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Abstract: 1r1h
Contextual Info: ^ TOSHIBA {DISCRETE/OPTO> 9 0 9 7 2 5 0 T O S H IB A DE I clQci7550 0QlL n74 99D 166 74 < D IS C R E T E / O P T O D jr-2.îT T - tfoÀiiìht SEMICONDUCTOR TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR 2 S K 4 2 2 SILICON N CHANNEL MOS TYPE < TT- M O S ) INDUSTRIAL APPLICATIONS

Contextual Info: TT TOSHIBA -[DISCRETE/OPTO} DE I ^ C H V B S D 99D 16674 9097250 TOSHIBA <DISCRETE/OPTO D T ' tfoòhìht SEMICONDUCTOR 301LL.74 i r - 2 .tr TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR 2 SK 4 2 2 SILICON N CHANNEL MOS TYPE 7T-M0S) INDUSTRIAL APPLICATIONS Unit in mm TECHNICAL DATA

kt829a

Abstract: VEB mikroelektronik Datenblattsammlung Halbleiterbauelemente DDR information applikation mikroelektronik B4207D mikroelektronik datenblattsammlung mikroelektronik DDR "halbleiterwerk frankfurt" KT 829 b
Contextual Info: 0=¡rúl[hE=°@Blel- t3nariilK e le k t r o n ik - b a u e t e m e n t e Die vorliegenden Datenblätter beinhalten ausführliche technische Angaben von aktiven elek­ tronischen Bauelementen des in den "Listen Elektronischer Bauelemente und Bausteine" (LEB