TIM5359-- Search Results
TIM5359-- Datasheets (24)
Toshiba
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Datasheet Type | PDF Size | Page count | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| TIM5359-16 |
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TIM5359 - TRANSISTOR C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, 2-16G1B, 3 PIN, FET RF Power | Original | 103.94KB | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIM5359-16 |
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Internally Matched Power GaAs FET (C-Band) | Original | 120.21KB | 5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIM5359-16EL |
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TIM5359 - TRANSISTOR RF POWER, FET, FET RF Power | Original | 68.2KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIM5359-16L |
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Transistor | Scan | 277.47KB | 5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIM5359-16SL |
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TIM5359 - TRANSISTOR C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, 2-16G1B, 2 PIN, FET RF Power | Original | 103.94KB | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIM5359-16UL |
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C-Band Power GaAs IMFETs; Frequency Band (GHz): 5.3-5.9; P1dB (dBm): 42.5; G1dB (dB): 10; Ids (A) Typ.: 4.4; IM3 (dBc) Typ.: -47; Rth (°C/W) Typ.: 1.5; Package Type: 2-16G1B | Original | 333.98KB | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIM5359-30L |
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Low Distortion Internally Matched Power GaAs FET (C-Band) | Original | 141.1KB | 5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIM5359-35SL |
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MICROWAVE POWER GaAs FET | Scan | 201.16KB | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIM5359-35SL |
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Microwave Power GaAs FET | Scan | 201.17KB | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIM5359-4 |
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TIM5359 - TRANSISTOR C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, 2-11D1B, 3 PIN, FET RF Power | Original | 137.67KB | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIM5359-4 |
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Internally Matched Power GaAs FET (C-Band) | Original | 120.99KB | 5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIM5359-4 |
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POWER GAAS FET | Scan | 164.36KB | 5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIM5359-45SL |
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C-Band Power GaAs IMFETs; Frequency Band (GHz): 5.3-5.9; P1dB (dBm): 46.5; G1dB (dB): 9; Ids (A) Typ.: 9.6; IM3 (dBc) Typ.: -45; Rth (°C/W) Typ.: 0.8; Package Type: 2-16G1B | Original | 458.47KB | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIM5359-45SL |
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Microwave Power GaAs FET | Scan | 196.26KB | 5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| TIM5359-45SL |
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MICROWAVE POWER GaAs FET | Scan | 196.25KB | 5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIM5359-4SL |
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MICROWAVE POWER GaAs FET | Original | 172.62KB | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIM5359-4UL |
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MICROWAVE POWER GaAs FET | Original | 200.31KB | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIM5359-60SL |
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MICROWAVE POWER GaAs FET | Original | 107.38KB | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIM5359-8 |
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TIM5359 - TRANSISTOR C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, 2-11D1B, 3 PIN, FET RF Power | Original | 156.28KB | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIM5359-8 |
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Internally Matched Power GaAs FET (C-Band) | Original | 122.97KB | 5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TIM5359-- Price and Stock
Toshiba America Electronic Components
Toshiba America Electronic Components TIM535935SLRF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Silicon, N-Channel, Junction FET |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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TIM535935SL | 5 |
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Get Quote | |||||||
Toshiba America Electronic Components TIM535916SLMICROWAVE POWER GAAS FET RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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TIM535916SL | 4 |
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Get Quote | |||||||