OHF00441 Search Results

SFH495P

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P SFH 4552 SFH 495 P SFH 4552 Wesentliche Merkmale • Stimulierter Emitter mit sehr hohem Wirkungsgrad • Laserdiode in diffusem Gehäuse • Besonders geeignet für Impulsbetrieb bei hohen Strömen

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P SFH 4552 SFH 495 P SFH 4552 Wesentliche Merkmale • Stimulierter Emitter mit sehr hohem Wirkungsgrad • Laserdiode in diffusem Gehäuse • Besonders geeignet für Impulsbetrieb bei hohen Strömen

SFH 4552

Abstract: GEXY6632 GEXY6971 Q62702-P5054
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P SFH 4552 SFH 495 P SFH 4552 Wesentliche Merkmale Features • Stimulierter Emitter mit sehr hohem Wirkungsgrad • Laserdiode in diffusem Gehäuse • Besonders geeignet für Impulsbetrieb bei hohen Strömen

transistor 495

Abstract: GEX06630 GEX06971 Q62702-P5054 OHF00328 SFH495P
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P SFH 4552 SFH 495 P SFH 4552 Wesentliche Merkmale Features • Stimulierter Emitter mit sehr hohem Wirkungsgrad • Laserdiode in diffusem Gehäuse • Besonders geeignet für Impulsbetrieb bei hohen Strömen

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 5.0 4.2 Anode 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.6 0.4 0.8 0.4 29 27 SFH 495 P SFH 4552 3.85 3.35 0.6 0.4 Area not flat fex06971 1.8 1.2 Chip position GEX06971 Area not flat 29.5 27.5 Cathode Diode Collector (Transistor)

80 ESP 12

Abstract: GEX06630 GEX06971 Q62702-P5054 Q62703-Q7891 OHF00329 transistor sr 61
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 5.0 4.2 Anode 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.6 0.4 0.8 0.4 29 27 SFH 495 P SFH 4552 3.85 3.35 0.6 0.4 Area not flat fex06971 1.8 1.2 Chip position GEX06971 Area not flat 29.5 27.5 Cathode Diode Collector (Transistor)