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MCH3460 Contextual Info: MCH3460 Ordering number : ENN8111 MCH3460 N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol	Original	MCH3460 ENN8111 900mm2 MCH3460	PDF
81073 Abstract: V 2238 CPH6616 Contextual Info: CPH6616 注文コード No. N 8 1 0 7 三洋半導体データシート N CPH6616 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。	Original	CPH6616 900mm2 IT07314 900mm2 IT07316 IT07318 81073 V 2238 CPH6616	PDF
CPH6615 Contextual Info: CPH6615 注文コード No. N 8 0 6 9 三洋半導体データシート N CPH6615 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッケージに	Original	CPH6615 900mm2 --15V --10V IT07310 900mm2 IT07317 IT07318 CPH6615	PDF
CPH6615 Contextual Info: CPH6615 注文コード No. N 8 0 6 9 CPH6615 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッケージに	Original	CPH6615 900mm2 --15V --10V IT07310 900mm2 IT07317 IT07318 CPH6615	PDF
CPH6616 Contextual Info: CPH6616 Ordering number : ENN8107 N-Channel Silicon MOSFET CPH6616 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting. Excellent ON-resistance characteristic.	Original	CPH6616 ENN8107 900mm2 CPH6616	PDF
DIODE 8069 Abstract: CPH6615 Contextual Info: CPH6615 Ordering number : ENN8069 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs CPH6615 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • The CPH6615 incorporates a N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance, Ultrahigh-speed switching, thereby enabling high-density mounting.	Original	CPH6615 ENN8069 CPH6615 DIODE 8069	PDF