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3MN03S

Abstract: ITR05148 ITR05149 ITR05150 ITR05152 marking WA
Contextual Info: 3MN03S Ordering number : EN8392A SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 3MN03S High-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features • • Ultrasmall-sized package enabiling compactness and slimness of sets. High fT and small Cre fT=320MHz typ, Cre=0.95pF typ .

Contextual Info: 3MN03S Ordering number : EN8392A NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 3MN03S High-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features • • Ultrasmall-sized package enabiling compactness and slimness of sets. High fT and small Cre fT=320MHz typ, Cre=0.95pF typ .

Contextual Info: 3MN03S Ordering number : ENN8392 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 3MN03S High-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features • • Ultrasmall-sized package enabiling compactness and slimness of sets. High fT and small Cre fT=320MHz typ, Cre=0.95pF typ .

3MN03S

Abstract: ITR05148 ITR05149 ITR05150 ITR05152
Contextual Info: 3MN03S 注文コード No. N 8 3 9 2 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N8392 とさしかえてください。 3MN03S NPN エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ 高周波一般増幅用 特長 ・小型パッケージのためセットの小型化が可能である。

3MN03S

Abstract: ITR05148 ITR05149 ITR05150 ITR05152
Contextual Info: 3MN03S 注文コード No. N 8 3 9 2 3MN03S NPN エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ 高周波一般増幅用 特長 ・小型パッケージのためセットの小型化が可能である。 ・fT が高く Cre が小さい（fT=320MHz typ, Cre=0.95pF typ）