IT06109 Search Results

MCH3443

Contextual Info: Ordering number : ENN7531 MCH3443 N-Channel Silicon MOSFET MCH3443 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Low ON-resinstance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. unit : mm 2167A [MCH3443] 0.3 0.25 • Package Dimensions 0.15 0.25 2 1 0.65

Contextual Info: MCH5835 Ordering number : ENA0655 SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5835 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with an N-channel silicon MOSFET MCH3443 and a schottky barrier diode (SS0503SH)

Contextual Info: SCH2819 SCH2819 Ordering number : ENN8291 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-Channel Silicon MOSFET SCH1419 and a Schottky Barrier Diode (SS0503)

CPH3449

Contextual Info: CPH3449 Ordering number : ENA0953 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH3449 N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • • Low ON-resistance. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Drain-to-Source Voltage

SCH2819

Abstract: SCH1419 8-2914
Contextual Info: SCH2819 注文コード No. N 8 2 9 1 三洋半導体データシート N SCH2819 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタ（SCH1419）

marking ku

Abstract: SCH1419
Contextual Info: SCH1419 Ordering number : ENN8253 N-Channel Silicon MOSFET SCH1419 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol

SCH2819

Abstract: SCH1419
Contextual Info: SCH2819 Ordering number : ENN8291 SCH2819 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-Channel Silicon MOSFET SCH1419 and a Schottky Barrier Diode (SS0503)

MCH3443

Abstract: MCH5809 SBS006M
Contextual Info: 注文コード No. N 7 5 2 5 MCH5809 三洋半導体データシート N MCH5809 特長 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3443）とショットキバリアダイオード

MCH5835

Abstract: MCH3443 SS0503SH
Contextual Info: MCH5835 注文コード No. N A 0 6 5 5 A 三洋半導体データシート 半導体デ−タシート No.NA0655 をさしかえてください。 MCH5835 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード

MCH5835

Abstract: MCH3443 SS0503SH
Contextual Info: MCH5835 Ordering number : ENA0655A SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5835 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with an N-channel silicon MOSFET MCH3443 and a schottky barrier diode (SS0503SH)

SCH1419

Contextual Info: SCH1419 注文コード No. N 8 2 5 3 三洋半導体データシート N SCH1419 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。

v215s

Abstract: SCH1419
Contextual Info: SCH1419 注文コード No. N 8 2 5 3 SCH1419 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃

MCH3443

Abstract: MCH5809 SBS006M marking QJ
Contextual Info: Ordering number : ENN7525 MCH5809 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5809 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3443 and a Schottky Barrier Diode (SBS006M) 2195