OPTO 7800 A Search Results

opto 7800

Abstract: E7800 GET06625 Q62702-Q1745 current sensor 7800
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

opto 7800

Abstract: E7800 GET06625 7800 opto opto 7800 a
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse

opto 7800

Abstract: E7800 Q62703-Q199 Q62703-Q3509 opto 7800 a
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse

Q62703-Q4752

Abstract: diode 482 diode SR 315 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1665 Q62703-Q1668 SFH480 Q62703Q1087
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit

Contextual Info: 2.3" Single Digit Display FEATURES • 2 .3 " digit height • Right hand decim al point • C hoice of six colors/materials OPTO-ELECTRICAL CHARACTERISTICS Ta = 25°C PEAK W AVE­ LENGTH (nm) PAR T NO. FACE CO LO RS EMITTED SURFACE EPO XY COLOR COLOR CO LO R

EDEW-1LA5

Abstract: Edixeon EDEW LL60 EDERTB-1LC6 Edison EDERTB-1LC6 binning LL60ED-BO25L edew-1la
Contextual Info: LL60 60-in-1 Lens for Color Mixing Datasheet For Edixeon Multi-Color 60-in-1 and Single-Color LEDs Features: • High efficiency ■ Available in1 beam Patterns ■ Optimized for color mixing effects ■ Lens alone Typical applications : ■ Stage Lighting

E7800

Abstract: GETY6625 OHLY0598
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden

BPX osram

Abstract: E7800
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Sehr hoher Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit

BPX osram

Abstract: E7800 GETY6625 Q62703-Q3509
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

BPX osram

Abstract: E7800
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

lichtschranke

Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 This data sheet is under PCN-revision (OS-PCN-2009-021-A2). Not to be used for design-in. PCN data sheet can be provided on request.

E7800

Abstract: GETY6625 OHLY0598 measurement of humidity in das
Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

SFH483ME7800

Abstract: SFH483-M sfh483m E7800 LME7800
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit

Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

BPX osram

Abstract: E7800 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q2186
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit

circuit diagram of moving message display using 8

Abstract: 2716A circuit diagram of moving message display using L moving message over dot matrix display moving message display circuit diagram moving message 80535 application note 74ls373 buffer ic 74LS373 PD2435
Contextual Info: Interfacing the PD243X Alphanumeric Programmable DisplayTM with the SAB80515/SAB80535 Microcontroller To Produce a Bidirectional, Speed Regulated Moving Message Display by Using the SAB80515/SAB80535's Timer 2 & 8-Bit Converter Appnote 49 This application note introduces the user to one of the features

Contextual Info: 2014-05-20 Infrared Emitter 850 nm IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.2 SFH 4850 E7800 Features: Besondere Merkmale: • Typical peak wavelength 860nm • Anode is electrically connected to the case • • • • • Typische Peakwellenlänge 860nm

BPX osram

Abstract: E7800 242-E7800
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel • Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464,

E7800

Abstract: GETY6625 OHLY0598
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel

BPX osram

Abstract: E7800 GETY6625 Q62703Q015
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel

Contextual Info: HEW LETT PACKARD High CMR Isolation Amplifier Technical Data HCPL-7800 HCPL-7800A HCPL-7800B Applications • M otor P hase Current S en sing • G eneral P urpose Industrial C urrent S en sing • H igh-Voltage P ow er Source V oltage M onitoring *The term s common-mode rejection

Contextual Info: 2013-03-14 Mini TOPLED Datasheet Version 1.0 LW MVSG Small size high-flux LED for slim designs Hocheffiziente, kompakte Lichtquelle für platzsparende Designs Features: Besondere Merkmale: • Package: white SMT package, colored diffused silicone resin • Technology: ThinGaN UX:3

Application Bulletin A-012, A Precision Waveform Generator and Voltage-Controlled Oscillator

Contextual Info: 68HC08M6 HC08M68HC 8M68HC08M MC68HC908RF2/D REV 1 MC68HC908RF2 Advance Information HCMOS Microcontroller Unit blank MC68HC908RF2 Advance Information Motorola reserves the right to make changes without further notice to any products herein. Motorola makes no warranty, representation or guarantee regarding the

JFET TRANSISTOR REPLACEMENT GUIDE j201

Abstract: UA6538 DC motor speed control using 555 and ir sensor U2740B-FP UAA145 CQY80 U2840B tcrt9050 TCDF1910 sod80 smd zener diode color band
Contextual Info: Semiconductors Technical Library March 1996 Back Products Overview Communications Automotive Computer Industrial Broadcast Media Aerospace & Defense Communications Applications Telephone ICs Type U3750BM–CP Package 44–pin PLCC Function One chip telephone