GEOY6391 Search Results

OSRAM IR emitter IRL

Abstract: GEOY6391 OHFD1422 Q68000-A7852
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit • Passend zu IRED IRL 80 A, IRL 81 A

TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401

Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
Contextual Info: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit

STR G 8654

Abstract: A673 transistor transistor A673 transistor Bu 45080 TT 2188 mx 362-0 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 diode BZW 70-20 sfh 202 diode 3302 81a ir receiver
Contextual Info: Foreword Foreword Foreword Vorwort The information in this catalog is correct as of March 2011. Die Angaben in diesem Katalog entsprechen dem Stand März 2011. All products listed in this catalog are RoHS compliant, a fact that will be explicitly noted in the respective data sheet. For up-to-date

GEOY6391

Abstract: OHFD1422 LPT80 LPT IC
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit

Contextual Info: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 LPT 80 A Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 450 . 1100 nm • Package: Sidelooker, Epoxy • Special: High photosensitivity • Same package as IR emitter IRL 80 A, IRL 81 A

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor LPT 80 A Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit • Passend zu IRED IRL 80 A, IRL 81 A

phototransistor NPN

Abstract: phototransistor 600 nm LAMBDA phototransistor 500-600 nm "IR Emitter" FOTOTRANSISTOR fototransistor led Lambda Semiconductors lichtschranke Lambda 64
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 450 nm .1100 nm • Gehäuse: Sidelooker, Harz • Besonderheit des Bauteils:

TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401

Abstract: DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code
Contextual Info: Infrared Components ge 88 - 92 107 108 Infrared Components Summary of Types Silicon Photodetectors For moreComponents Infrared detailed product Summary information of Types andSilicon technical Photodetectors datasheets, please visit http://catalog.osram-os.com

diode 9306

Abstract: FA 4301 SFH 9500 SFH 5110 bpx 48 BP104 SFH 4552 SFH9240 GEOY6972 GPXY6992
Contextual Info: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS Maßbilder in mm inch Outline Drawings dimensions in mm (inch) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) SFH 5110, SFH 5111 Figure 2 6.1 (0.240) 5.9 (0.232)

fototransistor BPW 39

Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
Contextual Info: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.

Contextual Info: 2008-08-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 LPT 80 A Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 . 1100 nm • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 450 . 1100 nm • Gehäuse: Sidelooker, Harz