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P282
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Polyfet RF Devices
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PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
Original |
PDF
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39.2KB |
2 |
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P2820
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ETAL
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ISOLATING SIGNAL TRANSFORMERS |
Original |
PDF
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165.84KB |
5 |
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P2821
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ETAL
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ISOLATING SIGNAL TRANSFORMERS |
Original |
PDF
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165.84KB |
5 |
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P2821
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Unknown
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Interface IC/Device Data Book (Japanese) |
Scan |
PDF
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36.88KB |
1 |
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P2822
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ETAL
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ISOLATING SIGNAL TRANSFORMERS |
Original |
PDF
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165.84KB |
5 |
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P2822
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Unknown
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Interface IC/Device Data Book (Japanese) |
Scan |
PDF
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25.64KB |
1 |
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P2823
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ETAL
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ISOLATING SIGNAL TRANSFORMERS |
Original |
PDF
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165.84KB |
5 |
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P2823
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Unknown
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Interface IC/Device Data Book (Japanese) |
Scan |
PDF
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22.74KB |
1 |
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P2823-01
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|
Unknown
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Interface IC/Device Data Book (Japanese) |
Scan |
PDF
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22.74KB |
1 |
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P2824
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ETAL
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ISOLATING SIGNAL TRANSFORMER |
Original |
PDF
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68.53KB |
4 |
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P2824
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Unknown
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Interface IC/Device Data Book (Japanese) |
Scan |
PDF
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39.73KB |
1 |
BP2826FK
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Bright Power Semiconductor Co Ltd
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HV Drain N-Channel MOSFET with 2826F part number, designed for high-voltage applications, featuring drain-source voltage rating suitable for power management circuits, packaged in a standard semiconductor package. |
Original |
PDF
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KP2822
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Kiwi Instruments
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双相交错并联、临界导通模式升压型功率因数校正控制器 KP2822 是一款双相交错并联 (Interleaved)、临界导通模式升压型 (CRM Boost) 恒压功率因数校正 (PFC) 控制器。双相交错并联的结构，使得每一相的电流应力减小，热应力得以分散，电感体积减小，从而便于系统设计。芯片内部集成双相交错时钟控制逻辑，在所有工况都能够可靠地实现两路相位相差 180° 的工作方式，输入输出电流纹波显著减小，纹波频率加倍，有效减小 EMI 滤波器的尺寸，提高系统可靠性并降低输出电容容量需求。 芯片控制的两相电路都可以自适应地工作在临界导通模式 (CRM) 和断续导通模式 (DCM)。满载时芯片工作在 CRM；负载降低时芯片工作在 DCM，以提高系统效率。芯片还通过优化 CRM/DCM 控制算法，输入线电压前馈，能轻松实现高功率因数 (PF) 和低输入谐波 (THD) 的性能。此外，芯片通过打嗝 (Burst) 模式进一步提高了轻载效率，并极大地降低了系统待机损耗。 KP2822 集成有完备的保护功能，包括：VDD 欠压保护功能 (UVLO)、VDD 过压保护 (VDD OVP)、输入欠压保护 (BOP)，输出欠压保护 (UVP)、输出过压保护 (OVP)、逐周期电流限制 (OCP)，启动冲击电流检测 (In-rush Current)、过热保护 (OTP) 以及管脚开短路保护。 |
Original |
PDF
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BP2826FK
