RD200 Search Results

zener diode rd20e b2

Abstract: diode zener 1N 398 zener diode B3 Zener Diode B1 9 zener diode rd13e zener diode B5 RD6.2E zener diode rd39e b5 RD6.8E NEC Zener diode RD3.0E
Contextual Info: DATA SHEET ZENER DIODES RD2.0E to RD200E 500 mW DHD ZENER DIODE DO-35 NEC Type RD2.0E to RD200E Series are planar type zener diode in the PACKAGE DIMENSIONS (in millimeters) popular DO-35 package with DHD (Double Heatsink Diode) construction φ 0.5 25 MIN.

A1270

Abstract: transistor A1270 RD2004 A1270 transistor datasheet RD2004LN A-1270 a1270* transistor
Contextual Info: RD2004LN Ordering number : ENA1270A SANYO Semiconductors DATA SHEET RD2004LN Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=400V . High reliability. One-point fixing type plastic molded package facilitating easy mounting and heat dissipation.

RD2003

Abstract: A1593 RD2003JN ENA1593
Contextual Info: RD2003JN Ordering number : ENA1593 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD2003JN Diffused Junction Silicon Diode Low VF • High-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=300V . High reliability. Fast forward / reverse recovery time.

RD2004

Contextual Info: RD2004LS-SB5 Ordering number : ENA1612 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD2004LS-SB5 Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=400V . High reliability. One-point fixing type plastic molded package facilitating easy mounting and heat dissipation.

SC-93 JEDEC

Contextual Info: RD2006RH-SB Ordering number : EN9054 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD2006RH-SB Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • VRRM=600V VF=1.75V max. IF=20A trr=21ns (typ.) Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C

RD2006FR-H

Abstract: RD2006 A1832
Contextual Info: RD2006FR Ordering number : ENA1832A SANYO Semiconductors DATA SHEET RD2006FR Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • VF=1.75V max IF=20A VRRM=600V trr=21ns (typ.) Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C

RD2006

Abstract: RD2006FR A1832 220F 91510SA VF175
Contextual Info: RD2006FR 注文コード No. N A 1 8 3 2 三洋半導体データシート N RD2006FR シリコン拡散接合型 超高速スイッチングダイオード 特長 ・ VF=1.75V max IF=20A ・ VRRM=600V ・ trr=21ns(typ.) ・ ハロゲンフリー対応 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃

A1270

Abstract: RD2004 A-1270 RD2004LN NA12 A1270-1 IT13033 N1809
Contextual Info: RD2004LN 注文コード No. NA12 70A 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA1270 をさしかえてください。 RD2004LN シリコン拡散接合型 超高速スイッチングダイオード 特長 ・高耐圧である VRRM=400V 。

RD2004

Abstract: A1486 RD2004JN RD200
Contextual Info: RD2004JN 注文コード No. N A 1 4 8 6 三洋半導体データシート N RD2004JN シリコン拡散接合型 低 VF・高速スイッチングダイオード 特長 ・高耐圧である VRRM=400V 。 ・高信頼性である。 ・逆回復時間が速い。

RD2003

Abstract: RD2003JS-SB A1904 ENA1904 RD2003 LS diode cathode marking 7
Contextual Info: RD2003JS-SB Ordering number : ENA1904 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD2003JS-SB Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • VF=1.3V max. IF=20A VRRM=300V trr=20ns (typ.) Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C

RD2003

Abstract: RD2003 LS
Contextual Info: RD2003JS-SB Ordering number : ENA1904 SANYO Semiconductors DATA SHEET Diffused Junction Silicon Diode RD2003JS-SB Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • VF=1.3V max. IF=20A VRRM=300V trr=20ns (typ.) Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C

RD11EB3

Abstract: RD5.1EB3 rd11eb diode RD15EB3 RD9.1EB2 RD10EB2 RD4.3EB RD5.1EB zener rd5.6b zener diode rd13e
Contextual Info: RD2.0E~RD200E ZENER DIODES Features • DHD Double Heatsink Diode Construction • Vz: Applied E24 standard (RD130E to RD200E: 10 volts step). • DO-35 Glass sealed package. Applications Circuits for Constant Voltage, Constant Current, Waveform clipper, Surge absorber, etc.

rd11eb diode

Abstract: 7EB2 RD12EB3 RD6.8EB2 rd3.0eb2 RD7.5EB1 RD20E RD10EB2 RD5.1EB3 RD10EB
Contextual Info: RD2.0E~RD200E ZENER DIODES Features • DHD Double Heatsink Diode Construction • Vz: Applied E24 standard (RD130E to RD200E: 10 volts step). • DO-35 Glass sealed package. Applications • Circuits for, Constant Voltage, Constant Current Wave form clipper, Surge absorber, etc.

rd11eb diode

Abstract: RD7.5EB1 RD5.6EB3 RD11EB3 zener diode rd20e b2 RD20E B2 Zener RD10EB2 RD6.2EB2 RD5.1EB3
Contextual Info: RD2.0E~RD200E ZENER DIODES Features • DHD Double Heatsink Diode Construction • Vz: Applied E24 standard (RD130E to RD200E: 10 volts step). • DO-35 Glass sealed package. Applications • Circuits for, Constant Voltage, Constant Current Wave form clipper, Surge absorber, etc.

rd2004

Abstract: A1612 rd2004ls RD2004LS-SB5
Contextual Info: RD2004LS-SB5 注文コード No. N A 1 6 1 2 三洋半導体データシート N RD2004LS-SB5 シリコン拡散接合型 超高速スイッチングダイオード 特長 ・高耐圧である VRRM=400V 。 ・高信頼性である。 ・1 点止めフルモールドパッケージで取り付け作業性、放熱性が良い。

RD2004

Abstract: RD2004LS
Contextual Info: RD2004LS 注文コード No. N A 0 9 6 8 三洋半導体データシート N RD2004LS シリコン拡散接合型 超高速スイッチングダイオード 特長 ・高耐圧である VRRM=400V 。 ・高信頼性である。 ・1 点止めフルモールドパッケージで取り付け作業性、放熱性が良い。

rd200b

Abstract: 845 power Triode A6KE ScansU9X22
Contextual Info: reueparopH uìi rpuod T ra n sm ittin g triode Sendetriode RD200B _ 4 2 5 tU nPH M EH EH H E J I a M n a T E C J I A R D 2 0 0 B H B JiaeT C H r e H e p a T O pH bIM TpH O ÄOM to ä o m 3H aneH H eM p a cce H B aeM O H h M om H O CTH 2 0 0 R J lfl

Contextual Info: Ordering number : ENA1832A RD2006FR Planar Ultrafast Rectifier Fast trr type, 20A, 600V, 50ns, TO-220F-2FS http://onsemi.com Features • • • • VF=1.75V max IF=20A VRRM=600V trr=21ns (typ.) Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C

RD2006

Abstract: A1832 RD2006FR 20A220
Contextual Info: RD2006FR Ordering number : ENA1832 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD2006FR Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • VF=1.75V max IF=20A VRRM=600V trr=21ns (typ.) Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C

RD2004

Abstract: A1486 RD2004JN
Contextual Info: RD2004JN Ordering number : ENA1486 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD2004JN Diffused Junction Silicon Diode Low VF • High-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=400V . High reliability. Fast forward / reverse recovery time.

RD2003

Abstract: A1593 RD2003JN
Contextual Info: RD2003JN 注文コード No. N A 1 5 9 3 三洋半導体データシート N RD2003JN シリコン拡散接合型 低 VF・高速スイッチングダイオード 特長 ・高耐圧である VRRM=300V 。 ・高信頼性である。 ・逆回復時間が速い。

Contextual Info: RD2006FR Ordering number : ENA1832A SANYO Semiconductors DATA SHEET Diffused Junction Silicon Diode RD2006FR Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • VF=1.75V max IF=20A VRRM=600V trr=21ns (typ.) Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C

Contextual Info: RD2006LS-SB5 Ordering number : ENA1613 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD2006LS-SB5 Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=600V . High reliability. Easy to be mounted, good heat dissipation.

RD10EB2

Abstract: RD140EB P500M diode Lz zener RD12EB3 RD15EB RD22eb RD200E RD10EB RD10EB1
Contextual Info: RD2V0E…RD200E ZENER DIODES Features • Vz: Applied E24 standard RD130E to RD200E: 10 V step • DO-35 Glass sealed package Applications Circuits for Constant Voltage, Constant Current, Waveform clipper, Surge absorber, etc. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC)