GEOY6973 Search Results

Q62702-P5014

Abstract: Q62702-P5200
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten

Q62702-P5014

Abstract: Q62702-P5200 fototransistor
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • Nur gegurtet lieferbar

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für

diode 9306

Abstract: FA 4301 SFH 9500 SFH 5110 bpx 48 BP104 SFH 4552 SFH9240 GEOY6972 GPXY6992
Contextual Info: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS Maßbilder in mm inch Outline Drawings dimensions in mm (inch) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) SFH 5110, SFH 5111 Figure 2 6.1 (0.240) 5.9 (0.232)

fototransistor BPW 39

Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
Contextual Info: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten