TRANSISTOR 1012 GE Search Results

Contextual Info: TOSHIBA GT15J301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT15J301 Unit in mm HIGH PO W ER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS 3.2 ±0.2 10 ±0.3 The 3rd Generation Enhancement-Mode High Speed : tf=0.30/*s Max. (Iq = 15A)

GT15J311

Contextual Info: GT15J311,GT15J311 SM TOSHIBA TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT15J311, GT15J311(SM) Unit in mm HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS GT15J311 MOTOR CONTROL APPLICATIONS 1.32 The 3rd Generation Enhancement-Mode High Speed : tf=0.30,«s (Max.) (l£ = 15A)

2-10R1C

Abstract: GT15J301 V200
Contextual Info: TOSHIBA GT15J301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT15J301 HIGH PO W ER SWITCHING APPLICATIONS Unit in mm MOTOR CONTROL APPLICATIONS 10 ±0.3 r The 3rd Generation ^3.2 ± 0.2 2.7±Q 2 < v> cn CO O Enhancement-Mode High Speed

Contextual Info: That HEW LETT WHIM PACKARD Avantek Products Thin-Film Cascadable Amplifier 5 to 1000 MHz Technical Data UTO/UTC 1012 Series Features Description Pin Configuration • Frequency Range: 5 to 1000 MHz The 1012 Series is a wideband, general-purpose thin-film bipolar

TRANSISTOR sd 346

Abstract: Lautsprecher RFT L 2911 Lautsprecher LP C 4804 transistor TRANSISTOR b 882 p rft lautsprecher transistor GC 228 Transistor B 886 service-mitteilungen RFT KR 650
Contextual Info: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB RFT INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN radio - television I Ausgabe 1988 Seite 8 1-4 Mitteilung aus dem VEB Fernsehgerätewerk Staßfurt Sicherheitskontrollen für 4oooer Parbfernsengeräte Nachfolgend geben wir Hinweise, welche speziellen Kontrollen

transistor TIP3055

Contextual Info: TIP3055 _ y v . SILICON POWER TRANSISTOR N-P-N epitaxial-base power transistor in a plastic SOT-93 envelope for use in audio output stages and general amplifier and switching applications. P-N-P complement is TIP2955.

GEOY6653

Abstract: Q62702-P215 Q62702-P216
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 229 SFH 229 FA SFH 229 SFH 229 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1100 nm SFH 229 und bei 880 nm (SFH 229 FA)

GEX06260

Abstract: Q62702-P1671 Q62702-P930 SFH213FA 870nm
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 213 SFH 213 FA SFH 213 SFH 213 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 213 und bei 880 nm (SFH 213 FA)

GEXY6260

Abstract: Q62702-P1671 Q62702-P930
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 213 SFH 213 FA SFH 213 SFH 213 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 213 und bei 880 nm (SFH 213 FA)

SFH 340

Abstract: GEXY6630 Q62702-P1672 Q62702-P922
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 214 SFH 214 FA SFH 214 SFH 214 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 214 und bei 880 nm (SFH 214 FA)

acrian RF POWER TRANSISTOR

Abstract: JTDA50 JTDA50-2 Scans-00115670
Contextual Info: 0182998 ACRIAN INC GENERAL T? DE j G i a a n f l □□□1012 2 T D ' T - J j - LS JTDA50 DESCRIPTION The JTDA50 is a common basis transistor providing 50 watts of pulsed RF output power across the 960-1215 MHz Band. This hermetically sealed transistor is specifically designed for

L7E transistor

Contextual Info: •I bbS3^31 33T H A P X N AUER PHILIPS/DISCRETE PMBT5401 L7E ]> y v SILICON P-N-P HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR P-N-P high-voltage small-signal transistor for general purposes and especially in telephony applications and encapsulated in a SOT-23 envelope. QUICK REFERENCE DATA

214 opto

Abstract: GEX06630 Q62702-P1672 Q62702-P922
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 214 SFH 214 FA SFH 214 SFH 214 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 214 und bei 880 nm (SFH 214 FA)

GEOY6653

Abstract: OHLY0598
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 229 SFH 229 FA SFH 229 SFH 229 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

GEXY6260

Abstract: Q62702-P1671 Q62702-P930
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 213 SFH 213 FA SFH 213 SFH 213 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 213 und bei

GEOY6653

Abstract: OHLY0598 Q62702P0216
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 229 SFH 229 FA SFH 229 SFH 229 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

GEXY6630

Abstract: Q62702-P1672 Q62702-P922
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 214 SFH 214 FA SFH 214 SFH 214 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 214 und bei

Contextual Info: A dvanced I / I 1 K ^ Z S ^ ALD1102A/ALD1102B ALD1102 L in e a r D e v ic e s , I n c . DUAL P-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR GENERAL DESCRIPTION APPLICATIONS The ALD1102 is a monolithic dual P-channel matched transistor pair intended for a broad range of analog applications. These enhancement­

3D24N2Y

Abstract: transistor sc 238 9008 transistor transistor sc 308 SAL 41 transistor 9013 1008 transistor X2C70 transistor D 1002 3D24N
Contextual Info: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB INDUSTRIEVERTRIEB R U N O F U N K U N D FE R N SE H E N AUSGABE: M m ri r a d i o - t e i e v i s i o n l 1 9 8 4 14-16 S e ite 1 - 1 2 Mitteilung aus dem VSB RFT Industrievertrieb R.u.F. Leipzig Serviceinformationen zuin neuen Auto-Stereo-Kassettenabspielgerät

PHILIPS SENSOR 2032

Abstract: .47k capacitor image ccd image sensor Contact image sensor BAS28 BAT74 BC860C BFR92 BG40 CCD output buffer
Contextual Info: IMAGE SENSORS FXA 1012 Frame Transfer CCD Image Sensor Objective specification File under Image Sensors Philips Semiconductors 2000 January 7 Philips Semiconductors Objective specification Frame Transfer CCD Image Sensor • 2M active pixels 1616H x 1296V

v-mosfet

Abstract: vmosfet ISPSD coolmos
Contextual Info: A new generation of high voltage MOSFETs breaks the limit line of silicon G. Deboy, M. März, J.-P. Stengl, H. Strack, J. Tihanyi and H. Weber Siemens AG, Semiconductor Division, Balanstr. 73, 81541 München, Germany Abstract Thus the doping of the current conducting n-regions can be

VIP 22A

Abstract: AD7546 Vip ct 22A
Contextual Info: AN ALO G D E V IC E S FEATURES Low Offset Voltage Drift Matched Offset Voltage Matched Offset Voltage Over Temperature Matched Bias Current Crosstalk: -124dB at 1kHz Low Bias Current: 35pA max Warmed Up Low Offset Voltage: 250|iV max Low Input Voltage: 2|iV p-p

Contextual Info: Neutron testing of the ISL70444SEH quad operational amplifier Nick van Vonno Intersil Corporation 15 October 2013 Revision 0 Table of Contents 1. Introduction 2. Part Description 3. Test Description 3.1 Irradiation facility 3.2 Characterization equipment 3.3 Experimental Matrix

Contextual Info: TAIWAN LITON ELECTRONIC MIE D 0035^5 Q O G B GT Ö 251 ITLIT General Purpose Type Photocoupler LTK6N136 LITEM Ï FEATURES 1. High speed response t PHL tPLH 6N136: MAX. 0.8 ms at RL = 1.9 kii 2. High instantaneous com m on mode rejection voltage (CMh: TYP. 1 kV/^s)