IT06424 Search Results

Contextual Info: Ordering number : ENN7647 VEC2301 P-Channel Silicon MOSFET VEC2301 General-Purpose Switching Device Applications Preliminary • • unit : mm 2227 [VEC2301] Bottom View Top View 0.3 8 0.25 2.8 • Best suited for load switches. Low ON-resistance. 2.5V drive.

VEC2819

Contextual Info: VEC2819 Ordering number : ENA0536A SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2819 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features DC / DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package

A1045

Contextual Info: VEC2905 注文コード No. N A 1 0 4 5 三洋半導体データシート N VEC2905 PNP エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス

transistor A1045

Abstract: FET MARKING QG tr fet 1A tr fet 2A RL66
Contextual Info: VEC2905 Ordering number : ENA1045 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2905 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • • Composite type, facilitatiing high-density mounting. Mounting height 0.75mm.

VEC2819

Contextual Info: VEC2819 Ordering number : ENA0536 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2819 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features DC / DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package

A01042

Abstract: VEC2610 a0104 A0104-5 3am10
Contextual Info: VEC2610 注文コード No. N A 0 1 0 4 三洋半導体データシート N VEC2610 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・インバータ用途に最適。 ・低オン抵抗の N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した

VEC2610

Abstract: INVERTER BOARD SANYO TB A0104-5
Contextual Info: VEC2610 Ordering number : ENA0104 VEC2610 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • The best suited for inverter applications. The VEC2610 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance,

VEC2301

Contextual Info: 注文コード No. N 7 6 4 7 VEC2301 三洋半導体データシート N VEC2301 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス ・ロードスイッチング用途に最適 ・低オン抵抗。

VEC2819

Abstract: A0536
Contextual Info: VEC2819 注文コード No. N A 0 5 3 6 A 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA0536 をさしかえてください。 VEC2819 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード