IR EMITTER SENSOR Search Results

Contextual Info: 2007-05-23 Ambient Light and Proximity Sensor with Integrated IR Emitter Umgebungslicht- und Proximity Sensor mit integriertem IR Emitter Version alpha.1 SFH 7776 Features: • Proximity sensor PS - Detection range up to 160 mm - 850 nm IR emitter integrated in package

proximity sensor block diagram

Abstract: ultrasonic sensor 8 pin UM10204 SFH 7773
Contextual Info: Umgebungslicht- und Näherungssensor mit IR Emitter Ambient Light and Proximity Sensor with Integrated IR Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 7773 Preliminary datasheet Wesentliche Merkmale Features • Näherungssensor- Detektionsbereich bis

Q62703Q0071

Abstract: OHRD1938
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 260 LD 262 … LD 269 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-IR-Lumineszenzdiode • Zeilenbauform, lieferbar von 2 bis 10 Emitter pro Zeile • Farbe: transparent

Q62703-Q71

Abstract: BPX osram
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays LD 260 LD 262 … LD 269 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-IR-Lumineszenzdiode • Zeilenbauform, lieferbar von 2 bis 10 Emitter pro Zeile • Farbe: transparent • Hohe Zuverlässigkeit • Gruppiert lieferbar

Contextual Info: TCND5000 VISHAY Vishay Semiconductors Reflective Optical Sensor with PIN Photodiode Output Description C TCND5000 is a reflective sensor SMD in plastic package including IR emitter and PIN Photodiode. Optical axes of emitter and detector are parallel aligned for

Contextual Info: TCND5000 VISHAY Vishay Semiconductors Reflective Optical Sensor with PIN Photodiode Output Description C TCND5000 is a reflective sensor SMD in plastic package including IR emitter and PIN Photodiode. Optical axes of emitter and detector are parallel aligned for

Contextual Info: TEKS6400 Vishay Semiconductors CMOS Photodetector with Logic Output Description TEKS6400 is a high sensitive CMOS Photo Schmitt Trigger in a sideview plastic package with spherical lens. The integrated IR filter is matched to IR emitters, λ = 950 nm. TSKS5400 is the compatible IR emitter for design of

Contextual Info: TEKS6400 Vishay Semiconductors CMOS Photodetector with Logic Output Description TEKS6400 is a high sensitive CMOS Photo Schmitt Trigger in a sideview plastic package with spherical lens. The integrated IR filter is matched to IR emitters, λ = 950 nm. TSKS5400 is the compatible IR emitter for design of

BPX osram

Abstract: GEOY6021 OHRD1938 Q62703-Q395 Q62703-Q67
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 261 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • GaAs-IR-Lumineszenzdiode Hohe Zuverlässigkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit BPX 81 Miniatur-Gehäuse GaAs infrared emitting diode

GEOY6021

Abstract: OHLY0598 OHRD1938 Q65110A3337
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 261 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • GaAs-IR-Lumineszenzdiode Hohe Zuverlässigkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit BPX 81

OHRD1938

Abstract: BPX osram GEOY6021 Q62703-Q395 Q62703-Q67 LD261-1
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 261 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • GaAs-IR-Lumineszenzdiode Hohe Zuverlässigkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit BPX 81 Miniatur-Gehäuse GaAs infrared emitting diode

GEOY6137

Abstract: OHRD1938 Q62702-P835 OHR01042
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 405 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • GaAs-IR-Lumineszenzdiode Hohe Zuverlässigkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit SFH 305 Miniatur-Gehäuse GaAs infrared emitting diode

GEO06021

Abstract: OHRD1938 Q62703-Q395 Q62703-Q67
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 261 Wesentliche Merkmale • GaAs-IR-Lumineszenzdiode • Hohe Zuverlässigkeit • Gruppiert lieferbar • Gehäusegleich mit BPX 81 • Miniatur-Gehäuse Features • GaAs infrared emitting diode • High reliability

GEO06137

Abstract: OHRD1938 Q62702-P835
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 405 Wesentliche Merkmale • GaAs-IR-Lumineszenzdiode • Hohe Zuverlässigkeit • Gruppiert lieferbar • Gehäusegleich mit SFH 305 • Miniatur-Gehäuse Features • GaAs infrared emitting diode • High reliability

H2A1-H405

Contextual Info: ROITHNER LASERTECHNIK PRESENTS. NEW IR SENSOR CARD IR sensor card, price list page 72 ISC-4-ALL, 700.1700 nm, extreme sensitive IR sensor card, 4 fields each 19 x 19 mm² NEW HIGH POWER UV LEDS Power UV-LED, hex emitter, 1W, price list page 43 H2A1-H365, 365 nm, 25 mW at 350 mA, Uf = 3.7 V, +/-75°, lambertian silicone lens

Contextual Info: High Power Infrared Emitter Product No: M TE9 4 6 0 MT Peak Emission Wavelength: 950nm The 950nm IR emitter series is designed for applications requiring high output and precise optical / mechanical axis alignment. Custom package solutions and sorting are available.

Contextual Info: Infrared Emitter Product No: M TE9 4 4 0 M3 A Peak Emission Wavelength: 940nm The 940nm IR emitter series is designed for applications requiring high output and precise optical / mechanical axis alignment. Custom package solutions and sorting are available.

Contextual Info: Infrared Emitter Product No: M TE8 8 0 0 M3 A Peak Emission Wavelength: 880nm The 880nm IR emitter series is designed for applications requiring high output and precise optical / mechanical axis alignment. Custom package solutions and sorting are available.

Contextual Info: High Power Infrared Emitter Product No: M TE9 4 6 0 WC Peak Emission Wavelength: 950nm The 950nm IR emitter series is designed for applications requiring high output and precise optical / mechanical axis alignment. Custom package solutions and sorting are available.

Contextual Info: 2013-08-08 High Power Infrared Emitter 850 nm IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.2 SFH 4259S Features: • • • • Besondere Merkmale: • Short switching times Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung 2- fach Stack Emitter

Contextual Info: High Power Infrared Emitter Product No: M TE9 4 6 0 MC Peak Emission Wavelength: 950nm The 950nm IR emitter series is designed for applications requiring high output and precise optical / mechanical axis alignment. Custom package solutions and sorting are available.

BPX osram

Abstract: GEOY6367 OHRD1938 Q62703-Q70 Q62703-Q71 Q62703-Q72
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays LD 262 … LD 264 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • GaAs-IR-Lumineszenzdiode Hohe Zuverlässigkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit BPX 80-Serie Miniatur-Gehäuse

BPX osram

Abstract: Q62703-Q72 GEOY6367 OHRD1938 Q62703-Q70 Q62703-Q71
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays LD 262 … LD 264 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • GaAs-IR-Lumineszenzdiode Hohe Zuverlässigkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit BPX 80-Serie Miniatur-Gehäuse

ipc 9501

Abstract: radiant 4010
Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter SFH 4010 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines Gehäuse: LxBxH 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm • Typische Peakwellenlänge 950nm • IR Reflow Löten geeignet • Gegurtet lieferbar