SFH 350 V Search Results

GEOY6061

Abstract: SFH5130
Contextual Info: Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter SFH 5130 Wesentliche Merkmale Features • Integrierter Fotodetektor mit linearem Spannungsausgang • Transparentes Plastikgehäuse mit 3 Pins • Hohe Empfindlichkeit von 350 nm bis 1100 nm • Runde Fotodiode

sfh5130

Contextual Info: Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter SFH 5130 Wesentliche Merkmale Features • Integrierter Fotodetektor mit linearem Spannungsausgang • Transparentes Plastikgehäuse mit 3 Pins • Hohe Empfindlichkeit von 350 nm bis 1100 nm • Runde Fotodiode

Q62702-P5160

Abstract: SFH 3410
Contextual Info: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit Vλ

GEOY6028

Abstract: Q62702-P5160 SFH3410 SFH 3410
Contextual Info: NPN-Si-Fototransistor für den sichtbaren Spektralbereich im Smart-DIL-Geh. Si-NPN Phototransistor for the Visible Spectral Range in Smart-DIL Package SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm

GEO06314

Abstract: Q62702-P936
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode With Very Short Switching Time SFH 216 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 5 ns • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)

GEOY6314

Abstract: Fotodiode tci 571 Q62702-P936
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode With Very Short Switching Time SFH 216 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 5 ns • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)

SFH 3410

Abstract: Radian SFH3410-2
Contextual Info: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ)

Fotodiode

Abstract: GEOY6314 Q62702-P936
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode With Very Short Switching Time SFH 216 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 5 ns • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)

GEOY6446

Abstract: OHLY0598 npn phototransistor 560nm
Contextual Info: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3310 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepasst an die Augenempfindlichkeit (Vλ)

GEO06028

Abstract: Q62702-P5160 phototransistor 550 nm SFH 3410
Contextual Info: NPN-Si-Fototransistor für den sichtbaren Spektralbereich im Smart-DIL-Geh. Si-NPN Phototransistor for the Visible Spectral Range in Smart-DIL Package SFH 3410 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit Vλ

OHRD1938

Abstract: Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPY 62 SFH 960
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an

Q62702P0097

Abstract: GEOY6314 OHRD1938 BPY 62
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400 SFH 401 SFH 400 SFH 401 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an

OHRD1938

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400, SFH 401,SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an

BPX65

Abstract: Q62702-P784 BPX osram BPX-65 sfh 291 tci 571 OHRD1938 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an

TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401

Abstract: DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code
Contextual Info: Infrared Components ge 88 - 92 107 108 Infrared Components Summary of Types Silicon Photodetectors For moreComponents Infrared detailed product Summary information of Types andSilicon technical Photodetectors datasheets, please visit http://catalog.osram-os.com

ultraviolet sensor flame

Abstract: uv flame sensor UV diode foto sensor flame detector burner Fotodiode SFH 530-G ultraviolet detector GEOY6954 uv sensors
Contextual Info: Ultraviolet Selective Sensor SFH 530 Wesentliche Merkmale Features • Hohe UV-Empfindlichkeit • Speziell geeignet für Anwendungen bei 310 nm • Geringe Empfindlichkeit bei sichtbarem und IR-Licht • Eine Versorgungsspannung • Geringe Stromaufnahme

uv flame sensor

Abstract: foto sensor ultraviolet sensor flame flame detector Fotodiode uv sensors uv sensor UV diode FLAME SENSOR UV SFH 530-Y
Contextual Info: Ultraviolet Selective Sensor SFH 530 Wesentliche Merkmale • Hohe UV-Empfindlichkeit • Speziell geeignet für Anwendungen bei 310 nm • Geringe Empfindlichkeit bei sichtbarem und IR-Licht • Eine Versorgungsspannung • Geringe Stromaufnahme • Hermetisch dichte Metallbauform TO-39

SFH 4750

Contextual Info: OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics 850nm Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4750 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • 3.5 W optische Leistung bei IF=1A Aktive Chipfläche 2.1 x 3.2 mm2

GEO06645

Abstract: Q62702-P955 Q62702-P956 SFH203
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 203 SFH 203 FA SFH 203 SFH 203 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 203 und bei 880 nm (SFH 203 FA)

OHF04132

Abstract: JESD22-A114-B OSRAM SFH 4750 SFH 4750
Contextual Info: OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics 850nm Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4750 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • 3.5 W optische Leistung bei IF=1A Aktive Chipfläche 2.1 x 3.2 mm2

SFH203FA

Contextual Info: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 203 SFH 203 FA Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im

foto transistor

Abstract: SFH2030F D 2030 A 850 nm LED ta 2030 silicon PIN photodiode with daylight filter 2030 Q62702-P955 Q62702-P956 SFH2030
Contextual Info: SFH 2030 SFH 2030 F Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 2030 SFH 2030 F Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

850 nm LED

Abstract: SFH 250 equivalent REICH Q62702-P946 Q62702-P947 SFH203PFA IR photodiode 880 nm SFH203 SFH203p
Contextual Info: SFH 203 P SFH 203 PFA SFH 203 P SFH 203 PFA feof6644 feo06644 Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Features

Contextual Info: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Siiizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 2030 SFH 2030 F 0.8 k Íb o ho-»j r< Cathode M ît-