GEO06643
Abstract: Q62702-P76 BPW33 IR 33 S7535
Contextual Info: Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Sperrstromarm typ. 20 pA • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte Features • Especially suitable for applications from
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Original
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q62702-p76ohf01402geo06643bpw33+2ir 33s7535
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GEO06643
Abstract: Q62702-P76
Contextual Info: Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 BPW 33 0.8 0.6 Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode 0.6 0.4 0.8 0.6 0.35 0.2 0.5 0.3 0.6 0.4 0 . 5˚ Photosensitive area 2.65 mm x 2.65 mm Approx. weight 0.1 g
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Original
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feo06643geo06643ohf00073ohf01065+3ohf00075ohf01402q62702-p76
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GEOY6643
Abstract: Q62702-P76 PA 0016 pa 0016 equivalent
Contextual Info: Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Sperrstromarm typ. 20 pA • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte • Especially suitable for applications from
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Original
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q62702-p76geoy6643pa 0016pa 0016 equivalent |
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