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Greenlee Textron Inc


Greenlee Textron Inc T200MR/KIT-0435 (52087277) Contact Volt Det, 4/35Kv, Oh/Ug
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RS	T200MR/KIT-0435 (52087277)	Bulk		5 Weeks	1	1 $3372.21 10 $3372.21 100 $3372.21 1000 $3372.21 10000 $3372.21	Get Quote

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Catalog Datasheet	Type	Document Tags	PDF
diode N1004 Abstract: CPH5812 MCH3317 N1004 SBS010M TA-3787 74674 Contextual Info: CPH5812 Ordering number : ENN7467A CPH5812 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3317 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained in one package facilitating high-density mounting.	Original	CPH5812 ENN7467A MCH3317) SBS010M) diode N1004 CPH5812 MCH3317 N1004 SBS010M TA-3787 74674	PDF
CPH5815 Abstract: MCH3317 SBS007M Contextual Info: Ordering number : ENN7381 CPH5815 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5815 DC / DC Converter Applications 4 0.15 3 0.6 5 0.2 [CPH5815] 2.9 0.05 1 2 0.95 0.4 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 0.9 0.7 0.2 • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET	Original	ENN7381 CPH5815 CPH5815] MCH3317) SBS007M) CPH5815 MCH3317 SBS007M	PDF
MCH6631 Contextual Info: Ordering number : ENN7444 MCH6631 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs MCH6631 Ultrahigh-Speed Switching Applications unit : mm 2173A [MCH6631] 0.3 4 0.25 2.1 • The MCH6631 incorporates a N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ONresistance and high-speed switching, thereby enabling	Original	ENN7444 MCH6631 MCH6631] MCH6631	PDF
ic 74243 Abstract: MCH3317 MCH5815 SBS007M TA-3841 Contextual Info: Ordering number : ENN7424 MCH5815 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5815 DC / DC Converter Applications 0.25 • [MCH5815] 0.25 Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3317 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2195	Original	ENN7424 MCH5815 MCH5815] MCH3317) SBS007M) ic 74243 MCH3317 MCH5815 SBS007M TA-3841	PDF
74674 Abstract: CPH5812 MCH3317 SBS010M TA-3787 Contextual Info: Ordering number : ENN7467 CPH5812 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5812 DC / DC Converter Applications 4 0.15 3 0.6 5 0.2 [CPH5812] 2.9 0.05 1 2 0.95 0.4 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 0.9 0.7 0.2 • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET	Original	ENN7467 CPH5812 CPH5812] MCH3317) SBS010M) 74674 CPH5812 MCH3317 SBS010M TA-3787	PDF
CPH5815 Abstract: MCH3317 SBS007M N2603 Contextual Info: 注文コード No. N 7 3 8 1 CPH5815 三洋半導体データシート N CPH5815 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3317）とショットキバリアダイオード（SBS007M）を	Original	CPH5815 MCH3317 SBS007M 600mm2 IT02912 IT02914 IT02915 IT00636 CPH5815 MCH3317 SBS007M N2603	PDF
74243 Abstract: 74241 MCH3317 MCH5815 SBS007M TA-3841 74242 Contextual Info: 注文コード No. N 7 4 2 4 MCH5815 三洋半導体データシート N MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード MCH5815 特長 DC / DC コンバータ用・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3317）とショットキバリアダイオード（SBS007M）を	Original	MCH5815 MCH3317 SBS007M 900mm2 IT02912 IT02914 IT02915 ID00338 74243 74241 MCH3317 MCH5815 SBS007M TA-3841 74242	PDF
WF24 Abstract: TA-3770 MCH6631 Contextual Info: 注文コード No. N 7 4 4 4 MCH6631 三洋半導体データシート N MCH6631 特長 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ超高速スイッチング用・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを	Original	MCH6631 900mm2 IT04360 IT04359 IT04355 900mm2 IT04362 WF24 TA-3770 MCH6631	PDF
SCH2602 Contextual Info: SCH2602 Ordering number : ENN8323 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs SCH2602 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • The SCH2602 incorporates a N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON- resistance and high-speed switching, thereby enabling high-density mounting.	Original	SCH2602 ENN8323 SCH2602	PDF
diode N1004 Abstract: N1004 diode CPH5812 n1004 TA-3787 MCH3317 SBS010M N2603 Contextual Info: CPH5812 Ordering number : EN7467B SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5812 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3317 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M)	Original	CPH5812 EN7467B MCH3317) SBS010M) diode N1004 N1004 diode CPH5812 n1004 TA-3787 MCH3317 SBS010M N2603	PDF
74674 Abstract: CPH5812 MCH3317 N1004 SBS010M N2603 Contextual Info: CPH5812 注文コード No. N 7 4 6 7 B 三洋半導体データシート半導体ニューズ No. N7467A をさしかえてください。 CPH5812 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード	Original	CPH5812 N7467A MCH3317 SBS010M 600mm2 73106PE TC-00000083 N1004 N2603 74674 CPH5812 MCH3317	PDF
SCH2602 Abstract: TA-100972 Contextual Info: SCH2602 注文コード No. N 8 3 2 3 三洋半導体データシート N SCH2602 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・低オン抵抗 , 高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを	Original	SCH2602 900mm2 IT04361 900mm2 IT04362 IT03293 SCH2602 TA-100972	PDF
MCH3317 Contextual Info: Ordering number : ENN7222 MCH3317 P-Channel Silicon MOSFET MCH3317 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. unit : mm 2167A [MCH3317] 0.3 0.25 • Package Dimensions 0.15 0.25 2 1 0.65	Original	ENN7222 MCH3317 MCH3317] MCH3317	PDF