IR 409 K Search Results

TYP 513 309

Abstract: Q62702-P1001 Q62702-P1002 Q62702-P860 SFH409 IR 409 K
Contextual Info: SFH 409 SFH 409 fex06250 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren ● Hohe Zuverlässigkeit

IR 409 K

Abstract: SFH 409 SFH 487 Q62702-P1001 Q62702-P1002 Q62702-P860 DIODE 409
Contextual Info: SFH 409 SFH 409 fex06250 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren ● Hohe Zuverlässigkeit

Contextual Info: Opto Semiconductors GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat 3.5 29 27 4.0 3.6 ø3.1 ø2.9 0.7 0.4 0.8 0.4 2.54 mm spacing 1.8 1.2 4.1 3.9 6.3 5.9 0.6 0.4 Chip position Cathode (SFH 409) Anode (SFH 487, SFH 4391) fex06250 5.2

Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat Chip position -Cathode SFH 409 Anode (SFH 487, SFH 4391) O in C\J (O o X 0) G EX06250 M aße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale

Q62702-P1001

Abstract: GEX06250 Q62702-P1002 Q62702-P860
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat 0.7 0.4 5.2 4.5 4.1 3.9 4.0 3.6 ø3.1 ø2.9 0.8 0.4 1.8 1.2 29 6.3 5.9 27 Cathode SFH 409 Anode (SFH 487) (3.5) Chip position 0.6 0.4 GEX06250 fex06250 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.3 g

ls 487

Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat 4.0 3.6 0iffei 5 2 9 - ^ 6.3 27 5.9 ^ C a th o d e S F H 409 Anode (SFH 487) — (3.5) Chip position . _0.6 ,.v^ V 0.4 GEX06250 Approx. weight 0.3 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

GEX06250

Abstract: OHLY0598
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

GEXY6250

Abstract: Q62702-P1002 Q62702-P860
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487

SFH 409 SFH 487

Abstract: OPTOKOPPLER p1002 sensor Q62702-P1002 Q62702-P860 GEX06250 SFH409
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487

GEX06250

Abstract: OHLY0598 SFH 409 SFH 487
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

GEX06250

Abstract: OHLY0598 409 marking
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

osram sfh 309

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

GEX06250

Abstract: Q62702-P1001 Q62702-P1002 Q62702-P860
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487

SFH 200 optokoppler

Abstract: GEXY6250 Q62703-Q1095 Q62703-Q2174
Contextual Info: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409

Q62703-Q1095

Abstract: Q62703-Q2174 GEX06250
Contextual Info: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409

Contextual Info: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409

OPTOKOPPLER

Abstract: SFH 200 optokoppler GEXY6250 Q62703-Q1095 Q62703-Q2174
Contextual Info: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409

optokoppler

Abstract: GEXY6250 Q62703-Q1095 Q62703-Q2174 Q62703Q2174
Contextual Info: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409

GEX06250

Abstract: SFH 409 SFH 487 Q62703-Q1095 Q62703-Q2174
Contextual Info: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Area not flat 0.7 0.4 5.2 4.5 4.1 3.9 4.0 3.6 ø3.1 ø2.9 0.8 0.4 1.8 1.2 29 6.3 5.9 27 Cathode (SFH 409) Anode (SFH 487) 0.6 0.4 (3.5) Chip position GEX06250 fex06250 2.54 mm spacing

sfh 309 fr

Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 A rea not tla t\ 0.6 0 .4 o :ö 1.8 3 .5 Chip position T i -29— 27 -C a th o d e (S FN Anode (S FH - I 6 .3 5 .9 409) 487) A p p ro x. weight 0 .3 g M a ß e in m m , w e n n n ic h t a n d e rs a n g e g e b e n /D im e n s io n s in m m , u n le s s o th e rw is e s p e c ifie d .

sfh 309 fr

Contextual Info: SIEM EN S GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Area not flat* M f 0 .4 oo^ öö V 4.1 I—-3 .9 § .? !_ 4.0 3.6 -ífeÆ sa o -r Mw , 3.5 I Chip positio n X m 0 .4 — 29— 27 C athode=SFH 409 Anode =SFH487 A p p ro x. w e ig h t 0 .3 g

Contextual Info: 4 T H IS D R A W IN G IS 3 U N P U B L IS H E D . RELEASED FO R ALL 2 P U B L IC A T IO N R IG H TS R E V IS IO N S RESERVED. 50 C O P Y R IG H T LTR D E S C R IP T IO N P2 .409 TOTAL W IR E S IZ E SLOT H O U S IN G .0 3 2 + .001 x . 2 5 0 N S U LATI O N HOUSING: NYLON, C O L O R - B L A C K

Contextual Info: 4 T H IS D R A W IN G IS U N P U B L IS H E D . R ELEAS ED FO R ALL C O P Y R IG H T 2 3 P U B L IC A T IO N R IG H TS REVISIONS RESERVED. 50 - D E S C R IP T IO N L1 R E V IS E D PER DWN -004820 ECO- APVD RK HMR 1 MAR1 D D .409 TOTAL MATES 2 W IR E 3 IN S U L A T IO N