IT09311 Search Results
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Catalog Datasheet | Type | Document Tags | |
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VEC2607Contextual Info: VEC2607 Ordering number : ENN8359 VEC2607 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • The best suited for inverter applications. The VEC2607 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance, |
Original |
VEC2607 ENN8359 VEC2607 | |
Contextual Info: VEC2401 Ordering number : ENA0264 N-Channel Silicon MOSFET VEC2401 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • The best suited for load switching applications. Low ON-resistance. Composite type facilitating high-density mounting. |
Original |
ENA0264 VEC2401 900mm2 A0264-4/4 | |
VEC2401Contextual Info: VEC2401 注文コード No. N A 0 2 6 4 三洋半導体データシート N VEC2401 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・ロードスイッチング用途に最適。 ・低オン抵抗。 |
Original |
VEC2401 900mm2 IT09311 900mm2 IT10501 IT10502 A0264-4/4 VEC2401 | |
Contextual Info: VEC2401 Ordering number : ENA0264 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET VEC2401 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • The best suited for load switching applications. Low ON-resistance. Composite type facilitating high-density mounting. |
Original |
VEC2401 ENA0264 900mm2 A0264-4/4 | |
VEC2607Contextual Info: VEC2607 注文コード No. N 8 3 5 9 三洋半導体データシート N VEC2607 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・インバータ用途に最適。 ・低オン抵抗の N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した |
Original |
VEC2607 900mm2 IT09285 IT09311 IT08607 900mm2 IT09286 VEC2607 |