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    IT03372 Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet Type Document Tags PDF

    MCH6628

    Contextual Info: 注文コード No. N 7 9 1 9 MCH6628 三洋半導体データシート N MCH6628 特長 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス ・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを


    Original
    MCH6628 900mm --10V IT03374 IT03370 900mm2 IT03377 MCH6628 PDF

    D2002

    Abstract: MCH6617
    Contextual Info: Ordering number : ENN6969A MCH6617 P-Channel Silicon MOSFET MCH6617 Ultrahigh-Speed Switching Applications Preliminary • 0.25 2.1 • Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2173A 2.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single


    Original
    ENN6969A MCH6617 MCH6617] D2002 MCH6617 PDF

    MCH6626

    Contextual Info: MCH6626 Ordering number : ENN7918 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs MCH6626 General-Purpose Switching Device Applications unit : mm 2173A [MCH6626] 0.3 4 0.25 2.1 • The MCH6626 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ONresistance and high-speed switching, thereby enabling


    Original
    MCH6626 ENN7918 MCH6626] MCH6626 PDF

    Contextual Info: MCH6626 MCH6626 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications unit : mm 2173A [MCH6626] 0.3 4 5 6 3 2 0.65 1 0.15 0.07 0.25 2.1 • The MCH6626 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ONresistance and high-speed switching, thereby enabling


    Original
    MCH6626 MCH6626] MCH6626 ENN7918 MCH6626/D PDF

    Contextual Info: Ordering number : ENN6969 MCH6617 P-Channel Silicon MOSFET MCH6617 Ultrahigh-Speed Switching Applications Preliminary • 0.25 2.1 • Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2173A 2.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single


    Original
    ENN6969 MCH6617 MCH6617] PDF

    MCH6626

    Abstract: IT025
    Contextual Info: 注文コード No. N 7 9 1 8 MCH6626 三洋半導体データシート N MCH6626 特長 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス ・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを


    Original
    MCH6626 900mm2 900mm2 IT03307 --10V IT03377 IT02521 MCH6626 IT025 PDF

    D2002

    Abstract: MCH6617
    Contextual Info: 注文コード No. N 6 9 6 9 A MCH6617 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N6969 とさしかえてください。 MCH6617 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。


    Original
    MCH6617 N6969 900mm2 500mA 500mA, 300mA, --10V IT03374 D2002 MCH6617 PDF

    MCH6628

    Contextual Info: Ordering number : ENN7919 MCH6628 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs MCH6628 General-Purpose Switching Device Applications unit : mm 2173A [MCH6628] 0.3 4 0.25 2.1 • The MCH6628 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ONresistance and high-speed switching, thereby enabling


    Original
    ENN7919 MCH6628 MCH6628] MCH6628 PDF

    D2002

    Abstract: MCH6617
    Contextual Info: 注文コード No. N 6 9 6 9 A MCH6617 No. N 6 9 6 9 A D2002 半導体ニューズ No.N6969 とさしかえてください。 MCH6617 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。


    Original
    MCH6617 D2002 N6969 900mm2 500mA 500mA, 300mA, --10V IT03372 D2002 MCH6617 PDF