T5401) Search Results
T5401) Datasheets (23)
Select Manufacturer
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Datasheet Type | PDF Size | Page count | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| T5401 |
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Shortform Data Book 1977/78 | Short Form | 32.66KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBT5401(RANGE:100-200)
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JCET Group | MMBT5401 PNP transistor in SOT-23 package, with -150 V collector-emitter voltage, -0.6 A collector current, 0.3 W power dissipation, and DC current gain up to 300, suited for medium power amplification and switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMST5401(RANGE:100-300)
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JCET Group | PNP transistor in SOT-323 package with -150 V collector-emitter voltage, -600 mA collector current, 200 mW power dissipation, and transition frequency of 100 MHz. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CXT5401
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Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd | PNP bipolar transistor in SOT-89 package with -160 V collector-base voltage, -150 V collector-emitter voltage, -500 mA collector current, 500 mW power dissipation, and DC current gain up to 300. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5401
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Shandong Jingdao Microelectronics Co Ltd | MMBT5401 PNP transistor in SOT-23 package, with -160 V collector-base voltage, -150 V collector-emitter voltage, -5 V emitter-base voltage, continuous collector current of -0.6 A, and transition frequency of 300 MHz. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CXT5401(RANGE:80-300)
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JCET Group | PNP transistor in SOT-89-3L package with maximum collector current of -0.5 A, collector-emitter voltage of -150 V, collector power dissipation of 0.5 W, and transition frequency up to 300 MHz. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5401
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AK Semiconductor | PNP transistor in SOT-23 package with collector-base breakdown voltage of -160 V, DC current gain (hFE) ranging from 100 to 300, and maximum collector current of -0.6 A. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5401
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Shikues Semiconductor | Original | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMDT5401(RANGE:100-300)
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JCET Group | Dual PNP transistor in SOT-363 package with 150 V collector-emitter voltage, 200 mA continuous collector current, 100 MHz transition frequency, and DC current gain up to 300. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CXT5401
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AK Semiconductor | PNP silicon transistor in SOT-89 package with -150 V collector-emitter voltage, -500 mA collector current, 1.2 W power dissipation, and 100 MHz transition frequency. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5401
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SLKOR | High Voltage Transistor, VCEO -150Vdc, VCBO -160Vdc, VEBO -6.0Vdc, Ic -500mAdc, PD 225mW, RΘJA 556°C/W, TJ 150°C. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMST5401
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Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd | PNP bipolar transistor in SOT-323 surface mount package, with -160 V collector-base voltage, -150 V collector-emitter voltage, -600 mA collector current, 200 mW power dissipation, and DC current gain from 50 to 300. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5401
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Microdiode Semiconductor (MDD) | Small Signal Bipolar Transistor | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AD-MMBT5401-H
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JCET Group | PNP plastic-encapsulated transistor in SOT-23 package, with collector-base voltage of -160 V, collector-emitter voltage of -150 V, continuous collector current of -0.6 A, and power dissipation of 0.3 W, suitable for medium power amplification and switching. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CZT5401
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JCET Group | PNP transistor in SOT-223 package with collector-base voltage of -160 V, collector current of -600 mA, DC current gain up to 300, transition frequency up to 300 MHz, and power dissipation of 1 W. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5401
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Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd | PNP bipolar transistor in SOT-23 package, with -160 V collector-base voltage, -150 V collector-emitter voltage, -600 mA collector current, 300 mW power dissipation, and DC current gain ranging from 100 to 300. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AD-MMBT5401
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JCET Group | PNP transistor in SOT-23 package, rated for -160V collector-base voltage, -150V collector-emitter voltage, with a continuous collector current of -0.6A and power dissipation of 0.3W, suitable for medium power amplification and switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5401
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CREATEK Microelectronics | MMBT5401 is a high voltage NPN transistor in SOT-23 package, featuring 160 V collector-base breakdown voltage, 600 mA collector current, and 300 mW power dissipation, suitable for medium power amplification and switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5401-G(RANGE:200-300)
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JCET Group | MMBT5401 PNP transistor in SOT-23 package, with -150 V collector-emitter voltage, -0.6 A collector current, 0.3 W power dissipation, and DC current gain up to 300, suited for medium power amplification and switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMBT5401DW
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Shikues Semiconductor | Double silicon PNP transistor in SOT-363 Plastic Package, high voltage, complementary Pair with MMBT5551DW. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
T5401) Price and Stock
Select Manufacturer
Rochester Electronics LLC SMMBT5401LT1TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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SMMBT5401LT1 | Bulk | 141,758 | 7,869 |
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Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd GSMMBT5401-LTRANSISTOR, PNP, -150V, -0.60A, |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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GSMMBT5401-L | Tape & Reel | 5,980 | 3,000 |
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Rochester Electronics LLC CAT5401YI10IC DIG POT 10K 24-TSSOP |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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CAT5401YI10 | Tube | 2,870 | 46 |
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Diodes Incorporated MMST5401Q-7-FTRANS PNP 150V 0.2A SOT-323 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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MMST5401Q-7-F | Cut Tape | 2,750 | 1 |
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| MMST5401Q-7-F | Digi-Reel | 2,750 | 1 |
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SLKOR MMDT5401150V 200MW 600MA PNP SOT-363 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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MMDT5401 | Tape & Reel | 2,410 | 3,000 |
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| MMDT5401 | Cut Tape | 2,410 | 1 |
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| MMDT5401 | Digi-Reel | 2,410 | 1 |
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