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8021-3 Abstract: VEC2602 Contextual Info: VEC2602 注文コード No. N 8 0 2 1 三洋半導体データシート N VEC2602 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・インバータ用途に最適。・低オン抵抗の N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した	Original	VEC2602 900mm2 IT07750 IT07748 --10V 900mm2 IT07753 8021-3 VEC2602	PDF
VEC2602 Contextual Info: VEC2602 Ordering number : ENN8021 N-Channel Silicon MOSFET VEC2602 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Best suited for inverter applications. The VEC2602 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance,	Original	VEC2602 ENN8021 VEC2602	PDF

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8021-3

Abstract: VEC2602
Contextual Info: VEC2602 注文コード No. N 8 0 2 1 三洋半導体データシート N VEC2602 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・インバータ用途に最適。・低オン抵抗の N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した

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VEC2602 900mm2 IT07750 IT07748 --10V 900mm2 IT07753 8021-3 VEC2602

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VEC2602

Contextual Info: VEC2602 Ordering number : ENN8021 N-Channel Silicon MOSFET VEC2602 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Best suited for inverter applications. The VEC2602 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance,

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VEC2602 ENN8021 VEC2602

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