N2499 Search Results

2SJ348

Contextual Info: 注文コード No. N 6 4 2 1 2SJ348 No. N 6 4 2 1 N2499 新 2SJ348 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃

HF16A

Abstract: a1289 a*12864 A1286 5CCD A12859 532H LC9997FL fujinon s4141
Contextual Info: 注文コードNo.N ※ 6 3 5 2 No. N6352 N2499 1/5インチ光学サイズ LC9997FL NTSC カラー用固体撮像素子 LC9997FLは1/5インチ光学サイズフレームトランスファ型CCD Charge Coupled Device の固体撮像素子で ある。

CPH5606

Abstract: M2168
Contextual Info: 注文コード No. N※6 4 5 1 CPH5606 No. ※N 6 4 5 1 N2499 CPH5606 特長 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを

CPH3114

Abstract: CPH6702 SBS006
Contextual Info: 注文コード No.N 6 3 5 4 CPH6702 No. N 6 3 5 4 N2499 新 CPH6702 特長 TR : PNP エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ / SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・PNP トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり

TA-2368

Abstract: zp 18a N249 2SJ466 ta2368
Contextual Info: 注文コード No. N 5 4 9 1 B 2SJ466 No. N 5 4 9 1 B N2499 半導体ニューズ No.5491A とさしかえてください。 2SJ466 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。

Contextual Info: MCH6605 Ordering number : EN6460C SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET MCH6605 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance Ultrahigh-speed switching 4V drive Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting

Contextual Info: MCH6605 Ordering number : EN6460A P-Channel Silicon MOSFET MCH6605 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.

CPH5605

Abstract: M2168
Contextual Info: 注文コード No. N 6 4 4 1 CPH5605 三洋半導体データシート N CPH5605 特長 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを

F245B

Abstract: BF256 2N3820 BC264 U1898E BFS21A MPF105 vergleichsliste BF320 TIS69
Contextual Info: FACHHÄNDLER INFORMATION DISKRETE PRODUKTE FETs Warum FET-Vorzugsprodukte? Weil: • 20% unserer Produkte mehr als 80% aller Anforderungen erfüllen. ■ wir unsere Produkte mittels Computer analysiert haben nach: größtem Bedarf notwendigen Parametern niedrigsten Kosten

MCH6606

Abstract: IT00049
Contextual Info: MCH6606 注文コード No. N 6 4 6 1 B 三洋半導体データシート 半導体データシート No.N6461A をさしかえてください。 MCH6606 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス

TA-2457

Abstract: MCH6601 IT00079 non6458a IT00085
Contextual Info: MCH6601 注文コード No. N 6 4 5 8 B 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N6458A とさしかえてください。 MCH6601 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長

MCH6605

Contextual Info: MCH6605 注文コード No. N 6 4 6 0 B 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N6460A とさしかえてください。 MCH6605 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長

MCH6605

Contextual Info: MCH6605 Ordering number : EN6460B SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET MCH6605 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.

Contextual Info: MCH6601 Ordering number : EN6458A P-Channel Silicon MOSFET MCH6601 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.

Contextual Info: MCH6601 Ordering number : EN6458B SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET MCH6601 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.

Contextual Info: Ordering number : EN6458D MCH6601 P-Channel Power MOSFET http://onsemi.com –30V, –0.2A, 10.4Ω, Dual MCPH6 Features • • • • Low ON-resistance Ultrahigh-speed switching 1.5V drive Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting

CPH3115

Abstract: CPH3215
Contextual Info: CPH3115 / CPH3215 注文コード No. N 6 3 4 4 B 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N6344A とさしかえてください。 CPH3115 / CPH3215 PNP / NPN エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ DC / DC コンバータ用

en645

Abstract: MCH6601
Contextual Info: MCH6601 Ordering number : EN6458B SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET MCH6601 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.

E421 fet

Abstract: equivalent transistor e176 J2N2608 J2N3821 E112 jfet e420 dual jfet 2N390G TRANSISTOR E421 dual JFET 2N4360 equivalent transistors Teledyne Semiconductor jfet
Contextual Info: Discretes from Teledyne Semiconductor In this catalog are listed more than 2000 high-quality diodes, bipolar transistors and JFETs available from Teledyne Semiconductor. Key specifications are included for each device and many are available w ith hi-rel processing to m ilitary specifications.

Contextual Info: MCH6601 Ordering number : EN6458C SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET MCH6601 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance Ultrahigh-speed switching 1.5V drive Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting

Contextual Info: MCH6605 Ordering number : EN6460B P-Channel Silicon MOSFET MCH6605 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.