K 0,17 F Search Results

igbt module bsm 200

Abstract: GB60 igbt module bsm 300 eupec igbt BSM 100 gb
Contextual Info: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GB 60 DLC Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. - - 0,17 K/W - - 0,29 K/W Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC

LED alta luminosidad

Abstract: sensor ultrasonico 3RG6451-3CC00 led amarillo SENSOR DE TEMPERATURA ultrasonico led verde led verde 2V ULTRASONICO ultrasonic transducer au 3ZX1012-0RG64-1CA1
Contextual Info: + 70° C + 70° C Sonar – BERO Kompaktreihe K08 IP 67 3RG6451-3CC00 -25° C Betriebsanleitung Bestell-Nr.: 3ZX1012-0RG64-1CA1 Reflexionstaster mit Hintergrundausblendung 300 kHz Aufgrund physikalischer Gegebenheiten dürfen Ultraschall-Sensoren NICHT für Personenschutz oder NOT-AUS Funktionen verwendet werden!

E86060

Abstract: 5NM60 L400 M18S 3ZX10 bero 3ZX1012-0R seconda Basso 3ZX1012
Contextual Info: + 70° C + 70° C IP 67 Sonar – BERO Kompaktreihe M18S Betriebsanleitung 3RG6421-3RS00 -25° C Bestell-Nr.: 3ZX1012-0RG64-1BA1 Sonar – BERO Compact range M18S Operating Instructions Frequenzausgang 300 kHz Frequency output 300 kHz Aufgrund physikalischer Gegebenheiten dürfen Sonar-BERO NICHT für Personenschutz oder NOT-AUS Funktionen

3ZX1012-0R

Abstract: pulsador 4 pines 3RG6432-3BB00 pulsador sensor de barrera 3ZX1012-0RG64-2AA1 sensor ultrasonico 3zx1012 rifle fotocellula
Contextual Info: + 70° C + 70° C IP 67 Sonar – BERO Kompaktreihe M18S -25° C Betriebsanleitung 3RG6432-3BB00 Bestell-Nr.: 3ZX1012-0RG64-2AA1 Sonar – BERO Compact range M18S Operating Instructions Aufgrund physikalischer Gegebenheiten dürfen Sonar-BERO NICHT für Personenschutz oder NOT-AUS Funktionen

z70u

Abstract: R100000
Contextual Info: EF 9 EF 9 H.F.-Penthode-Selektode Die Penthode E F 9 ist eine Hoch- oder Zwischenfrequenzröhre mit max32 veränderlicher Steilheit, die auch als N.F.-Verstärker m it Widerstandskopplung verwendet werden kann, und zwar m it oder ohne Regelung der Verstärkung automatische Lautstärkeregelung, die auch die

Contextual Info: _PREMO CS0603 Features SMD Leadless small size inductor wound on high alumina ceramic bodies. High Q factor and self-resonance frequencies, allow excellent operation in G SM frequencies, DECT, cordless communications, wireless LANs, etc.

cs0603

Abstract: JG35
Contextual Info: _ P R E M O CS0603 Features SMD Leadless small size inductor wound on high alumina ceramic bodies. High Q factor and self-resonance frequencies, allow excellent operation in G SM frequencies, DECT, cordless communications, wireless LANs, etc.

Contextual Info: Spezifikation für Freigabe / specification for release Kunde / customer : Artikelnummer / part number : Bezeichnung : description : LF 749119250 POWER OVER ETHERNET-ÜBERTRAGER WE-PoE POWER OVER ETHERNET-TRANSFORMER WE-PoE RoHS compliant DATUM / DATE : 2005-06-22

Contextual Info: TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP100R12KT4   IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter VorläufigeDaten/PreliminaryData

EAF42

Abstract: ech41 philips EAF 42 ECH 42 philips diagram fr 310 Philips schema philips fr 310 RG211 ECH42 390SV
Contextual Info: IËÂF42 PHILIPS DIODE-PENTODE with variable mutual conductance for use as R.F., I.F. or A.F. amplifier DIODE-PENTHODE à pente variable pour l'utilisation comme amplificatrice H.F., M.F. ou B.F. DIODE-PENTODE mit veränderlicher Steilheit zur Ver­ wendung als HF-, ZF- oder NF-Verstärker

c 565-2

Abstract: 3X050-10-7 2X03-X-X
Contextual Info: Pulse-FEE A T E C H N I T R O L C O M P A N Y FE 2 X Series Current compensated Noise Supression Chokes Inductances compensées d'antiparasitage Key Features Electrical spe cificatio n a t 25°C L±30% mH Caractéristiques Basic Part N o 3,3 6,8 10 15 18

on 4409

Abstract: RG2 SERIES ef11 78 mo 5
Contextual Info: PHILIPS f lF lï PENTODE with variable mutual conductance for use as R.F., I.F. or A.F. amplifier PENTHCDE k pente variable pour utilisation en ampli­ ficatrice H.F., H.F. ou B.F. PENTODE mit veränderlicher Steilheit zur Verwen­ dung als HF-, ZF- oder NF-Verstärker

Contextual Info: Thyristor Diode Modules for Current Source Inverters rrm V, V rrm V It rm sm A D iode (Thyr.) kA 10 ms, J ¡2dt kA2s 10 ms, ^vj max 1,40 It sm It A V M ^ c V (T O ) V ^vj max A/°C 180° el sin ^vj max 9,8 60/85 ri­ ma (di/dt) or tq MS (di/dt) or V/ps DIN IEC

ECC81

Abstract: ECC81 triode ecc 81 eCc8 philips B 7R031S5
Contextual Info: P H IL IP S ECC 81 R.P.DOUBLE TRIODE for use as oscillator, mixer or ampli­ fier in television receivers DOUBLE TRIODE H.F. pour utilisation en oscillatrice, mélangeuse ou amplificatrice dans des récepteurs de télévi­ sion HF-DOPPELTRIODE zur Verwendung als Oszillator, Mischröhre

EF22

Abstract: la 4237
Contextual Info: EF 22 PHILIPS PENTODEfwith variable mutual conductance for use as H.F., I.F. and L.F. amplifier PENTHODE à pente variable pour l ’utilisation comme am­ plificatrice H.F., M.F. et B.F. PENTODE mit veränderlicher Steilheit zur Verwendung als H.F., Z.F. und N.F. Verstärker

Contextual Info: テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FP100R12KT4   IGBT- インバータ/IGBT,Inverter 暫定データ/PreliminaryData

ZF EPS

Abstract: af amplifier
Contextual Info: [¥9 PHILIPS PENTODE with variable mutual conductance for use as R.F., I.F. or A.F. amplifier PENTHODE k pente variable pour utilisation comme amplificatrice H.F., M.F. ou B.F. PENTODE mit veränderlicher Steilheit zur Verwehdung als HF-, ZF- oder NF-Verstärker

Contextual Info: 技术信息/TechnicalInformation IGBT-模块 IGBT-modules FP100R12KT4   IGBT,逆变器/IGBT,Inverter 最大额定值/MaximumRatedValues

Transistor BSX 95

Abstract: k 49 transistor LC 500-S BSX49 Q60218-X48 Q60218-X49 bsx 30 BSX48 Scans-0010549
Contextual Info: IMPIM-Transistoren fü r HF-Schalteranwendungen BSX 48 BSX 49 Die Transistoren BSX 48 und BSX 49 sind doppeltdiffundierte epitaktische Silizium-Transistoren in Planar-Technik im Gehäuse 18 A3 DIN 41 876 TO-18 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch verbunden.

hcp 932

Abstract: capacitor jianghai cd 293
Contextual Info: CD 281 LL Series 3 000 - 12 000h at 105°C CD 269 PH • Longest Lifetime 105°C · Low Impedance · Power Supplies · Smoothing, Buffering, Filtering 125°C CD 110 PT 85°C CD 287 GC smaller lower ESR CD 28L QL lowest ESR longest life CD 281 LL CD 284 XY Item

Contextual Info: EUPEC b lE D m 3 4 0 3 2 c17 □□□1301 0Tb H U P E C Thyristor-Dioden-Module fur l-Umrichter Thyristor-diode-modules for current source inverters Typ Type V drm V rrm It r m s m It s m /¡ 2dt It a v m ^ c V TO it (di/dt)cr (dv/dt)cr Rthjc RlhCK tv, max

Contextual Info: s e m ik r d n V rsm V rrm *L \ W er V drm Itrm s (maximum values for continuous operation 63 A | 78 A SKT 40 SKT 50 Itav (sin. 180; "case = •• - °C) V V V/us 4 0 A (80 °C) 500 7 00 400 500 SKT 40/04 D - 6 00 500 SKT 40/06 D SKT 50/06 D* 50 A (78 °C)

Contextual Info: Spezifikation für Freigabe / specification for release Kunde / customer : Artikelnummer / part number : Bezeichnung : description : 749119933 POWER OVER ETHERNET-ÜBERTRAGER WE-PoE POWER OVER ETHERNET-TRANSFORMER WE-PoE DATUM / DATE : 2006-06-12 A Mechanische Abmessungen / dimensions :

SS502

Abstract: M502 Q60218-Y34 Q60218-Y58 BSY34 Scans-0010549
Contextual Info: NPIM-HF-Transistoren für Schalteranw endungen B S Y 34 B SY 58 B S Y 34 und B S Y 58 sind doppeltdiffundierte epitaktische NPN-Silizium-HF-Transistoren in Planartechnik im Gehäuse 5 C3 DIN 41 873 T O -39 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch verbunden.