T5401) Search Results
T5401) Datasheets (23)
Select Manufacturer
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Datasheet Type | PDF Size | Page count | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| T5401 |
|
Shortform Data Book 1977/78 | Short Form | 32.66KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CXT5401
|
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd | PNP bipolar transistor in SOT-89 package with -160 V collector-base voltage, -150 V collector-emitter voltage, -500 mA collector current, 500 mW power dissipation, and DC current gain up to 300. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMST5401(RANGE:100-300)
|
JCET Group | PNP transistor in SOT-323 package with -150 V collector-emitter voltage, -600 mA collector current, 200 mW power dissipation, and transition frequency of 100 MHz. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBT5401(RANGE:100-200)
|
JCET Group | MMBT5401 PNP transistor in SOT-23 package, with -150 V collector-emitter voltage, -0.6 A collector current, 0.3 W power dissipation, and DC current gain up to 300, suited for medium power amplification and switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBT5401
|
Shandong Jingdao Microelectronics Co Ltd | MMBT5401 PNP transistor in SOT-23 package, with -160 V collector-base voltage, -150 V collector-emitter voltage, -5 V emitter-base voltage, continuous collector current of -0.6 A, and transition frequency of 300 MHz. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBT5401
|
AK Semiconductor | PNP transistor in SOT-23 package with collector-base breakdown voltage of -160 V, DC current gain (hFE) ranging from 100 to 300, and maximum collector current of -0.6 A. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBT5401
|
Shikues Semiconductor | Original | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CXT5401(RANGE:80-300)
|
JCET Group | PNP transistor in SOT-89-3L package with maximum collector current of -0.5 A, collector-emitter voltage of -150 V, collector power dissipation of 0.5 W, and transition frequency up to 300 MHz. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBT5401
|
SLKOR | High Voltage Transistor, VCEO -150Vdc, VCBO -160Vdc, VEBO -6.0Vdc, Ic -500mAdc, PD 225mW, RΘJA 556°C/W, TJ 150°C. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CXT5401
|
AK Semiconductor | PNP silicon transistor in SOT-89 package with -150 V collector-emitter voltage, -500 mA collector current, 1.2 W power dissipation, and 100 MHz transition frequency. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMDT5401(RANGE:100-300)
|
JCET Group | Dual PNP transistor in SOT-363 package with 150 V collector-emitter voltage, 200 mA continuous collector current, 100 MHz transition frequency, and DC current gain up to 300. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBT5401
|
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd | PNP bipolar transistor in SOT-23 package, with -160 V collector-base voltage, -150 V collector-emitter voltage, -600 mA collector current, 300 mW power dissipation, and DC current gain ranging from 100 to 300. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBT5401
|
CREATEK Microelectronics | MMBT5401 is a high voltage NPN transistor in SOT-23 package, featuring 160 V collector-base breakdown voltage, 600 mA collector current, and 300 mW power dissipation, suitable for medium power amplification and switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CZT5401
|
JCET Group | PNP transistor in SOT-223 package with collector-base voltage of -160 V, collector current of -600 mA, DC current gain up to 300, transition frequency up to 300 MHz, and power dissipation of 1 W. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AD-MMBT5401
|
JCET Group | PNP transistor in SOT-23 package, rated for -160V collector-base voltage, -150V collector-emitter voltage, with a continuous collector current of -0.6A and power dissipation of 0.3W, suitable for medium power amplification and switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBT5401(RANGE:200-300)
|
JCET Group | MMBT5401 is a PNP transistor in SOT-23 package, rated for -150 V VCEO, -0.6 A collector current, with hFE ranging from 100 to 300, suitable for medium power amplification and switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBT5401L
|
JCET Group | PNP transistor in SOT-23 package, complementary to MMBT5551, with -160V collector-base voltage, -150V collector-emitter voltage, -0.6A collector current, and 0.3W power dissipation. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBT5401DW
|
Shikues Semiconductor | Double silicon PNP transistor in SOT-363 Plastic Package, high voltage, complementary Pair with MMBT5551DW. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBT5401-G(RANGE:200-300)
|
JCET Group | MMBT5401 PNP transistor in SOT-23 package, with -150 V collector-emitter voltage, -0.6 A collector current, 0.3 W power dissipation, and DC current gain up to 300, suited for medium power amplification and switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBT5401
|
Microdiode Semiconductor | SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors, PNP, BASE, EMITTER, COLLECTOR. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
T5401) Price and Stock
Select Manufacturer
Diodes Incorporated MMST5401-7-FTRANS PNP 150V 0.2A SOT-323 |
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
MMST5401-7-F | Tape & Reel | 114,000 | 3,000 |
|
Buy Now | |||||
|
MMST5401-7-F | Cut Tape | 2,053 | 5 |
|
Buy Now | |||||
|
MMST5401-7-F | Bulk | 50 |
|
Get Quote | ||||||
|
MMST5401-7-F | 3,000 | 42 Weeks | 3,000 |
|
Buy Now | |||||
onsemi SMMBT5401LT1GTRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3 |
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
SMMBT5401LT1G | Cut Tape | 19,819 | 1 |
|
Buy Now | |||||
|
SMMBT5401LT1G | Tape & Reel | 60,000 | 11 Weeks | 3,000 |
|
Buy Now | ||||
|
SMMBT5401LT1G | 34,177 |
|
Buy Now | |||||||
|
SMMBT5401LT1G | Bulk | 100 |
|
Get Quote | ||||||
|
SMMBT5401LT1G | 1,439 |
|
Get Quote | |||||||
|
SMMBT5401LT1G | 255,000 | 1 |
|
Buy Now | ||||||
|
SMMBT5401LT1G | 1 |
|
Get Quote | |||||||
|
SMMBT5401LT1G | 238,705 |
|
Get Quote | |||||||
|
SMMBT5401LT1G | 89,700 |
|
Get Quote | |||||||
|
SMMBT5401LT1G | 41 Weeks | 30,000 |
|
Buy Now | ||||||
|
SMMBT5401LT1G | 43 Weeks | 3,000 |
|
Buy Now | ||||||
|
SMMBT5401LT1G | 129,000 |
|
Get Quote | |||||||
|
SMMBT5401LT1G | 12,000 |
|
Buy Now | |||||||
|
SMMBT5401LT1G | 84,000 |
|
Buy Now | |||||||
|
SMMBT5401LT1G | 3,316 | 1 |
|
Buy Now | ||||||
Diodes Incorporated MMBT5401Q-7-FTRANS PNP 150V 0.6A SOT-23-3 |
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
MMBT5401Q-7-F | Cut Tape | 9,751 | 1 |
|
Buy Now | |||||
|
MMBT5401Q-7-F | Cut Tape | 305 | 5 |
|
Buy Now | |||||
|
MMBT5401Q-7-F | 6,000 | 40 Weeks | 3,000 |
|
Buy Now | |||||
|
MMBT5401Q-7-F | 30,000 | 42 Weeks | 3,000 |
|
Buy Now | |||||
|
MMBT5401Q-7-F | 12,929 |
|
Buy Now | |||||||
onsemi MMBT5401M3T5GTRANS PNP 150V 0.06A SOT-723 |
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
MMBT5401M3T5G | Cut Tape | 4,986 | 1 |
|
Buy Now | |||||
|
MMBT5401M3T5G | Tape & Reel | 9 Weeks | 24,000 |
|
Get Quote | |||||
|
MMBT5401M3T5G | 56,000 | 1 |
|
Buy Now | ||||||
|
MMBT5401M3T5G | 1 |
|
Get Quote | |||||||
|
MMBT5401M3T5G | 10 Weeks | 8,000 |
|
Buy Now | ||||||
|
MMBT5401M3T5G | 11 Weeks | 8,000 |
|
Buy Now | ||||||
|
MMBT5401M3T5G | 280,000 |
|
Get Quote | |||||||
onsemi NSVMMBT5401M3T5GTRANS PNP 150V 0.06A SOT-723 |
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
NSVMMBT5401M3T5G | Digi-Reel | 3,569 | 1 |
|
Buy Now | |||||
|
NSVMMBT5401M3T5G | Tape & Reel | 25,000 |
|
Get Quote | ||||||
|
NSVMMBT5401M3T5G | 1,525 | 1 |
|
Buy Now | ||||||
|
NSVMMBT5401M3T5G | 1 |
|
Get Quote | |||||||
|
NSVMMBT5401M3T5G | 29 Weeks | 8,000 |
|
Buy Now | ||||||
|
NSVMMBT5401M3T5G | 264,000 |
|
Get Quote | |||||||