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VEC2612 Abstract: mosfet pch 3a 60v Contextual Info: VEC2612 Ordering number : ENA0656 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2612 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • The best suited for inverter applications. The VEC2612 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance,	Original	VEC2612 ENA0656 VEC2612 A0656-6/6 mosfet pch 3a 60v	PDF
VEC2612 Contextual Info: VEC2612 注文コード No. N A 0 6 5 6 三洋半導体データシート N VEC2612 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・インバータ用途に最適。・低オン抵抗の N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した	Original	VEC2612 900mm2 IT11983 IT02950 IT02949 900mm2 IT11984 VEC2612	PDF

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VEC2612

Abstract: mosfet pch 3a 60v
Contextual Info: VEC2612 Ordering number : ENA0656 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2612 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • The best suited for inverter applications. The VEC2612 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance,

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VEC2612 ENA0656 VEC2612 A0656-6/6 mosfet pch 3a 60v

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VEC2612

Contextual Info: VEC2612 注文コード No. N A 0 6 5 6 三洋半導体データシート N VEC2612 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・インバータ用途に最適。・低オン抵抗の N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した

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