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| Catalog Datasheet | Type | Document Tags | |
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2SJ646Contextual Info: 2SJ646 注文コード No. N 8 2 8 2 三洋半導体データシート N 2SJ646 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。 |
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2SJ646 --10V IT09667 IT09670 IT09671 IT09672 2SJ646 | |
IT06907
Abstract: 2SJ646
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2SJ646 --10V IT09667 IT09670 IT09671 IT09672 IT06907 2SJ646 | |
2SJ646Contextual Info: 2SJ646 Ordering number : ENN8282 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ646 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol |
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2SJ646 ENN8282 2SJ646 |