ZW DIODE 5 Search Results

transistor C 2240

Abstract: transistor 224-1 base collector emitter
Contextual Info: ESC D • fl23SbOS Q0Q4677 2 ■SIEfi . Control Unit 25C 0487 7 ~Q . " f _ />r B ZW 20 — SIEMENS AKTIEN6ESELLSCHAF This component, a transistor with integrated base emitter resistance and a Z diode, in TO 236 case 24 A 3 DIN 41869 is designed for use as control unit in various professional and

DIODE s2l

Abstract: DIODE FAST S2L
Contextual Info: K Super Fast Recovery Diode Axial Diode O U T L IN E D IM E N S IO N S S2L60 C a s e : 1 .0 ^ 600V 1.5A 26.5 ±z w zw m « +0 5 7 -o f 4.4- 26.5 i2 p -É * - 1* •» fflîŒ L L D T ! Caihodc ( I ) : Anode • trr5 0 n s • g s m s iìE ttô ffl(W ) ''C o lo r co d e (B lue)

Diode BAW 62

Abstract: BAW 62 SOT23 DIODE 504 BAW 43 Q62702-A471 diode fr 107 7x7x1 SOT-23 ZF
Contextual Info: B A W 56 S iliziu m -P la n a r-D o p p e ld io d e Die epitaktische Siliziu m -P lan ar-D op peldiode B A W 56 besteht aus zw ei Einzeldioden mit gemeinsamer Anode. Die Diode im Kunststoffgehäuse 23 A 3 DIN 41 869 S O T -2 3 findet Anw endung als schneller Schalter speziell für D ünn- und D ickfilm schaltungen. Der Typ

ZW-101PG1

Abstract: ET 439 power module fuji LCD lg 500g monitor DUNT-5784NCZZ JW-12PM Fuse RH A4 2A 250V Fuse FGMB 250V 2A jw-13s schematic LG TV lcd backlight inverter Fuse FGMB 250V 5A
Contextual Info: Program mable controller Wew Satellite Jw Model name JW50H/70H/100H User's Manual/Hardware version We thank you for your purchase of the SHARP programmable controller new satellite JW 50H/ 70H/100H. This booklet user's manual, hardware version explains mainly the JW 30H’s hardware; the

EA 9401 S DVM

Abstract: VK-1000V5 VK-1000HV5 7 segment anzeige VK-1000 VK1000
Contextual Info: 6.99 EA VK-1000 MINIATUR LCD DIGITAL VOLTMETER 3½ DIGIT + SYMBOLE, 5V ODER 9V Modulabmessungen: 44 x 24 x10,5 mm incl. Frontabdeckung TECHNISCHE DATEN * * * * * * * * 3½-STELLIGE KONTRASTREICHE 7 SEGMENTANZEIGE MIT 10mm ZIFFERN DEZIMALPUNKTE U. DIMENSIONSANGABEN IM DISPLAY °C, mV, µA, .

White LED silicone OSRAM

Abstract: ZW DIODE
Contextual Info: Golden DRAGON Lead Pb Free Product - RoHS Compliant ZW W5SG Besondere Merkmale • Gehäusetyp: weißes SMD Gehäuse, farbiger diffuser Silikon - Verguss • Typischer Lichtfluss: 60 lm bei 500 mA • Besonderheit des Bauteils: hocheffiziente Lichtquelle bei geringem Platzbedarf

Contextual Info: SKN 45 THYRISTOR BRIDGE,SCR,BRIDGE Stud Diode Rectifier Diode 3$>@ 3$$@ 3 V22 A22 0Z22 0V22 3 V22 A22 0Z22 0V22 >BC VW¥2V >BC VW¥2A >BC VW¥0Z >BC VW¥0V =MG3 R VW G P 6:X 0A2Y ;7 R 0ZW [JT >B$ VW¥2V >B$ VW¥2A >B$ VW¥0Z >BC VW¥0V 0122 0122 >BC VW¥01

EL36

Abstract: ND5052-3G
Contextual Info: X TO K*BAND GaAs SCHOTTKY BARRIER MIXER DIODE FEATURES OUTLINE DIMENSIONS Untutnmm • X BAND MIXgR DIODE OUTLINE 3 6 • LOW NOISE GaAs SCHOTTKY DIODE NF = 5 dB TYP at I » 10 GHz • LOW TERMINAL CAPACITANCE C i =* 0.3 pF MAX at 1 M Hi • SMALL SIZE • LOW COST

Contextual Info: EUPEC blE D • 3 40 32 e!? 0G011b3 5S1 H U P E C TT 60 F, TD 60 F, DT 60 F Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state

Contextual Info: y -f> S U tipe Saper Fast Recovery Diode Twin Diode OUTLINE DIMENSIONS D8LC20UR 200V 8A •trr35ns h* •SRKÜ • 3 7 U — Ttv-^JU •a«- oa . « « . fa •Æ fêSi RATINGS Absolute Maximum Ratings m w m Ratings Unit Tstg -4 0 -1 5 0 “C Tj 150 °C 200

RV12P2000

Abstract: iw 1688 RL12T1 RL12T15 N860 ScansU9X22 rd 1679
Contextual Info: TELIFUNKEN W e h r m a c h tr ö h re n Ausschließlich fUr kommerzielle Verwendung — nicht im Rundfunkhandel erhältlich Z u r B e ach tu n g : Für Neuentwicklungen dürfen nur die fettgedruckten Röhrentypen Verwendung finden. Die in Kursiv­ schrift aufgeführten Röhrentypen sind nur noch in beschränkter Stückzahl für Ersatzbestückung lieferbar.

rohre

Abstract: MINIWATT ABB diode
Contextual Info: Duodiode D ie erste D u odiode A B I ist ein so vollkom m en er E rfo lg gewesen, dass w ir diese T y p e auch in der neuen Serie beibehalten haben. N u r w urde die A usfüh run gsform etwas geändert, und zw ar sind je tzt beide D ioden nach unten ausgefü hrt; schaltungstechnisch ist dadurch der V o rteil ent­

Contextual Info: SK 60 DTA FBGJ FBBJK F<BJ M< N DC O F REE CTEE F PEE CUEE ;I- N PE Q$> GS DE <IO EP GS DE <IO CU CVEE CDEE GS DE <IO CD Characteristics Symbol Conditions SEMITOP 3 3-phase bridge rectifier+ series thyristor Features # $%&' * +,-./0 # 10, -)2,3 &%40*.0/

VK 1760

Abstract: V0017600 VK-1760 VK1760 VK-1763 VK 1760 H VK-1760H 1760H DA am/P55/SCKB2/RTP05/display 7 segment smd widerstand Roh
Contextual Info: EA VK-1760/63 03/97 3½-ST. DVM 5V/9V, SUPERFLACH, MIT DIMENSIONSANGABEN Abmessungen 60 x 38 mm TECHNISCHE DATEN * * * * * * * * * * * 3½-ST. KONTRASTREICHE 7 SEGMENTANZEIGE MIT 12.7mm ZIFFERN DEZIMALPUNKTE U. DIMENSIONSANGABEN IM DISPLAY °C, mV, µA, .

Contextual Info: SK25GD063 C- R PO S$@ 407,- %*8,23.-, -', .6.,+ Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions IGBT T$LA CU R PO S$ E$ CU R XPO S$ E$[¥ *'-) MWW T NW Y C- R ZW S$ PX Y MW Y ] PW T CU R XPO S$ XW a- C- R PO S$ NM Y C- R ZW S$ Pc Y E$[¥R P : E$0%& T$$ R NWW T^ TFL _ PW T^

Contextual Info: SK25GH063 C- R PO S$@ 407,- %*8,23.-, -', .6.,+ Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions IGBT T$LA CU R PO S$ E$ CU R XPO S$ E$[¥ IGBT Module SK25GH063 *'-) MWW T NW Y C- R ZW S$ PX Y MW Y ] PW T CU R XPO S$ XW a- C- R PO S$ NM Y C- R ZW S$ Pc Y E$[¥R P : E$0%&

Contextual Info: EUPEC blE D • 34G3EÌ7 G001135 bl? « U P E C TT 18 F, TD 18 F, DT 18 F Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state

Contextual Info: Product specification BZX284 Series SOD110 Unit: mm Features Total Power Dissipation: Max. 400mW Two Tolerance Series: 2% and cathode idenfifier 5% Working Voltage Range: Nom. 2.4 to 75V Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Total Power Dissipation

CQY99

Abstract: TFK 940 isd 1790 TFK u 116 diode tfk TFK diode TFK 925 Tfk 508
Contextual Info: CQY99 Galliumarsenid-Lumineszenzdiode G aAs Infrared Emitting Diode Anwendung: S trahlungsquelle im nahen Infrarot-B ereich Application: Radiation source in near infrared range Besondere Merkmale: Features: 0 5 mm • Kunststoffgehäuse 0 5 mm • Plastic case

CZRU52C2-HF

Abstract: CZRU52C10-HF Z6 zener DIODE CZRU52C5v1-hf Zener diode smd marking code .18 smd marking ZC 29 DIODE SMD CODE MARKING smd code z3 diode smd marking code ZH smd marking Z6
Contextual Info: SMD Zener Diode CZRU52C2-HF Thru CZRU52C39-HF Voltage 2 to 39 Volts Power 150 mWatts RoHS Device Halogen Free Features 0603/SOD-523F -150mW Power Dissipation. 0.071 1.80 0.063(1.60) -High Voltages from 2 ~ 39 V. -Designed for mounting on small surface. 0.039(1.00)

CZRUR52C10-HF

Abstract: SMD ZENER DIODE smd zener smd zener diode code z4 Zener diode smd marking code w1 Zener diode smd marking 18 smd Product type marking code ZH smd zener code diode zener 3v6 zener diode 5v6
Contextual Info: SMD Zener Diode CZRUR52C2-HF Thru CZRUR52C39-HF Voltage 2 to 39 Volts Power 150 mWatts RoHS Device Halogen Free 0603/SOD-523F Features 0.071 1.80 0.063(1.60) -150mW Power Dissipation. -High Voltages from 2 ~ 39 V. 0.039(1.00) 0.031(0.80) -Designed for mounting on small surface.

Contextual Info: 30E • 7 * ^ 2 3 7 0031^54 1 ■ S G S - T H O M S O N G*fô mi(g¥lfMD(g§ S G 'T" ([ 2S3>'~_ BZW04-376BT S-THOMSON BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR DESCRIPTION Transient voltage suppressor diode especially use­ ful in protecting triacs. When occurs an overvoltage, the transil induces a

2N7221 JANTX

Abstract: IQR 2400 2N7221 IRFM340 JANTXV2N7221
Contextual Info: Data Sheet No. PD-9.490C INTERNATIONAL RECTIFIER \ I & R \ REPETITIVE AVALANCHE RATED AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR N-CHANNEL IRFM34Q 2 INI7221 JANTX2N7221 JANTXV2N7221 [REF: MIL-S-195QO/596 400 Volt, 0.55 Ohm HEXFET Product Summary The HEXFET® technology is the key to International

ERR81-004

Contextual Info: ERR 81 3000A ^ a ,y h + —^ ' * l) 7 y 3j-—K : Outline Drawings Units mm SCHOTTKY BARRIER DIODE Features • High current • V S it flia Flat package : Applications • * * V K » « * d l* S 3 fc • Spot w elders 72±2 Plating use power supplies 5MAX.