Typen , Schaltkreise Integrated circuits Bl 1o * 2 B i 7 Q 7 6 ]<* OB [ 2 73 ]A 7f ] * 73 72 77 H 70 K 9 , Integrierte Schaltkreise TTL-Schaltkreise (schnelle Reihe) TTL circuits (high speed series) Integrated


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VEB mikroelektronik

Abstract: "Mikroelektronik" Heft GWS servo VEB Kombinat zf filter E355D lm 7803 3V Positive Voltage Regulator "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft U706D VQB71
Text: condition between this two pins. Integrierte Schaltkreise TTL-Schaltkreise (Norm alreihe) TTL circuits , Integrierte Schaltkreise Integrated circuits A ll 7 O 73 8J\ 2 12 r/[ 3 11 ] r * M i ib 021 5 Y2[ 6 n C7 , Schaltkreise TTL-Schaltkreise (MSI-Typen) TTL circuits (MSI types) Integrated circuits Grenzdaten max , ) 12 Integrierte Schaltkreise Integrated circuits b Ci Ol 076 75 2 )r LT C 3 , 146 D, D 147 D. D 192 D, D 193 D E 146 D, E 147 D, E 192 D. E 193 D 13 Integrierte Schaltkreise


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mikroelektronik ddr

Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik Datenblattsammlung mikroelektronik datenblattsammlung tda 8841 s1 ub8830d ub 8820 ub 8840 einchipmikrorechner
Text: und k a n n d u r c h Axx~ w e n d e r aus d e r DDR bestellt w e r d e n · Die , für Transisto] ·en der Bauform £ "(TO''- 3) . Integrierte. .¡ Schaltkreise A 1818 D A . 2000- V · A- . , afekteronik feeHin' im v e b ko m b in at: m ikroetek&poriik DDR -1035 Berlin, Mainzer Straße 25 Teiefon: 5 80 , m eiek& ron ik fsnarlin im v e b komtoiriat; rrsk raelek tro rstk DDR -1035 Berlin, Mainzer Straße , vorläufige technische Daten H e r s t e l l e r : V E B H albleiterw erk Frankfurt (Öder) Die Schaltkreise


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PDF DDR-1035 Stre25 mikroelektronik ddr Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik Datenblattsammlung mikroelektronik datenblattsammlung tda 8841 s1 ub8830d ub 8820 ub 8840 einchipmikrorechner
VEB mikroelektronik

Abstract: information applikation e435e fzl135 applikation heft information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft 12 D4803DC "Mikroelektronik" Heft D718D
Text: Leipzig Werbung und Messen Messegelände, Halle 17, Kopfbau, Leipzig DDR 7 0 10 II. Etage - 4 - , - DL 2631 D und DL 2632 B , Schaltkreise für serielle Schnittstellen und ihre Anwendung in , Schaltkreise DL 2631 D und DL 2632 D vorzugsweise in einer V.11- bzw. RS-422-A-Schnittstelle eingesetzt werden , .24- b z w . · RS-232-C-Schnittstelle er heblich. 2. Beschreibung der Schaltkreise DL 2631 D und DL , Zustand Beide Schaltkreise verden im HFO in einem 16poligen DIL-PlastgeTiäuse gefertigt. Die Tafel 7 gibt


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MH 74141

Abstract: Tesla katalog MH74S04 MH74188 information applikation MH74S287 mikroelektronik RFT CDB404E ucy 74132 MZH 115
Text: Kombinat Mikroelektronik Außenstelle Leipzig Werbung und Messen DDR 7010 Leipzig Messegelände,Halle 17 , binolare Schaltkreise im Kombinat ,\Mikroelektronik bilanzbeauftragt. Aus dieser Bilanzbaauftragung ergibt sich im Rahmen der Bedarfsdeckung auch eine umfangreicho Handelsfunktion für bipolare Schaltkreise , vorgestellten Schaltkreise . Auskünfte über Liefermöglichkeiten sind grundsätzlich beim Importeur der Bauelemente , in der DDR angebotenen Schaltungen D/B 355 D D/E 351 D y Schaltkreis für Zeitablaufsteuerungen


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MH1SS1

Abstract: TESLA mh 7400 MH 7404 mh 7400 tesla cdb 838 tda 7851 L 741PC tda 4100 TDB0124DP TDA 7851 A
Text: enthält bipolare und unipolare Schaltkreise . Soweit bekannt und möglich werden den RGW-Typen vergleichbare , 208.K A 210 E A 210 K A 211 D A 220 D A 221 D DDR UA 709 ON UA 710 ON IDA 1002 A A 1818 D A , A 274 D A 277 D A 281 D DDR Í 9 A 9 . 1 6 1 1 3 1 . A A 3 t 9 A 9 " j j 3 , D A 1524 D A 1818 A 2000 D Y ' DDR A 2005 V A 2030 H A 2030 V A 3501 D A 3510 A 3520 A 4100 , _ " barkeit_· _ bereich_ B 060 D DDR T t , 060 CP 4


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mikroelektronik RFT

Abstract: E355D A283D B3370 SN28654N B083D information applikation D100D A277D SN28654
Text: Bipolare integrierte Schaltkreise des VEB Halbleiterwerk Frankfurt /O d e r H e ft 20 v e b , zusammenfassenden Überblick über das aktuelle E r zeugnisspektrum bipolarer analoger und digitaler Schaltkreise des VEB Halbleiterwerk Frankfurt ristik der Schaltkreise werden, (Oder). Neben der Kurzoharaktefalls nicht , we rk Frankfurt Außenstelle Leipzig W e r b un g und Messen DDR 7010 Leipzig (Oder) im VEB , Integrierte Schaltkreise für Phono-, und Rundfunkgeräte Tonbönd- Integrierte Schaltkreise für


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transistor kp 303

Abstract: KP303A Datenblattsammlung VEB mikroelektronik mikroelektronik datenblattsammlung D818G mikroelektronik DDR KP307A Thyristor T6N KP303D
Text: DDR bestellt werden, i - ' Die DatenblattSammlung wird schrittweise aufgebaut (Lose-Blatt-Sammlung , SPN-HF-Transistoren Integrierte Schaltkreise K 565 BU 1 A K 565 RU 2 KR 565 RU 2 K 565 RU 3 K 565 RU 5 K 565 RU 6 K , rtik DDR -1035 Berlin, Mainzer Straße 25 Telefon: 5 80 05 21, Telex: 011 2981; 011 3055 r a i= « s


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PDF DDR-1035 1/86i 2/84s transistor kp 303 KP303A Datenblattsammlung VEB mikroelektronik mikroelektronik datenblattsammlung D818G mikroelektronik DDR KP307A Thyristor T6N KP303D
Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: Dioden SY 250 B250C135 diode sy-250 u103d GD244 transistor gc 301 diode sy 166 D172C SAM42
Text: wichtigsten Grenz-und Kenndaten der in der DDR getertigten Halbleiterbauelemente. Die Kennwerte werden im , onolithische Schaltkreise T yp F u n k tio n U JV min. I d h l /®» max. min. ·d lh /hs iV 0 max , Ausgang von T zu L am Ausgang A rbeitsteniperaturbereich 0 -··70 °C U n ip o lare Schaltkreise , Ü J V o lt (cliiiiiscahinessunircii der monolithischen Schaltkreise und der unipolaren Schaltkreise siehe Seite 22 S 9 s :S K 5 " a * M o 00 k fl ' S 00 o o J3 O > o o


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PDF 6x10x12 Halbleiterbauelemente DDR Dioden SY 250 B250C135 diode sy-250 u103d GD244 transistor gc 301 diode sy 166 D172C SAM42
diode SY 192

Abstract: KP902A Datenblattsammlung Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik transistor kp mikroelektronik datenblattsammlung "halbleiterwerk frankfurt" KP306a mikroelektronik DDR
Text: wender aus der DDR bestellt werden® Die DatenblattSammlung wird schrittweise aufgebaut , 903 W 3. Integrierte Schaltkreise D 718 D DIi 8127 D K 561 ID 1 K 561 IE 9 K 561 IE 10 K 561 IE 11 K , Portsetzung 3. Integrierte Schaltkreise K 561 TW 1 KR 537 RU 2 A U 5200-System U 8272 4« 2 x JK-Flip-Flop ' , Synchronisation der Taktausgänge mehrerer Schaltkreise zu gewährleisten. WÄI T Verriegelter (latched


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information applikation

Abstract: information applikation mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation applikation heft a 109 opv mikroelektronik DDR VEB mikroelektronik A109D schaltungen 861 TAA 761 A
Text: Leipzig Werbung und Messen DDR 7010 Leipzig Jlessegelände, Halle 1 7 Jiopfbau, II, Etage lutor t


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C520D

Abstract: D347D D147d information applikation D348D Halbleiterbauelemente DDR "halbleiterwerk frankfurt" lt 8216 diode applikation heft "Mikroelektronik" Heft
Text: DDR 7C10 Leipzig Messegelände, Halle 17, Kopfbau II. Etage Interessenten i m . Ausland: r : ï i , D-Latsches DS 8232 D/DS 3233 D Die integrierten Schaltkreise DS 8282 D/82S3 D sind Bustreiber mit , gespeicherten Daten am Ausgang an', Wird STB auf High geschaltet, wirken die Schaltkreise DS 8282 D/ 8283 D als , bidirektionaler Bustreiber DS 8236D, DS 82S7 D Die integrierten Schaltkreise DS 3286 D/3287 D sind bidirektionale


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T112-16

Abstract: Halbleiterbauelemente DDR Datenblattsammlung Tesla katalog tesla schaltkreise mikroelektronik datenblattsammlung VEB mikroelektronik mikroelektronik RFT mikroelektronik DDR rft katalog
Text: « Die Datenblatt Sammlung ist kostenpflichtig und kann durch An wender aus der DDR bestellt werden» Die , ;'Auigafe© .3/84 s "Ausgewähl.te Importbauelemente1 1 ·Inhalt 18 Integrierte Schaltkreise 2 x Mozxoflop , K 155 H e rs te lle rla n d : Ü d S S R / Übersetzung ,b e a , r b . / . . Schaltkreise der , mikrosohsiäy: e a s t * ' - 1 cifrövye' kreiseTeil/1 Digitale- Schaltkreise ' } . ! 1¥ /4f I n t e g r f f e ü y , X 'Digitale- Schaltkreise ) '/?/ Ssbvjjet gy&rtm&nyüi digitilia IntegrSit firamfeQrök;'.fSl


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PDF DDR-1035 T112-16 Halbleiterbauelemente DDR Datenblattsammlung Tesla katalog tesla schaltkreise mikroelektronik datenblattsammlung VEB mikroelektronik mikroelektronik RFT mikroelektronik DDR rft katalog
2003 - general architecture of ddr sdram

Abstract: sdram controller vhdl code for DCM PLB DDR asynchronous vhdl sdram powerpc virtex2p vhdl code for ddr sdram controller
Text: 0 DS425 (v1.9.2) October 10, 2003 0 PLB Double Data Rate ( DDR ) Synchronous DRAM (SDRAM , Double Data Rate (PLB DDR ) Synchronous DRAM (SDRAM) controller for VirtexTM-II and Virtex-II ProTM FPGAs provides a DDR SDRAM controller which connects to the PLBbus and provides the control interface for DDR SDRAMs. It is assumed that the reader is familiar with DDR SDRAMs and the IBM PowerPC. Core Specifics , DDR v1.00c Resources Used. See Table 8 Min Features Max The Xilinx DDR SDRAM


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PDF DS425 Clk90 general architecture of ddr sdram sdram controller vhdl code for DCM PLB DDR asynchronous vhdl sdram powerpc virtex2p vhdl code for ddr sdram controller
2004 - Virtex-4 XC4VLX60

Abstract: sdram controller CLK180 DS424 XC2VP20 XC3S1500 XC4VLX60 A01055 vhdl code for ddr sdram controller
Text: 0 DS496 November 15, 2005 0 MCH OPB Double Data Rate ( DDR ) Synchronous DRAM (SDRAM , provides a DDR SDRAM controller which connects to the OPB and multiple channel interfaces and provides the control interface for DDR SDRAMs. It is assumed that the reader is familiar with DDR SDRAM and , Features Min The Xilinx MCH OPB DDR SDRAM Controller is a soft IP core designed for Xilinx FPGAs and , auto-refresh cycles · Supports DDR SDRAM self refresh mode · Supports CAS latencies of 2 or 3 set


Original
PDF DS496 UG081. DS494. DS424. CR211535 Virtex-4 XC4VLX60 sdram controller CLK180 DS424 XC2VP20 XC3S1500 XC4VLX60 A01055 vhdl code for ddr sdram controller
2002 - Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: Cyclone I/O 2002 11 ver. 1.1 Application Note 256 DDR : Double Data Rate FIFOFirst-In First-Out DDR SDR: Single Data Rate I/O CycloneTM Cyclone I/O DDR DDR DDR DDR SDRAM FCRAM Cyclone DDR DDRDDR LAB LEDDR DDR DDR 1 DFF ddr , ddr ddr_out_l ddr_out_h Cyclone DDR DDR LAB LE DDR 3 DFF data_in_h D PRN Q data1 reg_h result data0 ddr DFF data_in_l D PRN Q sel reg_l


Original
PDF AN-256-1 03-3340-9480FAX.
2011 - Not Available

Abstract: No abstract text available
Text: DDR Configuration Tool User Guide Document Number: QCSDDRUG Rev 3.0, 09/2013 DDR , Title Page Chapter 1 QorIQ Configuration Suite DDR Configuration Tool 1.1 1.2 Using DDR Configuration Tool , .6 1.2.2 Configuring DDR 1.3 Generating Code from DDR Component


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2005 - DDR2 DIMM VHDL

Abstract: No abstract text available
Text: DDR & DDR2 SDRAM Controller Compiler Errata Sheet November 2005, Compiler Version 3.3.0 This document addresses known errata and documentation changes for the DDR and DDR2 SDRAM Controller Compiler version 3.3.0. Errata are design functional defects or errors. Errata may cause the DDR and DDR2 , the DDR and DDR2 SDRAM Controller Compiler. DDR & DDR2 SDRAM Controller Compiler v3.3.0 Issues Altera has identified the following issues that affect the DDR and DDR2 SDRAM Controller Compiler: 1


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Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
Text: UaL UaH IY 2 1 .I z r loss Ig Ign &a 0G u 6 Monolithische Schaltkreise , KOMBINAT VEB HALBLEITERWERK FRANKFURT (ODER) Stammbetrieb KOMBINAT VEB FUNKWERK ERFURT DDR 1201 , STAHNSDORF Betrieb im Kombinat VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) DDR 501 Erfurt, Rudolfsstraße 47 Fernruf 5 80 Telegramm-Anschrift: Funkwerk Erfurt Fernschreiber 061 306 DDR 1533 Stahnsdorf , Erfurt DDR 682 Rudolstadt Fernruf 22 01 · Telex 058 8433 VEB GLEICHRICHTERW ERK GRO SSRA SCH EN


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PDF DOR102 Halbleiterbauelemente DDR GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
2006 - vhdl code for ddr2

Abstract: sdram controller vhdl code for sdram controller DDR2 SDRAM component data sheet Verilog DDR memory model
Text: DDR & DDR2 SDRAM Controller Compiler Errata Sheet June 2006, Compiler Version 3.4.1 This document addresses known errata and documentation issues for the DDR and DDR2 SDRAM Controller Compiler version 3.4.1. Errata are functional defects or errors, which may cause the DDR and DDR2 SDRAM , issues that affect the DDR and DDR2 SDRAM Controller Compiler v3.4.1. Table 1. DDR and DDR2 SDRAM , ES-DDR0606-1.0 1 DDR & DDR2 SDRAM Controller Compiler v3.4.1 Issues DDR & DDR2 SDRAM Controller


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