K 0,17 F Search Results

igbt module bsm 200

Abstract: GB60 igbt module bsm 300 eupec igbt BSM 100 gb
Contextual Info: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GB 60 DLC Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. - - 0,17 K/W - - 0,29 K/W Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC

thyristor 12V 1A

Abstract: TZ810N22KOF
Contextual Info: Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TZ810N22KOF Key Parameters VDRM / VRRM 2200 V ITAVM 819 A TC=85°C ITSM vT0 39000 A 3570A (TC=55°C) 0,82 V rT 0,17 mΩ RthJC 0,0405 K/W Baseplate 70 mm Weight

Contextual Info: Technische Information / technical information Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module DZ1070N28K Key Parameters VDRM / VRRM 2800 V IFAVM 1070 A TC=100°C IFSM vT0 41000 3570A A (TC=55°C) 0,8 V rT 0,17 mΩ RthJC 0,0435 K/W Baseplate 70 mm Weight 2750 g

Contextual Info: Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT170N Key Parameters VDRM / VRRM 1200 V – 1800 V ITAVM 170 A TC=85 °C ITSM VT0 5200 A 3570A (TC=55°C) 0,95 V rT 1,0 mΩ RthJC 0,17 K/W Base plate 50 mm

tianma lcd

Abstract: S6B0715A11-B0CZ lcd 7011 CS-211
Contextual Info: E.O MAX 0.7±0.1— 1 |f-0.7±0.1 DETAIL A: — 0,17 FRDNT — 1 po.De CO 11 t r N O □ □ □ □ □ □ □ □ □ □ □ □ IV T A P E BLACK SILICDI ^ ÍL A C K SILICON ND, SYMBOL ND, SYMBOL 1 RESETB 2 CS2 10 11 C2+ 3 RS 12 CPVR — 0.7CNAX) DETAIL Ci

SP201

Abstract: TB-102 HDL2
Contextual Info: REVISIONS L4 L3 SP201 GAIN 30dB FLA TN E S S = ± 0,5dB Ll = 4T #26 wire 1/8' HD LB = 3/16' long wire loop #26 wire L3, 4, 5, L6, 7, 8 15 T u rn s 0,17' ID to ro id lOuH molded choke S. K. LEDNG APPRDVED L5 SP201 by DATE DESCRIPTION REV SP201 5/15/99 P D L Y F E T RF D E V I C E S

LED alta luminosidad

Abstract: sensor ultrasonico 3RG6451-3CC00 led amarillo SENSOR DE TEMPERATURA ultrasonico led verde led verde 2V ULTRASONICO ultrasonic transducer au 3ZX1012-0RG64-1CA1
Contextual Info: + 70° C + 70° C Sonar – BERO Kompaktreihe K08 IP 67 3RG6451-3CC00 -25° C Betriebsanleitung Bestell-Nr.: 3ZX1012-0RG64-1CA1 Reflexionstaster mit Hintergrundausblendung 300 kHz Aufgrund physikalischer Gegebenheiten dürfen Ultraschall-Sensoren NICHT für Personenschutz oder NOT-AUS Funktionen verwendet werden!

E86060

Abstract: 5NM60 L400 M18S 3ZX10 bero 3ZX1012-0R seconda Basso 3ZX1012
Contextual Info: + 70° C + 70° C IP 67 Sonar – BERO Kompaktreihe M18S Betriebsanleitung 3RG6421-3RS00 -25° C Bestell-Nr.: 3ZX1012-0RG64-1BA1 Sonar – BERO Compact range M18S Operating Instructions Frequenzausgang 300 kHz Frequency output 300 kHz Aufgrund physikalischer Gegebenheiten dürfen Sonar-BERO NICHT für Personenschutz oder NOT-AUS Funktionen

3ZX1012-0R

Abstract: pulsador 4 pines 3RG6432-3BB00 pulsador sensor de barrera 3ZX1012-0RG64-2AA1 sensor ultrasonico 3zx1012 rifle fotocellula
Contextual Info: + 70° C + 70° C IP 67 Sonar – BERO Kompaktreihe M18S -25° C Betriebsanleitung 3RG6432-3BB00 Bestell-Nr.: 3ZX1012-0RG64-2AA1 Sonar – BERO Compact range M18S Operating Instructions Aufgrund physikalischer Gegebenheiten dürfen Sonar-BERO NICHT für Personenschutz oder NOT-AUS Funktionen

aeg thyristors

Abstract: AEG T 508 N 1200 aeg T7N AEG T 51 N 1200 T5N400 KL42C T 718 N 1400 AEG aeg tt 18 n 1200 aeg tt 46 n 1200 TT 45 N 1200
Contextual Info: A E G CORP 17E D • O O am ab GQOTa^'l 3 ■ T-ar-öi Thyristoren für netzgeführte Stromrichter Thyristors for line-commutated converters Thyristors pour applications secteur Typ Type Vorm Vrrm Jf t it h'RMSM Jt sm 10ms •p “ M“ •vjmax 45*C V A A

dd 76 N powerblock

Contextual Info: Rectifier Diode Modules Type V rrm Ifr m sm V A Ifsm A 10 ms, VRSM = VRRM + 100 V Jpdt IfavM / T c A2s A/°C 10ms, T vjmaXi T vjm a x *103 28,8 V TO V T‘ V] =T1v) max rT m fi T„; RfhCK T v j m ax ° c /w °C /W °c o u tlin e 180° e! sin ^ v| rr a <

Contextual Info: Influence of Thermal Cross Coupling at Power Modules Ernö Temesi, Zsolt Gyimothy Vincotech Kft., H-2060 Bicske, Kossuth Lajos u. 59 Abstract The thermal impedance of the semiconductors in Power Modules is always measured for a single chip, without the influence of other surrounding dies. This article describes the increase of the junction temperature of powersemiconductors due to the cross coupling of the Rth of components placed close to each other. The influence of

z70u

Abstract: R100000
Contextual Info: EF 9 EF 9 H.F.-Penthode-Selektode Die Penthode E F 9 ist eine Hoch- oder Zwischenfrequenzröhre mit max32 veränderlicher Steilheit, die auch als N.F.-Verstärker m it Widerstandskopplung verwendet werden kann, und zwar m it oder ohne Regelung der Verstärkung automatische Lautstärkeregelung, die auch die

EUPEC DD 104 N 16

Abstract: EUPEC DD 105 N 16 L EUPEC DD 31 800 EUPEC DD 600 eupec dd 76 n 1200 EUPEC DD 171 N EUPEC DD 89 DD 85 N 1600 EUPEC DD 105 N 16 157000
Contextual Info: Type V rrm V r sm 'frm sm = V r rm blE D EUPEC Rectifier diode modules If s m / i 2d t Ifa vm ^ c 34Q32T? V TD Tt R th JC GEH « U P E C R thC K •tvj m a x Outline + 100 V A V 10 ms, 10 ms, t vj = tv i = ty j m ax tv j max f'.’j max fv j max 180 “el

Contextual Info: _PREMO CS0603 Features SMD Leadless small size inductor wound on high alumina ceramic bodies. High Q factor and self-resonance frequencies, allow excellent operation in G SM frequencies, DECT, cordless communications, wireless LANs, etc.

cs0603

Abstract: JG35
Contextual Info: _ P R E M O CS0603 Features SMD Leadless small size inductor wound on high alumina ceramic bodies. High Q factor and self-resonance frequencies, allow excellent operation in G SM frequencies, DECT, cordless communications, wireless LANs, etc.

dd 127 dd 127 d

Contextual Info: Rectifier Diode Modules Type V rrm I frmsm Ifsm V A VRSM = VRRM A 10 ms, + 100 V ^vjmax J i2dt A2s 10ms, •103 rT I fAVM^c V TO A/°C V mQ tvj = tij = ^vj max max RthJC RfhCK tvj max °c/w °C /W °C outline 180° el sin Baseplate = 20 mm DD 31 N 800.1600

DD 127 D

Abstract: DD 31 N 800 K DD 65 N 800 K dd 127 dd 127 d dd 61 n 600 dd 127 DD 90 QDD2172 DD 61 N 800 K DD 105 N 16 L
Contextual Info: Rectifier Diode Modules Type V rrm I frmsm Ifsm V VRSM = VRRM + 100 V A A 10 ms, ^vjmax J i2dt A2s 10ms, •103 I fAVM^c V TO A /°C V rT RthJC RfhCK tvj max °C /W °C outline tvj = ^vj max tij = max ° c /w 180° el sin 0,8 7 1,2 0,2 150 77 0,75 3,1 0,78

BU103

Abstract: URV5-Z2 URV5 nrv-z51 cd 1619 Dioden Tabelle EQUIVALENT cd 1031 cs Gleichrichter IEC-1010-1 NRV-Z4
Contextual Info: Spannungsmeßköpfe URV5-Z Universelle Spannungsmessung von HF bis Mikrowelle Die Spannungsmeßköpfe der Entsprechend universell lassen sie Die Spannungsmeßköpfe sind die Reihe URV5-Z sind unentbehrliche sich einsetzen für: passenden Werkzeuge für die täg-

Contextual Info: Spezifikation für Freigabe / specification for release Kunde / customer : Artikelnummer / part number : Bezeichnung : description : LF 749119250 POWER OVER ETHERNET-ÜBERTRAGER WE-PoE POWER OVER ETHERNET-TRANSFORMER WE-PoE RoHS compliant DATUM / DATE : 2005-06-22

Contextual Info: TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP100R12KT4   IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter VorläufigeDaten/PreliminaryData

b2c15

Contextual Info: Spezifikation für Freigabe / specification for release Kunde / customer : Artikelnummer / part number : Bezeichnung : description : LF 749119250 POWER OVER ETHERNET-ÜBERTRAGER WE-PoE POWER OVER ETHERNET-TRANSFORMER WE-PoE DATUM / DATE : 2006-08-01 A Mechanische Abmessungen / dimensions :

EAF42

Abstract: ech41 philips EAF 42 ECH 42 philips diagram fr 310 Philips schema philips fr 310 RG211 ECH42 390SV
Contextual Info: IËÂF42 PHILIPS DIODE-PENTODE with variable mutual conductance for use as R.F., I.F. or A.F. amplifier DIODE-PENTHODE à pente variable pour l'utilisation comme amplificatrice H.F., M.F. ou B.F. DIODE-PENTODE mit veränderlicher Steilheit zur Ver­ wendung als HF-, ZF- oder NF-Verstärker

c 565-2

Abstract: 3X050-10-7 2X03-X-X
Contextual Info: Pulse-FEE A T E C H N I T R O L C O M P A N Y FE 2 X Series Current compensated Noise Supression Chokes Inductances compensées d'antiparasitage Key Features Electrical spe cificatio n a t 25°C L±30% mH Caractéristiques Basic Part N o 3,3 6,8 10 15 18