P1803BVG Search Results
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Catalog Datasheet | Type | Document Tags | |
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P70N02LDG
Abstract: p0603bdg P60N03LDG PA102FDG P2503NPG P45N02LDG P0603BD P1703BDG P0403BDG P3004ND5G
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Original |
O-263 P45N02LSG P45N03LTG P75N02LSG P75N02LTG P0903BSG P0903BTG P3055LSG P3055LTG P50N03LSG P70N02LDG p0603bdg P60N03LDG PA102FDG P2503NPG P45N02LDG P0603BD P1703BDG P0403BDG P3004ND5G | |
ELM34408AAContextual Info: 单 N 沟道 MOSFET ELM34408AA-N •概要 ■特点 ELM34408AA-N 是 N 沟道低输入电容,低工作电压, •Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=8A ·Rds on < 18mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 30mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目 |
Original |
ELM34408AA-N P1803BVG Mar-21-2005 ELM34408AA | |
Contextual Info: シングル N チャンネル MOSFET ELM34408AA-N •概要 ■特長 ELM34408AA-N は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=8A ・ Rds on < 18mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 30mΩ (Vgs=4.5V) |
Original |
ELM34408AA-N P1803BVG Mar-21-2005 | |
Contextual Info: Single N-channel MOSFET ELM34408AA-N •General description ■Features ELM34408AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=30V Id=8A Rds(on) < 18mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 30mΩ (Vgs=4.5V) |
Original |
ELM34408AA-N ELM34408AA-N P1803BVG Mar-21-2005 | |
Contextual Info: Single N-channel MOSFET ELM34408AA-N •General description ■Features ELM34408AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=30V Id=8A Rds(on) < 18mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 30mΩ (Vgs=4.5V) |
Original |
ELM34408AA-N ELM34408AA-N P1803BVG Mar-21-2005 |