SILIZIUM DIODE Search Results

sfh siemens

Abstract: npn phototransistor sfh 309 380nm SFH 309
Contextual Info: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor Silicon NPN Phototransistor with Daylight Filter SFH 309 SFH 309 F Area not flat 4,5t-” Collector Transistor Cathode (Diode) 'Chip position

Diode BAW 62

Abstract: oszillograf 7x7x1 DIODE S45 Q68000-A1185-F1 99A7 01JE Diode BAW 99 500F2
Contextual Info: Silizium-Planar-Doppeldiode BAV99 Die epitaktische Silizium-Planar-Doppeldiode B A V 99 bestehend aus zwei in Reihe geschal­ teten Einzeldioden. Die Diode im Kunststoffgehäuse 23 A3 DIN 41 869 S O T -2 3 , findet Anwendung als schneller Schalter speziell für Dünn- und Dickfilmschaltungen. Der Typ

k 518

Contextual Info: Silizium -Planar-Kapazitätsdiode B B Y 30 BBY 30 ist eine planare Silizium-Kapazitätsdiode im Gehäuse 51 A2 DIN 41880 D O -7 , welche besonders für Anwendungen im unteren VHF-Bereich geeignet ist. Kathode Typ B este lln u m m e r BBY 30 Q 62702-B 44

Contextual Info: BYZ50A22 . BYZ50A47, BYZ50K22 . BYZ50K47 BYZ50A22 . BYZ50A47, BYZ50K22 . BYZ50K47 Silicon-Protectifiers with TVS characteristic – High Temperature Diodes Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Hochtemperatur-Dioden Version 2014-07-30

Contextual Info: BYZ50A22 . BYZ50A47, BYZ50K22 . BYZ50K47 BYZ50A22 . BYZ50A47, BYZ50K22 . BYZ50K47 Silicon-Protectifiers with TVS characteristic – High Temperature Diodes Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Hochtemperatur-Dioden Version 2014-08-18

BZ102

Abstract: TFK U 217 B bz102-2v8 5V stabilisator f 102 TFK 19 001
Contextual Info: BZ 102/. Silizium-Diffusions-Stabilisator-Dioden Silicon diffusion voltage stabilising diodes Anwendungen: Spannungsstabilisierung und Spannungsbegrenzung Applications: Voltage stabilisation and voltage regulation Abmessungen in mm Dimensions in mm Normgehäuse

BZY87

Abstract: bzy 150 5V stabilisator BZY 100 74127 H7 RF bzy 50 bzy 130
Contextual Info: BZY 87/. 'W Silizium-Diffusions-Stabilisator-Dioden Silicon diffusion voltage stabilising diodes Anwendungen: Spannungsstabilisierung und Spannungsbegrenzung Applications: Voltage stabilisation and voltage regulation Abmessungen in mm Dimensions in mm 0 2 .6

35K37

Abstract: BYZ50A32
Contextual Info: BYZ 35A22 . BYZ 35A37 BYZ 35K22 . BYZ 35K37 Silicon Protectifiers with TVS characteristics High-temperature diodes Silizium Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaften Hochtemperaturdioden Nominal current – Nennstrom 35 A Breakdown voltage Abbruch-Spannung

Contextual Info: SUF4001 . SUF4007 SUF4001 . SUF4007 Ultrafast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes Ultraschnelle Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage Version 2012-04-02 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: elektronik DDR Leistungsdiode Halbleiter-Bauelemente DDR Hallgenerator CSSR silizium diode
Contextual Info: Tunneldiode HF-Transistor Diode Kapazitätsdiode NF-Transistor NF-Leistungstransistor Ptot >1W Bauelement 2.Element Hall-Feldsonde CSSR: Silizium Hall-Generator CSSR: Galliumarsenidphosphid HF-Leistungstransistor Hall-Generator DDR: MIS-Transistor strahlungsempfindliches

n4007

Abstract: LN4004 IN4007 n 4007 LN4005 ln4001 IN4003 74350 IN 4007 n 4002
Contextual Info: V 1 N4001 * 1 N4007 Silizium-Diffusions-Dioden Silicon diffusion diodes Anwendungen: Gleichrichter Applications: Rectifier Abmessungen In mm Dimensions in mm r »3,1 Absolute Grenzdaten Absolute maximum ratings Sperrspannung, periodische Spitzensperrspannung

Diode BYW 56

Abstract: tfk 731 BYW56 BYW 56 V diodes byw BYW 52 TFK 03 diodes diode BYW N5059 DIODE in 5060
Contextual Info: m 'W ? BYW 52 E8 BYW 56 Silizium-Mesa-Dioden Silicon-Mesa-Diodes Anwendungen: Leistungsgleichrichter Applications: Power rectifier Besondere Merkmale: Features: • Stoßspannungsfest • Controlled avalanche characteristics • Hermetische G laspassivierung

BB109

Abstract: bb109 characteristics BB-109 SOD-23 DIODE WITH SOD CASE SOD 23
Contextual Info: BB109 Silicon epitaxial planar capacitance variation diode Anwendungen: Abstimmschaltungen im VHF-Bereich Applications: FM-tuning circuits in VHP range Besondere Merkmale: • Großer Kapazitäts-Variationsbereich

tk 19 823

Abstract: BZX 5V6 BZX 150 7118a BZX 400 5V6 bzx 2v7 C5V65 85c3v3 18 BZX 1BZX85
Contextual Info: BZX 85/C . Silizium-Epitaxial-Planar-Z-Dioden Silicon epitaxial planar Z diodes Anwendungen: Spannungsstabilisierung Applications: Voltage stabilisation Besondere Merkmale: • Scharfer Abbruch der Sperrkennlinie • Kleiner Sperrstrom • Sehr große Stabilität

BYP60A05

Abstract: BYP60A6 BYP60A1 BYP60A2 BYP60A3 BYP60A4 BYP60K05 BYP60K1 BYP60K6
Contextual Info: BYP60A05 . BYP60A6, BYP60K05 . BYP60K6 BYP60A05 . BYP60A6, BYP60K05 . BYP60K6 Silicon-Press-Fit-Diodes – High Temperature Diodes Silizium-Einpress-Dioden – Hochtemperatur-Dioden Version 2006-04-22 Nominal Current Nennstrom Ø 12.75 Ø 11 ±0.1

FE3A

Contextual Info: FE3A . FE3G FE3A . FE3G Superfast Switching Silicon Rectifier Diodes Superschnelle Silizium-Gleichrichterdioden Version 2012-06-21 Nominal current Nennstrom 7.5±0.1 Type 62.5 ±0.5 Ø 4.5+0.1 -0.3 3A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung

32A39

Contextual Info: RA32Z39 RA32Z39 Silicon Protectifiers with TVS characteristic – Button Diodes Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Knopf-Zellen 6.2 4.2 ±0.2 Version 2012-05-14 Nominal current Nennstrom 32 A Nominal breakdown voltage Nominale Abbruchspannung

RA2505

Contextual Info: RA2505 . RA2510 RA2505 . RA2510 Silicon-Rectifiers – Button Diodes Silizium-Gleichrichter – Knopf-Zellen Version 2014-07-30 6.2 4.2 ±0.2 Nominal current Nennstrom 25 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50 . 1000 V

DO-213AA

Abstract: EGL34A EGL34B EGL34D EGL34G
Contextual Info: EGL34A . EGL34G EGL34A . EGL34G Superfast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes Superschnelle Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage Version 2007-04-05 0.4 1.6 Nominal current – Nennstrom 0.5 A Repetitive peak reverse voltage

Contextual Info: BYP25A05 . BYP25A6, BYP25K05 . BYP25K6 BYP25A05 . BYP25A6, BYP25K05 . BYP25K6 Silicon-Press-Fit-Diodes – High Temperature Diodes Silizium-Einpress-Dioden – Hochtemperatur-Dioden Version 2014-07-30 Nominal Current Nennstrom Ø 12.75 ±0.5 Ø 11

KYZ35A1

Abstract: KYZ35A6 KYZ35A05 KYZ35A2 KYZ35A3 KYZ35A4 KYZ35K05 KYZ35K1 KYZ35K6 kyz35K4
Contextual Info: KYZ35A05 . KYZ35A6, KYZ35K05 . KYZ35K6 KYZ35A05 . KYZ35A6, KYZ35K05 . KYZ35K6 Silicon-Press-Fit-Diodes – High Temperature Diodes Silizium-Einpress-Dioden – Hochtemperatur-Dioden Version 2006-04-22 Nominal Current Nennstrom ±0.5 Repetitive peak reverse voltage

GL1M

Abstract: GL1B DO-213AA
Contextual Info: GL1A . GL1M GL1A . GL1M Surface Mount Silicon Rectifier Diodes Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage Version 2010-11-29 Nominal current – Nennstrom 1A 1.6 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50.1000 V

diode bb104

Abstract: BB104 SOT-33 Q118 BB 104
Contextual Info: BB104 Silicon epitaxial planar dual capacitance diodes Anwendungen: Abstimmung von zwei getrennten Kreisen und Gegentaktschaltungen im UKW-Bereich Applications: Tuning separate resonant circuits, pust-pull circuits in VHF range

diode BYW 85

Abstract: BYW89 diodes byw 86 diode BYW 60 N5626 diode BYW 200 813BB diode BYW BYW 89 BYW 90
Contextual Info: BYW 82 STBYW 86 Silizium-Mesa-Dioden Silicon-Mesa-Diodes Anwendungen: Leistungsgleichrichter Applications: Power re ctifie r Besondere Merkmale: Features: • Kontrolliertes- Avalancheverhalten • H erm etische Glaspassivierung • G ute W ärm eableitung über die