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SC-95 Abstract: PA1980 Contextual Info: お客様各位カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社	Original	PA1980 G16550JJ1V0DS M8E02 SC-95 PA1980	PDF
SC-95 Abstract: PA1980 Contextual Info: データ・シートショットキバリア・ダイオード内蔵 MOS 形電界効果トランジスタ MOS FET with Schottky Barrier Diode µ PA1980 ショットキバリア・ダイオード内蔵 P チャネル MOS FET スイッチング用 µ PA1980 は，1.8 V 電源系による直接駆動が可能なスイッ	Original	PA1980 PA1980TE SC-95 G16550JJ1V0DS M8E02 SC-95 PA1980	PDF

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SC-95

Abstract: PA1980
Contextual Info: お客様各位カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社

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Abstract: PA1980
Contextual Info: データ・シートショットキバリア・ダイオード内蔵 MOS 形電界効果トランジスタ MOS FET with Schottky Barrier Diode µ PA1980 ショットキバリア・ダイオード内蔵 P チャネル MOS FET スイッチング用 µ PA1980 は，1.8 V 電源系による直接駆動が可能なスイッ

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