TRANSISTOR 75 U50 Search Results
TRANSISTOR 75 U50 Result Highlights (5)
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Download | Buy |
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| BLA1011-300 |
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BLA1011-300 - 300W LDMOS Avionics Power Transistor |
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| 54F151LM/B |
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54F151 - Multiplexer, 1-Func, 8 Line Input, TTL |
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| ICL7667MJA |
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ICL7667 - Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, CMOS, CDIP8 |
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| 93L422ADM/B |
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93L422A - 256 x 4 TTL SRAM |
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| 93425ADM/B |
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93425 - 1K X 1 TTL SRAM |
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TRANSISTOR 75 U50 Datasheets Context Search
| Catalog Datasheet | Type | Document Tags | |
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transistor 75 U50
Abstract: 2DI50M-050 2DI100MA-050 2DI30M-050 M203 M208 M210 6DI100M-050
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OCR Scan |
2DI30M-050 6DI30M 6DI30MA 6DI50M 6DI50MA 6DI100M 0DD3722 transistor 75 U50 2DI50M-050 2DI100MA-050 M203 M208 M210 6DI100M-050 | |
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Contextual Info: シングル P チャンネル MOSFET ELM32405LA-S •概要 ■特長 ELM32405LA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-12A ・ Rds on < 45mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 75mΩ (Vgs=-4.5V) |
Original |
ELM32405LA-S P06P03LDG O-252 AUG-17-2004 | |
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Contextual Info: シングル P チャンネル MOSFET ELM32403LA-S •概要 ■特長 ELM32403LA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-40V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-8A ・ Rds on < 55mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 94mΩ (Vgs=-4.5V) |
Original |
ELM32403LA-S P5504EDG O-252 AUG-19-2004 | |
P75N02LDGContextual Info: シングル N チャンネル MOSFET ELM32428LA-S •概要 ■特長 ELM32428LA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=25V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=75A ・ Rds on < 7mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 10mΩ (Vgs=4.5V) |
Original |
ELM32428LA-S P75N02LDG O-252 Jun-11-2005 P75N02LDG | |
ELM32403LAContextual Info: 单 P 沟道 MOSFET ELM32403LA-S •概要 ■特点 ELM32403LA-S 是 P 沟道低输入电容,低工作电压, 低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=-40V ·Id=-8A ·Rds on < 55mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 94mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值 |
Original |
ELM32403LA-S P5504EDG O-252 AUG-19-2004 ELM32403LA | |
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Contextual Info: シングル P チャンネル MOSFET ELM33413CA-S •概要 ■特長 ELM33413CA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-4A ・ Rds on < 64mΩ (Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) < 80mΩ (Vgs=-2.5V) |
Original |
ELM33413CA-S Jul-20-2006 | |
P0260ADContextual Info: シングル N チャンネル MOSFET ELM32434LA-S •概要 ■特長 ELM32434LA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=600V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=2A ・ Rds on < 4.4Ω (Vgs=10V) ■絶対最大定格値 |
Original |
ELM32434LA-S Mar-23-2009 P0260AD O-252 P0260AD | |
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Contextual Info: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34605AA-N •概要 ■特長 ELM34605AA-N は低入力容量 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=30V Vds=-30V 性を備えた大電流 MOSFET です。 |
Original |
ELM34605AA-N -55Id P3503QVG OCT-08-2004 | |
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Contextual Info: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34601AA-N •概要 ■特長 ELM34601AA-N は低入力容量 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=30V Vds=-30V 性を備えた大電流 MOSFET です。 |
Original |
ELM34601AA-N P2103NVG MAY-21-2004 | |
ELM34404AAContextual Info: 单 N 沟道 MOSFET ELM34404AA-N •概要 ■特点 ELM34404AA-N 是 N 沟道低输入电容,低工作电压, •Vds=60V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=5.5A ·Rds on < 55mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 75mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目 |
Original |
ELM34404AA-N P5506BVG SEP-30-2004 ELM34404AA | |
pd1503Contextual Info: デュアルパワー N チャンネル MOSFET ショットキーダイオード付き ELM341503A-N •概要 ■特長 ELM341503A-N は低入力容 Q2 Q1 量 低電圧駆動、 低オン抵抗と • Vds=30V • Vds=30V いう特性を備えた大電流デュア |
Original |
ELM341503A-N 00E-01 00E-02 Oct-28-2009 pd1503 | |
ELM32434LAContextual Info: 单 N 沟道 MOSFET ELM32434LA-S •概要 ■特点 ELM32434LA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电压, •Vds=600V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=2A ·Rds on < 4.4Ω (Vgs=10V) ■绝对最大额定值 项目 如没有特别注明时, Ta=25℃ |
Original |
ELM32434LA-S Mar-23-2009 P0260AD O-252 FieldELM32434LA-S ELM32434LA | |
P5003QVGContextual Info: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34600AA-N •概要 ■特長 ELM34600AA-N は低入力容量 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=30V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=7A |
Original |
ELM34600AA-N DEC-19-2005 P5003QVG P5003QVG | |
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Contextual Info: シングル N チャンネル MOSFET ELM33400CA-S •概要 ■特長 ELM33400CA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=6A ・ Rds on < 28mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 32mΩ (Vgs=4.5V) |
Original |
ELM33400CA-S Mar-22-2006 | |
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Contextual Info: デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM36800EA-S •概要 ■特長 ELM36800EA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー ・ Vds=30V ・ Id=3.5A MOSFET です。 ・ Rds on < 68mΩ (Vgs=10V) |
Original |
ELM36800EA-S OCT-12-2005 | |
ELM34802AAContextual Info: 双 N 沟道 MOSFET ELM34802AA-N •概要 ■特点 ELM34802AA-N 是 N 沟道低输入电容低工作电压、 •Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET,内藏有两个 MOSFET。 ·Id=4.5A ·Rds on < 68mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 98mΩ (Vgs=5V) ■绝对最大额定值 |
Original |
ELM34802AA-N May-10-2006 ELM34802AA | |
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Contextual Info: シングル P チャンネル MOSFET ELM36405EA-S •概要 ■特長 ELM36405EA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-20V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-5A ・ Rds on < 44mΩ (Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) < 70mΩ (Vgs=-2.5V) |
Original |
ELM36405EA-S Aug-03-2006 | |
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Contextual Info: シングル N チャンネル MOSFET ELM34404AA-N •概要 ■特長 ELM34404AA-N は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=60V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=5.5A ・ Rds on < 55mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 75mΩ (Vgs=4.5V) |
Original |
ELM34404AA-N P5506BVG SEP-30-2004 | |
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Contextual Info: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34603AA-N •概要 ■特長 ELM34603AA-N は低入力容量 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=30V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=7A |
Original |
ELM34603AA-N P2803NVG JUL-25-2005 | |
P2504E
Abstract: P2504EDG
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Original |
ELM32407LA-S P2504EDG O-252 MAR-29-2006 P2504E P2504EDG | |
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Contextual Info: シングル P チャンネル MOSFET ELM32401LA-S •概要 ■特長 ELM32401LA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-60V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-7A ・ Rds on < 90mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 135mΩ (Vgs=-4.5V) |
Original |
ELM32401LA-S O-252 OCT-21-2004 P9006EDG | |
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Contextual Info: シングル N チャンネル MOSFET ELM32408LA-S •概要 ■特長 ELM32408LA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=40V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=10A ・ Rds on < 28mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 42mΩ (Vgs=4.5V) |
Original |
ELM32408LA-S P2804BDG O-252 | |
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Contextual Info: シングル N チャンネル MOSFET ELM32418LA-S •概要 ■特長 ELM32418LA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=40V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=20A ・ Rds on < 15mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 27mΩ (Vgs=7V) |
Original |
ELM32418LA-S P1504BDG O-252 May-05-2006 | |
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Contextual Info: シングル P チャンネル MOSFET ELM34405AA-N •概要 ■特長 ELM34405AA-N は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-40V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-5.5A ・ Rds on < 55mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 94mΩ (Vgs=-4.5V) |
Original |
ELM34405AA-N P5504EVG | |